公开(公告)号：CN88101748A

公开(公告)日：1988-10-05

申请号：CN88101748

申请日：1988-03-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 中川克已 ,  清水勇

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L31/03921 ,  H01L31/07 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 改进的针型和肖特基型薄膜光电电动势元件具有令人满意的短路电流(Isc)、开路电压(Voc)、占空比(F·F)、光电转换效率和信噪比，其特征在于：至少有一层N型和P型半导体层由一层非单晶硅半导体层构成，该半导体层由多层厚度小于等于100埃包含1到10原子百分比氢原子的非单晶硅薄膜迭合而成。

公开(公告)号：CN86108453A

公开(公告)日：1987-07-29

申请号：CN86108453

申请日：1986-12-11

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 广冈政昭 ,  石原俊一 ,  半那纯一 ,  清水勇

IPC: G03G5/02 ,  G03G5/08

CPC classification number: G03G5/08278

Abstract: 具有所需的光接收层的改进电子摄影光敏元 件，此光接收层的制备是在无等离子体的情况下利 用一种能对形成淀积膜层有所贡献的物质与一种电 子氧化剂完成的。本发明还包括用来制备此电子摄 影光敏元件的方法和设备。

公开(公告)号：CN1018659B

公开(公告)日：1992-10-14

申请号：CN86108685

申请日：1986-12-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 齐藤惠志 ,  广冈政昭 ,  半那纯一 ,  清水勇

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/00 ,  C23C16/24

CPC classification number: H01L21/02532 ,  G03G5/08278 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 通过把形成沉积膜的气态原料和对所说的原料具有氧化作用性质的气态卤素氧化剂分别独立地送入反应空间，由化学反应形成沉积膜的制备沉积膜的方法，包括预先把用于形成价电子控制剂的气态物质(D)在一个激活空间里形成激活产物，并且将所说的激活产物送入反应空间，以便形成掺杂的沉积膜。

公开(公告)号：CN1012240B

公开(公告)日：1991-03-27

申请号：CN88101748

申请日：1988-03-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 中川克已 ,  清水勇

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L31/03921 ,  H01L31/07 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种改进的pin型和肖特基型薄膜光电电动势元件，它具有令人满意的短路电流(Isc)、开路电压(Voc)、占空因数(F.F.)、光电转换效率和信噪比，其特征在于：至少有一层N型和P型半导体层由一层非单晶硅半导体层构成，该半导体层由多层厚度小于100埃、包含1到10原子百分比氢原子的非单晶硅薄膜层叠而成。

公开(公告)号：CN1007564B

公开(公告)日：1990-04-11

申请号：CN86108693

申请日：1986-12-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石原俊一 ,  大利博和 ,  广冈政昭 ,  半那纯一 ,  清水勇

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  Y10S148/057 ,  Y10S148/169 ,  Y10S438/909

Abstract: 提供一种基本半导体层，包含由非晶材料构成层改进的薄膜晶体管，其制备方法如下：将含有能够成为所述层组分原子的气态物质(i)通过输送管引入放有基底的成膜室，将对该气态物质具有氧化性能的气态卤族物质。(ii)通过氧化剂输送管引入该成膜室；使该气态物质和该气态卤族氧化剂在成膜室内无等离子体的情况下发生化学反应，产生含受激先质的多种先质；至少利用这些先质中的一种作为供应源，在基底上形成所述的层。

公开(公告)号：CN1007104B

公开(公告)日：1990-03-07

申请号：CN86108412

申请日：1986-12-11

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 广冈政昭 ,  石原俊一 ,  半那纯一 ,  清水勇

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/10 ,  H01L31/06

CPC classification number: H01L31/076 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种改进的具有符合要求的光电转换层的光电动势元件，该光电转换层采用一种能够用来形成沉积膜的物质和一种电子氧化剂在没有等离子体的情况下制备。本发明还涉及了制备该元件的方法和装置。

公开(公告)号：CN86108693A

公开(公告)日：1987-08-12

申请号：CN86108693

申请日：1986-12-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石原俊一 ,  大利博和 ,  广冈政昭 ,  半那纯一 ,  清水勇

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/365

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  Y10S148/057 ,  Y10S148/169 ,  Y10S438/909

Abstract: 提供一种基本半导体层，包含由非晶材料构成层改进的薄膜晶体管，其制备方法如下：将含有能够成为所述层组分原子的气态物质(i)通过输送管引入放有基底的成膜室，将对该气态物质具有氧化性能的气态卤族物质。(ii)通过氧化剂输送管引入该成膜室；使该气态物质和该气态卤族氧化剂在成膜室内无等离子体的情况下发生化学反应，产生含受激先质的多种先质；至少利用这些先质中的一种作为供应源，在基底上形成所述的层。

公开(公告)号：CN86107084A

公开(公告)日：1987-05-27

申请号：CN86107084

申请日：1986-10-21

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石原俊一 ,  半那纯一 ,  清水勇

IPC: C23C16/00

Abstract: 一种形成沉积膜的方法包括：把形成沉积膜的气态原料、对该原料具有氧化作用的气态卤素氧化剂(X)和有同样性质的至少一种气态氧型和氮型氧化剂导入反应区，使它们有效的接触以形成包括处于激发态的多种中间体，和用这些中间体中的至少一种作为沉积膜组分的原料源以便在存在于成膜区中的基底上形成沉积膜。形成沉积膜的另一方法与上法相似，但增加了含作为价电子控制剂的要素的成分的气态原料(D)。