公开(公告)号：CN107731679A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710947326.9

申请日：2017-10-12

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

发明人： 邹志翔 ,  宋博韬 ,  林亮 ,  杨成绍 ,  黄寅虎

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L27/12

摘要： 本发明公开了一种显示面板的制造方法、显示面板和显示装置，属于显示技术领域。所述方法包括：在衬底基板上依次形成第二膜层和第一膜层，第一膜层上形成有第一过孔；在形成有第一膜层的衬底基板上形成光刻胶图案；以高于光刻胶图案的耐受温度的温度对光刻胶图案进行热固化处理；通过刻蚀工艺刻蚀第二膜层，以在第二膜层上形成第二过孔。本发明通过以高于光刻胶图案耐受温度的温度对光刻胶图案进行热固化，使光刻胶图案在热固化过程中均匀附着在过孔侧壁上。解决了相关技术中，光刻胶难以保护过孔侧壁，导致过孔侧壁与衬底基板的夹角较大，使后续形成于过孔中的结构可能在该过孔处断裂，造成显示面板不良的问题，达到了提高显示面板良率的效果。

公开(公告)号：CN105226016A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510663063.X

申请日：2015-10-14

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

发明人： 林亮 ,  杨成绍 ,  姜涛 ,  邹志翔 ,  黄寅虎

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362

CPC分类号： G02F1/134309 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134318 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/1259 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295

摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法，属于液晶显示器领域。所述方法包括：在基板上溅射一层氧化铟锡ITO薄膜；对所述基板进行退火处理；在所述ITO薄膜上形成一层栅极金属薄膜；对所述ITO薄膜和所述栅极金属薄膜进行处理，得到公共电极图案和栅极图案。在本发明实施例中，在ITO薄膜溅射完成后进行退火，可以使得ITO薄膜中的水汽残留释放，从而避免了在ITO和Gate交界面形成鼓包，提高ADS产品的良率。

公开(公告)号：CN104795400A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201510076792.5

申请日：2015-02-12

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 邹志翔 ,  杨成绍 ,  黄寅虎

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L29/42384 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78636

摘要： 本发明是关于一种阵列基板制造方法、阵列基板和显示装置，属于显示设备领域。所述方法包括：在基板上形成厚度为d的金属图案；在形成金属图案的基板上形成绝缘膜层，绝缘膜层与金属图案存在交叠区域，绝缘膜层的交叠区域与绝缘膜层的其它区域的高度差的绝对值小于d；在形成绝缘膜层的基板上形成半导体层以及源漏金属层图案。本发明通过使绝缘膜层的交叠区域与绝缘膜层的其它区域的高度差的绝对值小于d，继而在形成绝缘膜层的基板上形成的其他图案的起伏相应减小，达到了能够减小绝缘膜层上形成的走线的断线率，提高产品良率的效果。

公开(公告)号：CN118330948A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202310037238.0

申请日：2023-01-10

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 徐中 ,  邹志翔 ,  林亮 ,  陈川

IPC分类号： G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/136 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1333

摘要： 本公开提供了一种待切割母板、阵列基板及其制备方法。该待切割母板包括多个基板区以及围绕所述基板区的检测区，所述基板区包括显示区以及围绕所述显示区的外围区。所述待切割母板包括：衬底；设于所述衬底一侧的测试焊盘、多个测试焊垫以及驱动电路，所述测试焊盘位于所述检测区，所述测试焊垫位于所述外围区，所述驱动电路位于所述基板区；多个所述测试焊垫与所述测试焊盘电连接，多个所述测试焊垫与所述驱动电路电连接。本公开能够对待切割母板进行检测。

公开(公告)号：CN113838869B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202111113508.9

申请日：2021-09-23

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 张新霞 ,  向康 ,  吕凤珍 ,  陈鹏 ,  邹志翔

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77

摘要： 本申请第一方面的实施例提出了一种显示面板及其制作方法、显示装置。显示面板包括衬底基板和设置在衬底基板上的多个像素单元，像素单元包括薄膜晶体管、与薄膜晶体管连接的像素电极，以及在显示面板的厚度方向上与像素电极相对设置的公共电极，薄膜晶体管包括栅极、半导体有源层、第一极和第二极，像素电极与第一极或第二极连接，像素电极和栅极同层设置。本申请实施例中的显示面板在制作过程中，可以通过同一张掩模板将像素电极和栅极同时制作出。而相关技术中的显示面板制作工艺中，像素电极和栅极是分别通过一张掩模板制作的。相比于相关技术中的显示面板，本申请实施例中的显示面板在制作时可以节省一张掩模板，可以降低显示面板的制作成本。

公开(公告)号：CN114944138B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202210674369.5

申请日：2022-06-14

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 邹志翔 ,  林亮 ,  徐中 ,  陈川 ,  程璐

IPC分类号： G09G3/36

摘要： 本公开提供一种显示面板的驱动方法、驱动电路和显示装置。该方法中，在任一条复用控制线所连接的晶体管对应的数据引线提供第一极性数据电压时，向所述任一条复用控制线提供第一有效电压；在所述任一条复用控制线所连接的晶体管对应的数据引线提供第二极性数据电压时，向所述任一条复用控制线提供第二有效电压；其中，所述第一有效电压与所述第二有效电压不相等，以使得所述任一条复用控制线所连接的晶体管在传递对应于相同非0灰阶的所述第一极性数据电压和所述第二极性数据电压时的电流驱动能力趋于一致。

公开(公告)号：CN116416887A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202111674384.1

申请日：2021-12-31

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 谢勇贤 ,  邹志翔 ,  曲峰 ,  唐川江 ,  杨通 ,  马小叶 ,  吕凤珍 ,  张然

IPC分类号： G09G3/20 ,  G11C19/28

摘要： 本公开提供了一种移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示装置，涉及显示技术领域。本公开中，可以根据移位寄存器单元中的氧化物薄膜晶体管所需的沟道总宽度和沟道长度，将氧化物薄膜晶体管的氧化物半导体层分区，划分出的各个独立的半导体分支的宽度之和等于所需的沟道总宽度。如此，一个氧化物薄膜晶体管可以通过一个或多个半导体分支实现所需的沟道总宽度，保证氧化物薄膜晶体管的正常工作，从而可以通过对不同的氧化物薄膜晶体管进行不同的氧化物半导体层设计，实现缩小显示装置边框的目的。同时，较小尺寸的半导体分支，以及半导体分支之间的空隙还可以用于散热，从而避免了氧化物半导体的热量积累而导致的氧化物薄膜晶体管失效。

公开(公告)号：CN104795400B

公开(公告)日：2018-10-30

申请号：CN201510076792.5

申请日：2015-02-12

申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 邹志翔 ,  杨成绍 ,  黄寅虎

IPC分类号： H01L27/12

摘要： 本发明是关于一种阵列基板制造方法、阵列基板和显示装置，属于显示设备领域。所述方法包括：在基板上形成厚度为d的金属图案；在形成金属图案的基板上形成绝缘膜层，绝缘膜层与金属图案存在交叠区域，绝缘膜层的交叠区域与绝缘膜层的其它区域的高度差的绝对值小于d；在形成绝缘膜层的基板上形成半导体层以及源漏金属层图案。本发明通过使绝缘膜层的交叠区域与绝缘膜层的其它区域的高度差的绝对值小于d，继而在形成绝缘膜层的基板上形成的其他图案的起伏相应减小，达到了能够减小绝缘膜层上形成的走线的断线率，提高产品良率的效果。

公开(公告)号：CN106784016A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710056294.3

申请日：2017-01-25

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

发明人： 操彬彬 ,  邹志翔 ,  杨成绍 ,  黄寅虎 ,  罗标 ,  王明明

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管、制作方法、显示基板及显示装置。其中，薄膜晶体管包括形成在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极以及漏极；所述有源层包括层叠设置的第一图形和第二图形，所述源极和漏极搭接在所述第二图形上，所述第一图形由非金属氧化物半导体材料组成，所述第二图形由金属氧化物半导体材料组成。本发明的薄膜晶体管的前沟道的开态电流Ion较大，后沟道的关态电流Ioff较小，从而能够实现较好的开关比特性。

公开(公告)号：CN105957834A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610440115.1

申请日：2016-06-17

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

发明人： 邹志翔 ,  杨成绍 ,  宋博韬 ,  黄寅虎

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/1248 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2202/02 ,  G02F2202/10 ,  G02F2202/103 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/0234 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3274 ,  H01L29/78666 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L27/1214

摘要： 一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置，该薄膜晶体管阵列基板的制备方法包括：在衬底基板上形成有机膜层；对所述有机膜层进行表面处理以去除有机物残渣；在对所述有机膜层进行表面处理后的所述衬底基板上形成钝化层。在该薄膜晶体管阵列基板的制备过程中可通过去除形成有机膜层时引入的有机物残渣来改善薄膜晶体管阵列基板的表面环境，从而改善产品的鼓包问题、改善封框胶与薄膜晶体管阵列基板之间的粘结力减弱的问题、改善膜层结合困难的问题，使产品的PCT检测通过,并显著提升产品良率和信赖性。