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公开(公告)号：CN111487520B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202010345768.8
申请日：2020-04-27
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及电力电子器件技术领域，具体涉及一种IGBT模块的测试方法、装置及电子设备。其中，方法包括：获取IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值；调用IGBT模块中每一个IGBT芯片的稳态电流的计算函数，每个计算函数用于表示对应的IGBT芯片的稳态电流与所有IGBT芯片的开启电压、饱和电压、额定电流以及所有IGBT芯片上承受的压力之间的数值关系；利用IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值，按照计算函数计算得到IGBT模块中每个IGBT芯片的稳态电流值。本发明通过计算函数计算得到各个IGBT芯片的稳态电流，解决了IGBT模块中各个IGBT芯片稳态电流测试难度大的问题。
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公开(公告)号：CN111487520A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010345768.8
申请日：2020-04-27
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及电力电子器件技术领域，具体涉及一种IGBT模块的测试方法、装置及电子设备。其中，方法包括：获取IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值；调用IGBT模块中每一个IGBT芯片的稳态电流的计算函数，每个计算函数用于表示对应的IGBT芯片的稳态电流与所有IGBT芯片的开启电压、饱和电压、额定电流以及所有IGBT芯片上承受的压力之间的数值关系；利用IGBT模块中每个IGBT芯片的开启电压值、饱和电压值、额定电流值以及每个IGBT芯片上承受的压力值，按照计算函数计算得到IGBT模块中每个IGBT芯片的稳态电流值。本发明通过计算函数计算得到各个IGBT芯片的稳态电流，解决了IGBT模块中各个IGBT芯片稳态电流测试难度大的问题。
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公开(公告)号：CN111693844B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202010797186.3
申请日：2020-08-10
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种压接型半导体器件的测试装置、测试方法及电子设备，其中，测试装置包括：压力传感器，用于检测施加于待测压接型半导体器件上的多组接触压力值；电压表，两端分别与待测压接型半导体器件的集电极和发射极连接，用于检测待测压接型半导体器件集电极与发射极之间的多组正向压降值；固定电流源，与待测压接型半导体器件集电极和发射极分别连接，用于向待测压接型半导体器件提供固定电流；处理器，与压力传感器及所述电压表连接，用于利用多组接触压力值、多组正向压降值、固定电流以及施压面积计算得到待测压接型半导体器件的接触电阻值。本发明无需测量压接型半导体器件的微观参数，测试简单易于操作。
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公开(公告)号：CN111709162B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202010349978.4
申请日：2020-04-28
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: G06F30/23 , G16C60/00 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块中热阻分布计算方法、装置、存储介质及电子设备，该方法包括：建立功率半导体模块的仿真模型；获取功率半导体模块的仿真模型对应的第一总热阻仿真值；对仿真模型中的每一层材料层分别执行以下步骤：在仿真模型中对功率半导体模块的对第i层材料层引入传热系数的调整系数ki，获取对第i层材料层引入调整系数ki后功率半导体模块的第i热阻仿真值；根据公式计算得到第i层材料层在功率半导体模块的热阻占比，从而得到功率半导体模块中的热阻分布。本发明解决了现有技术中对功率半导体模块的热阻分布计算过程复杂的问题，通过建立有限元模型，利用单一变量法计算热阻分布，降低计算误差，提高了计算效率。
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公开(公告)号：CN110829813A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911135190.7
申请日：2019-11-19
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种集成吸收电容的压接型IGBT半桥器件，其特征在于，所述压接型IGBT半桥器件包括第一金属电极、第二金属电极、第三金属电极、第一IGBT单元、第二IGBT单元和电容器组；所述第一金属电极、第一IGBT单元、第三金属电极、第二IGBT单元、第二金属电极依次连接；所述电容器组的两端分别连接第一金属电极和第二金属电极。本发明提供的技术方案采用新型的IGBT半桥器件封装方式，与传统的IGBT半桥模块相比减少了缓冲电路额外造成的寄生电感，有效减少换流回路电压过冲。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110488172A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910628381.0
申请日：2019-07-12
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种大功率IGBT结温检测电路、系统及方法，结温检测电路包括：阻断漏电流-结温检测电路和导通压降-结温检测电路，阻断漏电流-结温检测电路用于进行不同温度下被测IGBT器件的阻断漏电流-结温检测标定；导通压降-结温检测电路用于进行不同温度下被测IGBT器件导通压降-结温检测标定，本发明提供的大功率IGBT结温检测电路、系统及方法，可以作为大功率IGBT器件开关全工况的阻断漏电流-结温检测或导通压降-结温检测，也可以对两种不同的检测方式进行对比测试，其过程不需改变安装条件，可自动完成测试，简单易行高效。
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公开(公告)号：CN115173680A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202110372859.5
申请日：2021-04-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 全球能源互联网研究院有限公司
IPC: H02M1/088
Abstract: 本申请公开了一种多MOSFET并联装置及功率半导体模块。该多MOSFET并联装置包括至少两个并联的结构相同的子模块；所述子模块包括结构相同的第一单元和第二单元；所述第一单元包括MOSFET和碳化硅肖特基二极管；所述碳化硅肖特基二极管与所述MOSFET反向并联；所述第一单元的MOSFET与所述第二单元的MOSFET串联。本申请的多MOSFET并联装置，碳化硅肖特基二极管与MOSFET反向并联，碳化硅肖特基二极管的正的正向压降温度系数能够改善MOSFET的第三象限的并联电流分布，实现电流自动均流，解决了并联的各MOSFET之间电流分布不均衡的问题。
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公开(公告)号：CN111579958B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202010431615.5
申请日：2020-05-20
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网湖北省电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种IGBT开关特性测试电路及测试方法，测试电路包括负载电感电路和直流母线电源，所述直流母线电源与所述负载电感电路以及被测IGBT器件串联；第一开关器件，连接在所述直流母线电源的正极与所述负载电感电路的输出端之间，用于切断或者接通直流母线；电阻R1，第一端连接所述第一开关器件的低压端，第二端与负载电感电路的输入端连接，用于在所述被测IGBT器件和/或所述第一开关器件和/或所述负载电感电路失效时，吸收所述直流母线电源的电量。本发明通过增加了第一开关器件和电阻R1，实现器件测试完成后切断直流母线电容能量释放通道，以及吸收直流母线释放的能量，降低器件失效后烧毁程度，防止失效器件爆炸。
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公开(公告)号：CN113345852A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110580677.7
申请日：2021-05-26
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山西省电力公司检修分公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/49 , H01L23/10 , H01L23/16 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种压接型功率芯片封装结构，包括：第一电极层和第二电极层；功率芯片；位于第一电极层和第二电极层之间且位于功率芯片的侧部的复合连接板，复合连接板包括：第一绝缘板、位于第一绝缘板一侧的第一导电层、位于第一绝缘板背向第一导电层一侧的第二导电层，所述第一导电层和第二导电层均分别与所述第一电极层和第二电极层间隔；栅极通过第一键合线与第一导电层电学连接；发射极通过第二键合线与第二导电层电学连接。所述压接型功率芯片封装结构的开关速度提高、开关损耗减小。
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公开(公告)号：CN113345852B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202110580677.7
申请日：2021-05-26
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山西省电力公司检修分公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提供一种压接型功率芯片封装结构，包括：第一电极层和第二电极层；功率芯片；位于第一电极层和第二电极层之间且位于功率芯片的侧部的复合连接板，复合连接板包括：第一绝缘板、位于第一绝缘板一侧的第一导电层、位于第一绝缘板背向第一导电层一侧的第二导电层，所述第一导电层和第二导电层均分别与所述第一电极层和第二电极层间隔；栅极通过第一键合线与第一导电层电学连接；发射极通过第二键合线与第二导电层电学连接。所述压接型功率芯片封装结构的开关速度提高、开关损耗减小。
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