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公开(公告)号:CN108063096A
公开(公告)日:2018-05-22
申请号:CN201711129294.8
申请日:2017-11-15
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC分类号: H01L21/60 , H01L29/739 , H01L23/488 , H01L23/373
CPC分类号: H01L24/83 , H01L23/3736 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L29/7393 , H01L2224/2745 , H01L2224/32501 , H01L2224/8384 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105
摘要: 本发明提供的一种半导体功率器件子模组及其生产方法及压接式IGBT模块,所述半导体功率器件子模组的生产方法包括如下步骤:S1.在钼片的镀银面上沉积AgSn薄膜焊膏;S2.将芯片通过卡具贴装在所述AgSn薄膜焊膏表面,形成待烧结结构。本发明提供的半导体功率器件子模组的生产方法,在钼片上首先沉积AgSn,AgSn具有很强导热能力,可以确保整个子模组的传热能力。
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公开(公告)号:CN108387783A
公开(公告)日:2018-08-10
申请号:CN201711432966.2
申请日:2017-12-26
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力公司 , 国家电网公司
IPC分类号: G01R27/26
摘要: 本发明公开一种基于IGBT器件开通的电感提取方法及装置,其中方法包括:获取待测IGBT器件在开通瞬态下的负载电流值、待测IGBT器件的集电极的至少四个不同开通电流值和发射极与集电极之间的至少四个不同开通电压值;根据测试参数,分别建立至少四个电压关系式,其分别包含四个不同的设定参数,四个不同的设定参数分别代表待测IGBT器件在开通瞬态下闭合回路中的续流支路电阻值、总电阻值、总电感值和电源电压值;计算四个电压关系式得到待测IGBT器件在开通瞬态下闭合回路中的总电感值。本发明通过获取待测IGBT器件在开通瞬态下其集电极多个不同开通电流值和发射极与集电极之间的多个不同开通电压值使得提取闭合回路的总电感值更加精确。
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公开(公告)号:CN108281405A
公开(公告)日:2018-07-13
申请号:CN201711307593.6
申请日:2017-12-11
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L29/739 , H01L21/60
摘要: 本发明提供一种功率器件封装结构及方法,该功率器件封装结构包括:第一组件、至少一个发射极上金属片和至少一个功率器件,至少一个发射极上金属片与至少一个功率器件一一对应设置;第一组件从上至下依次包括发射极顶板、第一弹簧、挡板及第二弹簧,第一弹簧和第二弹簧均为至少一个,第一弹簧、第二弹簧与发射极上金属片一一对应设置;第一组件设置在至少一个发射极上金属片上,至少一个发射极上金属片设置在至少一个功率器件上,功率器件的发射极在功率器件上侧;功率器件的栅极在功率器件上侧,通过栅极探针连接至挡板上。相比现有采用引线键合的方式将功率器件的栅极引出的方案,本发明避免了寄生电感的增加,增强了功率器件的可靠性。
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公开(公告)号:CN107731701A
公开(公告)日:2018-02-23
申请号:CN201710842123.3
申请日:2017-09-18
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC分类号: H01L21/60
CPC分类号: H01L24/83 , H01L2224/83053 , H01L2224/83095 , H01L2224/8384
摘要: 本发明提供的半导体器件的烧结方法及半导体器件的制造方法,所述半导体器件包括半导体芯片、金属基板以及设置在所述半导体芯片与所述金属基板之间的焊膏,半导体器件的烧结方法包括:将所述半导体器件升温至第一预定温度;在酸性环境下保持所述第一预定温度第一预定时间;将所述半导体器件继续升温至第二预定温度,所述第二预定温度大于所述第一预定温度;保持所述第二预定温度第二预定时间。可以使焊膏内部的组织充分均匀化,有利于焊膏内部各成分之间的均匀扩散,提高了整个焊膏的导电性能。
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公开(公告)号:CN109979826A
公开(公告)日:2019-07-05
申请号:CN201711462442.8
申请日:2017-12-28
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网公司
IPC分类号: H01L21/50 , H01L29/739 , H01L21/67 , H01L23/367
摘要: 本发明提供了一种功率芯片双面烧结的压接式IGBT模组的制备方法,该方法包括:从下至上将下钼片、焊片、IGBT芯片、焊片和上钼片组装到烧结卡具中;组装限位销压制压片;用连续真空烧结炉烧结得单芯片烧结连接结构;从下至上依次组装的塑料框架、弹簧探针和烧结结构,得所述单芯片压接子模组。本发明提供的制备方法用连续式真空烧结炉,能够大规模烧结芯片,极大地缩短了工序时长,效率高,速度快;本发明中提供的烧结方法采用的烧结卡具与压片,解决了芯片与钼片烧结后的对中问题,并且可以确保烧结后结构的厚度差值可控制在8μm以下。
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公开(公告)号:CN107995681A
公开(公告)日:2018-05-04
申请号:CN201711134325.9
申请日:2017-11-16
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网公司 , 国网上海市电力公司
CPC分类号: H04W56/001 , H04J3/0635 , H04J3/0661 , H04W56/0015
摘要: 本发明涉及一种无线传感网时间同步方法及装置,所述方法包括:步骤(1)获取传感网络树形拓扑结构中的根节点及其对应的子节点;步骤(2)获取所述根节点及其对应的子节点间的传送时延,并根据所述传送时延对所述根节点及其对应的子节点间进行时间同步,步骤(3)将所述传感网络树形拓扑结构中的根节点及其对应的子节点中的子节点作为根节点并返回所述步骤(1),直至所述传感网络树形拓扑结构中所有节点完成时间同步,本发明提供的技术方案,解决在无线传感网络中多个节点之间时间同步的问题,该设计方法充分考虑了发送时间、访问时间、传输时间、接收时间、接受时间对同步精度的影响,可降低无线传感网络中各个节点的时间同步误差。
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公开(公告)号:CN111368464B
公开(公告)日:2023-05-02
申请号:CN202010340549.0
申请日:2020-04-26
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: G06F30/20 , G06F115/12
摘要: 本发明公开一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置,所述方法包括:将所述功率半导体器件划分为多个芯片位置;获取所述功率半导体器件中每个所述芯片位置对应的综合应力数据,所述综合应力数据包括电气应力数据、热应力数据和压力应力数据;获取多个候选芯片中每个所述候选芯片的综合极限数据,所述综合极限数据包括电气极限数据、热极限数据和压力极限数据;将多个目标芯片随机与所述多个芯片位置相匹配,所述目标芯片是综合极限数据大于对应芯片位置处的综合应力数据的候选芯片;计算所述多个目标芯片的综合极限数据和所述多个芯片位置对应的综合应力数据的误差;随机更换所述多个目标芯片,以确定使所述误差最小的最佳目标芯片。
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公开(公告)号:CN115561602A
公开(公告)日:2023-01-03
申请号:CN202110745843.4
申请日:2021-07-01
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: G01R31/26
摘要: 本发明提供一种压接型IGBT子模组测试适配器及测试设备,压接型IGBT子模组测试适配器包括下夹具;下夹具包括:导电基板,导电基板中具有定位孔阵列,定位孔阵列包括若干个分立的定位孔;定位组件,定位组件包括导电适配件,导电适配件适于放置于定位孔阵列上,导电适配件中设置有第一凹槽,第一凹槽适于放置待测子模组;第一紧固件,第一紧固件适于贯穿第一凹槽侧部的导电适配件并延伸在至少部分个定位孔中。当待测子模组的结构发生变化时无需对整个适配器的结构进行重新设计,提高了适配器的通用性,从而降低了测试成本并缩短了测试时间。
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公开(公告)号:CN111579958A
公开(公告)日:2020-08-25
申请号:CN202010431615.5
申请日:2020-05-20
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网湖北省电力有限公司 , 国家电网有限公司
摘要: 本发明公开了一种IGBT开关特性测试电路及测试方法,测试电路包括负载电感电路和直流母线电源,所述直流母线电源与所述负载电感电路以及被测IGBT器件串联;第一开关器件,连接在所述直流母线电源的正极与所述负载电感电路的输出端之间,用于切断或者接通直流母线;电阻R1,第一端连接所述第一开关器件的低压端,第二端与负载电感电路的输入端连接,用于在所述被测IGBT器件和/或所述第一开关器件和/或所述负载电感电路失效时,吸收所述直流母线电源的电量。本发明通过增加了第一开关器件和电阻R1,实现器件测试完成后切断直流母线电容能量释放通道,以及吸收直流母线释放的能量,降低器件失效后烧毁程度,防止失效器件爆炸。
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公开(公告)号:CN111487520A
公开(公告)日:2020-08-04
申请号:CN202010345768.8
申请日:2020-04-27
申请人: 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC分类号: G01R31/28
摘要: 本发明涉及电力电子器件技术领域,具体涉及一种IGBT模块的测试方法、装置及电子设备。其中,方法包括:获取IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值;调用IGBT模块中每一个IGBT芯片的稳态电流的计算函数,每个计算函数用于表示对应的IGBT芯片的稳态电流与所有IGBT芯片的开启电压、饱和电压、额定电流以及所有IGBT芯片上承受的压力之间的数值关系;利用IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值,按照计算函数计算得到IGBT模块中每个IGBT芯片的稳态电流值。本发明通过计算函数计算得到各个IGBT芯片的稳态电流,解决了IGBT模块中各个IGBT芯片稳态电流测试难度大的问题。
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