-
公开(公告)号：CN111060044A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911233947.6
申请日：2019-12-05
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明针对与背板焊接结合的靶材加工成型后或磁控溅射后靶材部分厚度在不破坏前提下无法直接精确测量的问题，公开了一种采用水浸式C-scan设备测量焊接型靶材厚度的方法。此方法将焊接型靶材和探头均浸泡在超纯水中，运行C扫软件并利用超声纵波脉冲反射技术、以界面波波峰位置作为起始点的测量类型，通过已知靶坯厚度测量出靶材的声速，在后续与背板结合并加工成型后或磁控溅射后，利用已测靶材声速测量出此时靶材部分的厚度。该方法获得的焊接型靶材部分厚度与解除焊接结合后(即破坏后)直接测量靶材部分厚度的误差≤±5％，准确性能够保证，有效解决了加工焊接型靶材的厚度管控问题，也可有效指导靶材使用寿命的监控，提高焊接型靶材的使用率。
-
公开(公告)号：CN104174851B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410394572.2
申请日：2014-08-12
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种Co-Cr-Pt-SiO2靶材的制备方法。该方法主要包括原料粉末的选择、粉末的混合、锭坯的预压成型、反应合成烧结处理、热等静压处理、机加工处理。其中反应合成烧结技术有效改善和提高Co-Cr-Pt-SiO2靶材中的各物相之间结合，提高了材料的致密度，避免了传统热等静压处理前必须对粉末进行装包套、抽真空、封焊及热等静压后进行去包套处理工艺，有效简化了生产工艺，提高了材料的加工性能，适合进行连续性的工业化生产。
-
公开(公告)号：CN104174851A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410394572.2
申请日：2014-08-12
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种Co-Cr-Pt-SiO2靶材的制备方法。该方法主要包括原料粉末的选择、粉末的混合、锭坯的预压成型、反应合成烧结处理、热等静压处理、机加工处理。其中反应合成烧结技术有效改善和提高Co-Cr-Pt-SiO2靶材中的各物相之间结合，提高了材料的致密度，避免了传统热等静压处理前必须对粉末进行装包套、抽真空、封焊及热等静压后进行去包套处理工艺，有效简化了生产工艺，提高了材料的加工性能，适合进行连续性的工业化生产。
-
公开(公告)号：CN104060229A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410280254.3
申请日：2014-06-20
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种CoCrPt-氧化物磁记录靶材、薄膜及其制备方法，该CoCrPt-氧化物靶材包括SiO2，TiO2，CrO，Cr2O3，Ta2O3，W2O3，Al2O3，Y2O3等氧化物中的一种或几种，其中氧化物相的平均晶粒尺寸在3～20μm。合金靶材中Co、Cr、Pt形成α-Co及ε-Co两相Co基固溶体，其中以低温相六方ε-Co固溶体为主，靶材的厚度在2～6mm之间，靶材的透磁率(PTF)值40％～60％之间。由该合金靶材制得的磁记录介质的磁记录层呈(002)晶面的择优取向生长，在X衍射分析中，用式(1)表示的(002)晶面的X射线衍射峰强度比：………………………式(1)为70％～90％。本发明的溅射靶，有害杂质元素含量低，晶粒尺寸细小均匀，化学成份均匀且偏离名义成分较小。使用上述溅射靶材制备的磁记录介质，该磁记录介质晶粒细小均匀、非磁性晶界明显，磁学性能优良。
-
公开(公告)号：CN116970853A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310862536.3
申请日：2023-07-14
申请人： 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种钨钛靶材坯料的制备方法，包括：1)先通过纯钨粉体和纯钛粉体进行高能球磨增加两者表面缺陷程度，有利于提高烧结阶段的钨钛之间的扩散程度；2)对钨钛混合粉体进行通氢还原降低其表面氧含量；3)添加氢化钛粉体与钨钛混合粉体进行二次均匀化球磨，利用氢化钛在预烧结阶段的分解产氢作用降低块体钨钛靶材坯料内部的含氧量；4)利用预烧结和致密化烧结实现钨钛靶材坯料气体含量降低和微观结构可控性制备；5)利用热压塑性变形处理进一步提高钨钛靶材坯料的致密度和钨钛之间的扩散程度。本发明实现了对于钨钛靶材坯料致密度的提高、含氧量的降低和微观结构的可控性制备，所制备的钨钛靶材服役性能得到了提高。
-
公开(公告)号：CN115449767A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211188785.0
申请日：2022-09-28
申请人： 昆明理工大学 , 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种细晶高纯镍靶材的制备方法，属于镍靶材技术领域。本发明将高纯镍板进行真空熔炼，真空度达1×100Pa时，通入高纯氢气，氢气氛围下熔融成镍熔体并恒温感应熔炼10min以上使氢气充分溶入镍熔体，浇铸得到镍锭；镍锭经表面铣削后冷轧得到冷轧镍板，其中轧制总变形量为50～60％；冷轧镍板匀速升温至温度450～650℃下退火处理0.5～2h，空冷至室温得到细晶高纯镍靶材。本发明氢气氛下的熔炼能够去除镍中的氧、碳等杂质元素，同时固溶在镍中的氢能够促进轧制过程的再结晶过程，从而获得细晶高纯镍靶材，本发明的金属镍靶材组织成分均匀，晶粒尺寸细小，非金属杂质含量显著降低。
-
公开(公告)号：CN115415351A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211047631.X
申请日：2022-08-30
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种高纯铜靶材的制备方法及靶材的用途，所制备的铜靶材平均晶粒尺寸≤1μm，且分布均匀。制备步骤包括：将纯度≥4N的铜原料依次进行1)连续铸造；2)坯料切割；3)等通道侧向挤压；4)轧制；5)热处理，制得高纯铜靶材。该方法制备的高纯铜靶材具有晶粒尺寸均匀细小、取向较为一致、靶材尺寸较大且较厚等特点，可应用于大规模集成电路互连线的溅射镀膜。
-
公开(公告)号：CN111286703B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202010245239.0
申请日：2020-03-31
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种镍铂合金溅射靶材及其制备方法，所述镍铂合金溅射靶材中铂的含量为21～31%原子百分比，镍铂溅射靶材溅射面的（111）面的取向率大于30%，（200）面的取向率小于（111）面且大于20%。所述制备方法包括以下步骤：以4N5镍和铂为原料，配制成铂的含量为21～31%的合金，将合金放入熔炼炉中进行熔炼，待原料熔化后置于浇铸模具中进行浇铸获得铸锭；再将铸锭采用温轧轧制形成坯料后再结晶退火，最后加工成型获得靶材。本发明制备获得了成品率高，稳定性好的含铂为21～31原子%的NiPt合金溅射靶材，通过控制晶粒取向改善了靶材的成膜速率和薄膜性能稳定性，获得了沉积速率和膜厚均匀性较好的NiPt薄膜，大大提高了生产效率，极大节约了成本。
-
公开(公告)号：CN111270210B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202010186065.5
申请日：2020-03-17
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶粒高定向取向的钌溅射靶材及其制备方法，钌溅射靶材呈现(002)晶面高定向取向，致密度不低于99.5%，晶粒尺寸1‑10μm，氧含量100 ppm以内；所述(002)晶面与(101)晶面积分强度比不低于3。所述制备方法包括以下步骤：选择4N及以上纯度，粒度为1‑10μm的钌粉；随后将粉末进行冷压成型；再将冷压成型的锭坯进行低温微波烧结；再将锭坯进行低温真空热压烧结进一步提高致密度；最后机加工获得靶材。本发明采用较低的烧结温度、低温真空热压技术及充氢气形成还原气氛，使得钌溅射靶材性能优异，高致密度和(002)晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、厚度均匀的钌薄膜，制备工艺简便，条件温和易于操控，而且可大大提高生产效率，极大地节约制备成本。
-
公开(公告)号：CN111304608B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202010186265.0
申请日：2020-03-17
申请人： 贵研铂业股份有限公司
IPC分类号： C23C14/35 , B22D7/00 , C21D9/00 , C22C1/02 , C22C5/04 , C22C19/03 , C22F1/02 , C22F1/10 , C22F1/14 , B30B15/34
摘要： 本发明公开了一种晶粒高定向取向的镍铂合金溅射靶材及其制备方法，所述镍铂合金溅射靶材含镍为1~23.5wt%或30~99wt%，余量为铂，其致密度不低于99.5%，晶粒尺寸5~50μm，其中含镍为1~23.5wt%的靶材呈（111）高定向取向，其（111）与（200）晶面积分强度比不低于3；含镍为30~99wt%的靶材呈（111）高定向取向，其（200）与（111）晶面积分强度比不低于1.2。所述制备方法包括以下步骤：熔炼与浇铸、缺陷检测、真空热压、低温压制、低温退火和产品加工。本发明的镍铂合金溅射靶材呈（111）或（200）晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、膜厚均匀的薄膜，制备工艺简便，易操控，大大提高生产效率并节约制备成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
63 条记录 (耗时 0.06 秒)
