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公开(公告)号：CN102027603B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN200880108812.0
申请日：2008-09-17
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： D·C·弗里曼 , D·H·莱维 , P·J·考德里-科尔文
IPC: H01L31/18 , H01L51/50 , B05D7/24 , C23C16/455 , C23C16/30
CPC classification number: C23C16/30 , B05D1/60 , B05D2252/02 , C23C16/45551 , C23C16/45553 , C23C16/545
Abstract: 一种通过原子层沉积在基板上制备有机薄膜的方法，所述方法包括同时引导一系列气流沿着基本上平行的伸长的通道通过，其中该系列气流包括依次的至少第一反应性气态材料、惰性吹扫气体和第二反应性气态材料，任选重复多次，其中所述第一反应性气态材料能够与用第二反应性气态材料处理过的基质反应，其中所述第一反应性气态材料、第二反应性气态材料或者二者为挥发性有机化合物。在有机薄膜的沉积过程中，所述方法基本上在大气压下或高于大气压下进行，其中沉积过程的基质温度低于250℃。
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公开(公告)号：CN101809190B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200880108960.2
申请日：2008-09-18
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1259 , B33Y80/00 , C23C16/407 , C23C16/45551 , C23C16/45595 , C23C16/545 , H01L27/1214 , H01L27/1225
Abstract: 本发明涉及一种制造例如薄膜晶体管、环境阻隔层、电容、绝缘器和总线的薄膜电子器件和设备的方法，其中大部分或所有层由大气压原子层沉积方法制造。
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公开(公告)号：CN102027603A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200880108812.0
申请日：2008-09-17
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： D·C·弗里曼 , D·H·莱维 , P·J·考德里-科尔文
IPC: H01L31/18 , H01L51/50 , B05D7/24 , C23C16/455 , C23C16/30
CPC classification number: C23C16/30 , B05D1/60 , B05D2252/02 , C23C16/45551 , C23C16/45553 , C23C16/545
Abstract: 一种通过原子层沉积在基板上制备有机薄膜的方法，所述方法包括同时引导一系列气流沿着基本上平行的伸长的通道通过，其中该系列气流包括依次的至少第一反应性气态材料、惰性吹扫气体和第二反应性气态材料，任选重复多次，其中所述第一反应性气态材料能够与用第二反应性气态材料处理过的基质反应，其中所述第一反应性气态材料、第二反应性气态材料或者二者为挥发性有机化合物。在有机薄膜的沉积过程中，所述方法基本上在大气压下或高于大气压下进行，其中沉积过程的基质温度低于250℃。
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公开(公告)号：CN101868762A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200880116804.0
申请日：2008-11-10
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： L·M·欧文 , D·H·莱维 , D·C·弗里曼 , C·杨 , P·J·考德里-科万
CPC classification number: G03F7/0757 , G03F7/0754 , G03F7/40
Abstract: 一种用于形成图案化薄膜的原子层沉积工艺，包括提供基材，向基材上施加可光图案化的沉积抑制剂材料，其中所述沉积抑制剂材料包括有机硅氧烷化合物；图案化所述沉积抑制剂材料。所述薄膜基本上只沉积在基材上不具有沉积抑制剂材料的选区内。
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公开(公告)号：CN101868761A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200880116812.5
申请日：2008-11-12
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： L·M·欧文 , D·C·弗里曼 , P·J·考德里-科万 , C·杨 , D·H·莱维
CPC classification number: H01L27/1288 , G03F7/0005 , G03F7/2022 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1292 , H01L29/66765 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及一种形成结构的方法，其包括a)提供透明载体；b)在透明载体的第一侧上形成彩色掩模；c)施加含有对可见光敏感的沉积抑制剂材料的第一层；d)通过用可见光透过彩色掩模对第一层曝光，将第一层图案化以形成第一图案，和将沉积抑制剂材料显影以提供实际上不具有沉积抑制剂材料的第一层的选区；和e)在透明载体上沉积功能材料第二层；其中功能材料第二层基本上只被沉积在透明载体上不具有沉积抑制剂材料的选区内。
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公开(公告)号：CN101809196A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880109154.7
申请日：2008-09-24
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: C23C16/455 , C30B35/00 , H01L21/00 , H01L21/314
CPC classification number: H01L21/67173 , B33Y80/00 , C23C16/45551 , C23C16/45563 , C23C16/54 , C30B25/14 , C30B35/00 , H01L21/6719 , H01L21/68
Abstract: 在ALD系统中维持至少两个涂布组件之间对准或位置关系的设备，该设备包括：在涂布部分中的多个涂布组件；用于支撑涂布组件的至少第一杆和第二杆；和用于支撑杆的至少第一杆装配结构和第二杆装配结构；其中各个涂布组件由第一杆和第二杆支撑，并且其中至少两个组件和第一杆和第二杆的结合确定涂布组件输出面的涂布部分型面。还公开制造该设备的方法。
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公开(公告)号：CN1329281A
公开(公告)日：2002-01-02
申请号：CN01121287.X
申请日：2001-06-13
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： W·K·斯卢萨雷科 , 杨希强 , M·E·欧文 , D·H·莱维 , J·B·莫贝里 , J·J·塞弗特 , J·H·雷诺 , L·M·欧文 , Z·R·奥夫查茨克 , D·T·索斯比
CPC classification number: G03C1/49845 , G03C7/30541 , G03C8/408 , Y10S430/16
Abstract: 本发明涉及彩色光热敏照像元件,包括的成像层中含以下结构的化合物。其中DEV,LINK,TIME,n,T，t，C
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公开(公告)号：CN1329272A
公开(公告)日：2002-01-02
申请号：CN01121294.2
申请日：2001-06-13
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： D·H·莱维 , R·P·斯扎杰夫斯基 , M·E·欧文 , L·M·欧文
CPC classification number: G03D13/002 , G03D15/005
Abstract: 用来处理热胶片的一种热处理亭子(7)可以为用户提供多种处理方案。这种亭子包括允许用户输入处理指令和/或信息的触摸屏(9)形式的用户控制器。热处理亭子适合接受需要处理的曝光胶片,并且按照处理指令执行打印。按照本发明的一个特征,用户可以在购买胶片时为处理胶片预付款。可以用胶片盒或胶片上的一种标记或标识符来指示这种预付款状态。当用户把曝光的胶片交给亭子进行处理时,这有助于简化用户与亭子的交流。
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公开(公告)号：CN102017104B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200880109145.8
申请日：2008-09-24
Applicant: 伊斯曼柯达公司
Inventor： P·J·考德里-科尔万 , D·H·莱维 , T·D·保利克 , D·C·弗里曼
IPC: H01L21/365
CPC classification number: H01L21/02576 , B33Y80/00 , C23C16/407 , C23C16/45504 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/45574 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/0262
Abstract: 本发明涉及一种制造用于晶体管中的锌氧化物基薄膜半导体的方法，包括在基材上薄膜沉积，包括提供多种气态材料，该气态材料包括第一，第二，和第三气态材料，其中第一气态材料是含锌挥发性材料和第二气态材料是对其具有反应性的，使得当第一或第二气态材料之一在基材的表面上，第一或第二气态材料的另一种将反应从而在基材上形成材料层，其中第三气态材料是惰性的和其中挥发性的含铟化合物被引入到第一反应性气态材料或附加的气态材料。
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公开(公告)号：CN101821427A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880108808.4
申请日：2008-09-24
Applicant: 伊斯曼柯达公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/45551 , B33Y80/00 , C23C16/458 , H01L29/4908 , Y10S438/908
Abstract: 公开了在基材上沉积薄膜材料的方法，包括从薄膜沉积系统的输送头的输出面朝基材表面同时引导一系列气流，其中所述一系列气流包括至少第一反应性气态材料、惰性吹扫气体和第二反应性气态材料，其中第一反应性气态材料能与用第二反应性气态材料处理过的基材表面反应。还公开了能够进行这种方法的系统。
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