-
公开(公告)号：CN100381526C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200410031386.9
申请日：2004-03-26
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C09D183/04 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/02126 , C09D183/04 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695
Abstract: 根据本发明，用半导体工艺中常用的方法，很容易制备任意控制膜厚的薄膜。本发明提供了形成多孔膜的涂覆液，该多孔膜具有优良的介电常数及机械特性。具体地，形成多孔膜的涂覆液是含有缩合物及有机溶剂的多孔膜组合物，所述的缩合物是从至少一种选自用通式(X2O)i(SiO2)j(H2O)k表示的硅酸盐化合物和用通式(X2O)a(RSiO1.5)b(H2O)c表示的有机硅酸盐化合物在酸存在下缩合得到的。由此可制造用于半导体制造工艺的，具有足够机械强度和介电常数的多孔绝缘膜。
-
公开(公告)号：CN1551306A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410028267.8
申请日：2004-03-10
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/52 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L21/31633 , H01L21/31695 , H01L21/7682
Abstract: 提供一种组合物，所述组合物通过烷氧基硅烷的水解和缩合形成，所述组合物含有减少量的金属和卤素杂质，可应用作为电子材料。也提供一种具有低介电常数的绝缘膜，通过应用组合物并焙烧进行生产。更具体地，提供一种用于制造成膜组合物的方法，包括在有机溶剂中，及在作为催化剂的氢氧化三烷基甲铵的存在下，烷氧基硅烷或烷氧基硅烷的部分水解产物的水解和缩合步骤，其中烷氧基硅烷选自如上通式(1)～(4)表示的化合物，并且，由如下通式(5)代表氢氧化三烷基甲铵。提供由该方法得到的成膜组合物，和具有低金属和卤素杂质的低介电常数膜，所述膜通过在基质上施加该成膜组合物并焙烧而生产。
-
公开(公告)号：CN1542071A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410031386.9
申请日：2004-03-26
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C09D183/04 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/02126 , C09D183/04 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695
Abstract: 根据本发明，用半导体工艺中常用的方法，很容易制备任意控制膜厚的薄膜。本发明提供了形成多孔膜的涂覆液，该多孔膜具有优良的介电常数及机械特性。具体地，形成多孔膜的涂覆液是含有缩合物及有机溶剂的多孔膜组合物，所述的缩合物是从至少一种选自用通式(X2O)i(SiO2)j(H2O)k表示的硅酸盐化合物和用通式(X2O)a(RSiO1.5)b(H2O)c表示的有机硅酸盐化合物在酸存在下缩合得到的。由此可制造用于半导体制造工艺的，具有足够机械强度和介电常数的多孔绝缘膜。
-
公开(公告)号：CN1501454A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310114943.9
申请日：2003-11-13
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/312 , C09D183/04
CPC classification number: H01L23/5222 , C08K3/34 , C08L83/02 , C09D183/04 , H01L23/53228 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , Y10T428/249953 , Y10T428/31663 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种成膜用组合物，该组合物可形成具有优良介电性质、粘合性、膜均匀性和机械强度的多孔膜，并且该膜可容易地变薄；本发明提供了多孔膜及其制造方法以及内部含有所述多孔膜的高性能和高可靠的半导体装置。更具体地说，多孔膜形成用组合物包含一种含有通过水解和缩合至少一种由通式(R1)nSi(OR2)4－n表示的硅烷化合物而获得的非晶态聚合物的溶液和通过使用氢氧化季铵而形成的沸石溶胶。多孔膜形成用方法包括涂布多孔膜形成用组合物的涂布步骤；随后的干燥步骤；和多孔性形成步骤。
-
公开(公告)号：CN100495205C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510118182.3
申请日：2003-08-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2041
Abstract: 一种图形形成方法，在形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(102)之后，以向抗蚀膜(102)上提供由含有消泡剂且边进行循环边暂时被贮存于溶液贮存部内的水(折射率n：1.44)组成的溶液(103)的状态，对抗蚀膜(102)照射曝光光(104)，进行图形曝光。对已进行图形曝光的抗蚀膜(102)进行后烘之后，用碱性显影液进行显影，则可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成的具有良好截面形状的抗蚀图形(105)。根据本发明，通过减少用于浸渍光刻法的溶液中的气泡，可以使抗蚀图形的截面形状变得良好。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100456421C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200510009041.8
申请日：2005-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/11 , Y10S430/119 , Y10S430/123
Abstract: 本发明公开了一种阻挡膜形成用材料及使用它的图案形成方法。在衬底101上形成由化学放大型抗蚀剂形成的抗蚀膜102。接着，在抗蚀膜102上形成防止抗蚀膜中的成份溶解到液体浸渍用液体中，或防止液体浸渍用液体浸透到抗蚀膜102中的阻挡膜103。之后，在将液体浸渍用液体104供到阻挡膜103上的状态下，隔着阻挡膜103用曝光光105选择性地照射抗蚀膜102，进行图案曝光。接着，去掉阻挡膜103之后，再对已图案曝光的抗蚀膜102进行显像处理。从而形成由抗蚀膜102构成的抗蚀图案102a。
-
公开(公告)号：CN101021010A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200610100052.1
申请日：2006-06-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23F4/00 , C23F1/12 , H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种干蚀刻方法、微细结构形成方法、模具及其制造方法。目的在于：以实现在利用干蚀刻对含钨和碳的物质形成微小凹凸时的垂直剖面形状或正锥形剖面形状。并且，提供一种在含钨和碳的物质表面具备了垂直剖面形状或正锥形剖面形状的微小凹凸的模具。利用从混合气体生成的等离子体，对含钨和碳的物体进行蚀刻，该混合气体由含氟原子的气体、和含CN结合及氢原子的气体构成。
-
公开(公告)号：CN1746774A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510099184.2
申请日：2005-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/70733 , G03F7/70866 , Y10S430/146
Abstract: 本发明的曝光装置，具有曝光部，其配置在容器(30)中，在将浸液用液体(42)配置于在晶片(40)上成膜的抗蚀膜上的状态下，通过掩膜(41)对抗蚀膜照射曝光光。另外，还具有使已被曝光的抗蚀膜的表面干燥的干燥部。因此，本发明能够防止由在浸液光刻法中使用的液体的残留所引起的抗蚀膜的改性，可以得到具有良好形状的微细化图形。
-
公开(公告)号：CN1707757A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510074290.5
申请日：2005-06-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/2041 , G03F7/70891
Abstract: 一种半导体制造装置及图案形成方法，为得到由液体浸泡平板印刷制造的好的抗蚀膜的形状。由液体浸泡平板印刷的图案形成方法，在晶片(101)上形成抗蚀膜(102)，接下来，在形成的抗蚀膜(102)上填充了不饱和脂肪酸，例如包含三油酸甘油脂的葵花油或者橄榄油等的液体(103)的状态下，对抗蚀膜(102)进行有选择地照射曝光光线(104)来完成图案曝光。其后，对进行了图案曝光的抗蚀膜(102)进行显像，由抗蚀膜(102)形成抗蚀图案(102a)。
-
公开(公告)号：CN1661776A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510009041.8
申请日：2005-02-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/11 , Y10S430/119 , Y10S430/123
Abstract: 本发明公开了一种阻挡膜形成用材料及使用它的图案形成方法。在衬底101上形成由化学放大型抗蚀剂形成的抗蚀膜102。接着，在抗蚀膜102上形成防止抗蚀膜中的成分溶解到液体浸渍用液体中，或防止液体浸渍用液体浸透到抗蚀膜102中的阻挡膜103。之后，在将液体浸渍用液体104供到阻挡膜103上的状态下，隔着阻挡膜103用曝光光105选择性地照射抗蚀膜102，进行图案曝光。接着，去掉阻挡膜103之后，再对已图案曝光的抗蚀膜102进行显像处理。从而形成由抗蚀膜102构成的抗蚀图案102a。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
83
records
(took 0.035 seconds)
