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公开(公告)号：CN111487520A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010345768.8
申请日：2020-04-27
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及电力电子器件技术领域，具体涉及一种IGBT模块的测试方法、装置及电子设备。其中，方法包括：获取IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值；调用IGBT模块中每一个IGBT芯片的稳态电流的计算函数，每个计算函数用于表示对应的IGBT芯片的稳态电流与所有IGBT芯片的开启电压、饱和电压、额定电流以及所有IGBT芯片上承受的压力之间的数值关系；利用IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值，按照计算函数计算得到IGBT模块中每个IGBT芯片的稳态电流值。本发明通过计算函数计算得到各个IGBT芯片的稳态电流，解决了IGBT模块中各个IGBT芯片稳态电流测试难度大的问题。
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公开(公告)号：CN111487520B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202010345768.8
申请日：2020-04-27
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及电力电子器件技术领域，具体涉及一种IGBT模块的测试方法、装置及电子设备。其中，方法包括：获取IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值；调用IGBT模块中每一个IGBT芯片的稳态电流的计算函数，每个计算函数用于表示对应的IGBT芯片的稳态电流与所有IGBT芯片的开启电压、饱和电压、额定电流以及所有IGBT芯片上承受的压力之间的数值关系；利用IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值，按照计算函数计算得到IGBT模块中每个IGBT芯片的稳态电流值。本发明通过计算函数计算得到各个IGBT芯片的稳态电流，解决了IGBT模块中各个IGBT芯片稳态电流测试难度大的问题。
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公开(公告)号：CN109860283B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN201910040864.9
申请日：2019-01-16
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网湖北省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种IGBT、IGBT背面的制作方法和装置，在N型硅片的背面采用离子注入方式形成场终止层，并对所述场终止层进行激光退火处理；在所述场终止层的底部形成P+集电极层，并依次对有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层进行激光退火处理；在所述有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层的底部分别形成背面金属层，不需要光刻程序，仅需要一次注入即可形成，简化了制作过程，大大提高了制作效率，降低了制作成本。且本发明通过不同激光退火条件实现有源区的P+集电极层和整个背面的P+集电极层激光退火，能够降低终端区P+注入效率，减小过渡区电场积累，提高IGBT可靠性。
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公开(公告)号：CN107452790B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201710702108.9
申请日：2017-08-16
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: H01L29/745 , H01L21/332
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件及其制作方法，其中功率半导体器件包括：第一导电类型的基板；第一掺杂层，设置在基板内，其为与第一导电类型相反的第二导电类型；第二掺杂层，设置在第一掺杂层内，其为第一导电类型；第三掺杂层，设置在第二掺杂层内，其为第二导电类型；控制电极，通过隔离层设置在基板的第一表面上，且隔离层与第一掺杂层、第二掺杂层和第三掺杂层的表面接触；第一电极，设置在基板的第一表面上，且第一电极与第一掺杂层、第二掺杂层和第三掺杂层的表面接触；以及第二电极，设置在基板的第二表面上。当控制电极接负电时，第三掺杂层形成少子的抽取路径，降低了载流子局部浓度，降低第一掺杂层和基板原有掺杂类型层之间的势垒。
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公开(公告)号：CN109671771B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201811379016.2
申请日：2018-11-19
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网湖北省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/265 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种IGBT芯片的背面结构、IGBT芯片结构及制备方法，背面结构包括：缓冲层和掺杂层，掺杂层为在缓冲层进行离子注入形成；终端区及过渡区的掺杂层通过一次高温退火处理；有源区的掺杂层通过两次高温退火处理，实现有源区与终端区的不同空穴注入效率，改善IGBT过渡区存在的电流集中问题，提高可靠性。与现有技术中采用光刻工艺在有源区和终端区背面分别注入不同剂量的掺杂离子来实现有源区与终端区背面集电极不同注入效率的处理方式相比，仅采用了退火工艺，省去了光刻工艺，节约了制造成本。另外在缓冲层注入惰性离子缺陷层，形成缺陷层，使IGBT背面集电极可以采用更高的掺杂浓度，IGBT背面与背面金属容易形成良好的欧姆接触，降低IGBT通态压降。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111458623B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202010307229.5
申请日：2020-04-17
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种半导体芯片的测试装置，包括：箱体，所述箱体包括由导电材料制成的上底板、下底板，以及由绝缘材料制成的多个侧板；其中，所述上底板用于连接低压电源，所述下底板用于连接高压电源；芯片定位块，由导电材料制成，与所述下底板相接触，所述芯片定位块内设置有容置待测芯片的芯片凹槽；低压铜柱，贯穿所述上底板，通过相对于所述上底板的上下运动对位于所述芯片定位块内的待测芯片施加压力；其中所述低压铜柱的下底面尺寸与所述待测芯片的低压电极尺寸相匹配；流体出入口，位于其中两个相对的侧板上，用于供加热的绝缘流体介质流入或流出所述箱体。
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公开(公告)号：CN113629130A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202010386337.6
申请日：2020-05-09
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司厦门供电公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供一种半导体功率器件及其制作方法，半导体功率器件包括半导体层(1)、截止环(2)、有源区(3)、场限环终端(4)和介质层(5)；场限环终端(4)包括多个场限环区域，每个场限环区域包括多个场限环，截止环(2)、有源区(3)和场限环终端(4)设置于半导体层(1)的正面，所述介质层(5)设置于场限环终端(4)的正面，多个场限环区域形成场限环终端，提高了场限环终端(4)的保护效率和半导体功率器件的可靠性；不同场限环承受的电压相当，避免电场集中于有源区主结处或最后一个场限环，大大提高了半导体功率器件的击穿电压，增强了半导体功率器件的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN113097287A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201911333532.6
申请日：2019-12-23
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种IGBT芯片终端结构及IGBT芯片终端结构制作方法，在N型衬底(1)的正面内部形成P型场限环(2)和镇流电阻区(3)；在P型场限环(2)和镇流电阻区(3)正面形成氧化层；在氧化层的正面形成正面金属层(9)，并在N型衬底(1)的背面形成背面结构，镇流电阻区(3)能够避免空穴电流集中和动态闩锁的发生，从而避免IGBT芯片在关断过程中烧毁失效，同时降低终端结构对应背面的P型集电区(11)的掺杂浓度，降低在IGBT芯片关断过程中的空穴电流密度，进一步提高IGBT芯片的抗动态闩锁能力和过电流关断能力。本发明还通过减小场板台阶处的刻蚀角度实现电场强度的降低，提高IGBT芯片在阻断态时的可靠性。
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公开(公告)号：CN112652657A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910959594.1
申请日：2019-10-10
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种沟槽栅型IGBT结构，所述IGBT结构包括：N型参杂发射区(11)、所述P型掺杂深结区(10)、多晶硅假栅极结构(7)；所述多晶硅假栅极结构(7)与所述N型参杂发射区(11)相连，且所述多晶硅假栅极结构(7)的底部插入所述P型掺杂深结区(10)。本发明通过增加多晶硅假栅极结构(7)，降低PNP分量，增强电导调制效应，降低芯片的饱和压降，同时多晶硅假栅极结构(7)与背面金属电极(4)距离近，并与N型掺杂发射区(11)相连，可以有效降低沟槽栅型IGBT芯片元胞区域的传输电容，从而降低IGBT芯片的动态损耗，提升整体性能。
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公开(公告)号：CN112071756A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010783402.9
申请日：2020-08-06
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC: H01L21/331 , H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种功率芯片制备方法以及功率芯片，在N‑漂移层(1)正面形成N型截止环(41)；按照不同掺杂浓度在N‑漂移层(1)正面形成过渡区(3)和P型耐压环(42)；在N‑漂移层(1)正面形成有源区(2)；过渡区(3)靠近有源区(2)的掺杂浓度大于靠近P型耐压环(42)的掺杂浓度，且过渡区(3)靠近有源区(2)的掺杂深度大于靠近P型耐压环(42)的掺杂深度，本发明通过不同的掺杂浓度在N‑漂移层(1)正面形成渐变掺杂的过渡区(3)，有利于改善过渡区的电场分布，可有效降低电场强度，同时降低了IGBT关断时过渡区的空穴电流密度，防止该区域发生热烧毁，提高了过流关断能力，提高了IGBT功率芯片的坚固性。
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