IGBT模块的测试方法、装置及电子设备

    公开(公告)号:CN111487520A

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN202010345768.8

    申请日:2020-04-27

    IPC分类号: G01R31/28

    摘要: 本发明涉及电力电子器件技术领域,具体涉及一种IGBT模块的测试方法、装置及电子设备。其中,方法包括:获取IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值;调用IGBT模块中每一个IGBT芯片的稳态电流的计算函数,每个计算函数用于表示对应的IGBT芯片的稳态电流与所有IGBT芯片的开启电压、饱和电压、额定电流以及所有IGBT芯片上承受的压力之间的数值关系;利用IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值,按照计算函数计算得到IGBT模块中每个IGBT芯片的稳态电流值。本发明通过计算函数计算得到各个IGBT芯片的稳态电流,解决了IGBT模块中各个IGBT芯片稳态电流测试难度大的问题。

    压接型IGBT器件芯片电流分时测量系统及测量方法

    公开(公告)号:CN114545184A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202210159329.7

    申请日:2022-02-22

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明涉及一种压接型IGBT器件芯片电流分时测量系统及测量方法,属于压接型IGBT器件领域,罗氏线圈阵列板获取压接型IGBT器件内部各芯片的电流微分信号,模拟多路复用器在主控机的控制下接收被测芯片的电流微分信号,通过积分器还原为被测芯片的电流比例信号,模数转换器将被测芯片的电流比例信号转换为被测芯片的数字电流比例信号,从而主控机获得被测芯片的电流数据。本发明只需要1个积分器和1个模数转换器即可实现多芯片电流的测量,减少硬件资源占用,降低系统复杂度。且本发明充分利用电流周期性和电流波形跨周期基本不变的特性,实现了多芯片电流的跨周期分时测量,同时在电流稳态阶段将模数转换器休眠,降低了系统运行成本。

    IGBT模块的测试方法、装置及电子设备

    公开(公告)号:CN111487520B

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202010345768.8

    申请日:2020-04-27

    IPC分类号: G01R31/28

    摘要: 本发明涉及电力电子器件技术领域,具体涉及一种IGBT模块的测试方法、装置及电子设备。其中,方法包括:获取IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值;调用IGBT模块中每一个IGBT芯片的稳态电流的计算函数,每个计算函数用于表示对应的IGBT芯片的稳态电流与所有IGBT芯片的开启电压、饱和电压、额定电流以及所有IGBT芯片上承受的压力之间的数值关系;利用IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值,按照计算函数计算得到IGBT模块中每个IGBT芯片的稳态电流值。本发明通过计算函数计算得到各个IGBT芯片的稳态电流,解决了IGBT模块中各个IGBT芯片稳态电流测试难度大的问题。

    一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置

    公开(公告)号:CN111368464B

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202010340549.0

    申请日:2020-04-26

    IPC分类号: G06F30/20 G06F115/12

    摘要: 本发明公开一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置,所述方法包括:将所述功率半导体器件划分为多个芯片位置;获取所述功率半导体器件中每个所述芯片位置对应的综合应力数据,所述综合应力数据包括电气应力数据、热应力数据和压力应力数据;获取多个候选芯片中每个所述候选芯片的综合极限数据,所述综合极限数据包括电气极限数据、热极限数据和压力极限数据;将多个目标芯片随机与所述多个芯片位置相匹配,所述目标芯片是综合极限数据大于对应芯片位置处的综合应力数据的候选芯片;计算所述多个目标芯片的综合极限数据和所述多个芯片位置对应的综合应力数据的误差;随机更换所述多个目标芯片,以确定使所述误差最小的最佳目标芯片。

    一种压接型IGBT子模组测试适配器及测试设备

    公开(公告)号:CN115561602A

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202110745843.4

    申请日:2021-07-01

    发明人: 代安琪 石浩 王亮

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本发明提供一种压接型IGBT子模组测试适配器及测试设备,压接型IGBT子模组测试适配器包括下夹具;下夹具包括:导电基板,导电基板中具有定位孔阵列,定位孔阵列包括若干个分立的定位孔;定位组件,定位组件包括导电适配件,导电适配件适于放置于定位孔阵列上,导电适配件中设置有第一凹槽,第一凹槽适于放置待测子模组;第一紧固件,第一紧固件适于贯穿第一凹槽侧部的导电适配件并延伸在至少部分个定位孔中。当待测子模组的结构发生变化时无需对整个适配器的结构进行重新设计,提高了适配器的通用性,从而降低了测试成本并缩短了测试时间。

    一种IGBT开关特性测试电路及测试方法

    公开(公告)号:CN111579958A

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN202010431615.5

    申请日:2020-05-20

    IPC分类号: G01R31/26 H02H7/22

    摘要: 本发明公开了一种IGBT开关特性测试电路及测试方法,测试电路包括负载电感电路和直流母线电源,所述直流母线电源与所述负载电感电路以及被测IGBT器件串联;第一开关器件,连接在所述直流母线电源的正极与所述负载电感电路的输出端之间,用于切断或者接通直流母线;电阻R1,第一端连接所述第一开关器件的低压端,第二端与负载电感电路的输入端连接,用于在所述被测IGBT器件和/或所述第一开关器件和/或所述负载电感电路失效时,吸收所述直流母线电源的电量。本发明通过增加了第一开关器件和电阻R1,实现器件测试完成后切断直流母线电容能量释放通道,以及吸收直流母线释放的能量,降低器件失效后烧毁程度,防止失效器件爆炸。

    一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置

    公开(公告)号:CN111368464A

    公开(公告)日:2020-07-03

    申请号:CN202010340549.0

    申请日:2020-04-26

    IPC分类号: G06F30/20 G06F115/12

    摘要: 本发明公开一种功率半导体器件的芯片筛选方法及装置,所述方法包括:将所述功率半导体器件划分为多个芯片位置;获取所述功率半导体器件中每个所述芯片位置对应的综合应力数据,所述综合应力数据包括电气应力数据、热应力数据和压力应力数据;获取多个候选芯片中每个所述候选芯片的综合极限数据,所述综合极限数据包括电气极限数据、热极限数据和压力极限数据;将多个目标芯片随机与所述多个芯片位置相匹配,所述目标芯片是综合极限数据大于对应芯片位置处的综合应力数据的候选芯片;计算所述多个目标芯片的综合极限数据和所述多个芯片位置对应的综合应力数据的误差;随机更换所述多个目标芯片,以确定使所述误差最小的最佳目标芯片。