公开(公告)号：CN107403832A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710617004.8

申请日：2017-07-26

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  胡诗犇 ,  姚日晖 ,  卢宽宽 ,  刘贤哲 ,  郑泽科 ,  章红科 ,  徐苗 ,  王磊 ,  彭俊彪

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/0684

Abstract: 本发明公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管及其用途，该薄膜晶体管其底部是衬底，衬底上设置一栅极，栅极的四周有一绝缘层包覆隔绝，绝缘层之上是有源层，有源层之上是富铟层；该薄膜晶体管的最外层是钝化层，钝化层与富铟层、有源层、绝缘层、衬底围成的区域分别是源电极和漏电极；在本发明的薄膜晶体管中，富铟层提高了载流子浓度和加速载流子的传输，从而提高迁移率；所述的源电极和漏电极含有铜，含铜电极具有低的电阻率，能够有效降低阻抗延迟。本发明的薄膜晶体管使用真空法制备，制备方法简单，有利于大规模生产。所制得的薄膜晶体管同时具有高迁移率、高稳定性和低电阻率源/漏电极的优点。

公开(公告)号：CN105405768A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510932234.4

申请日：2015-12-14

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  胡诗犇 ,  姚日晖 ,  彭俊彪 ,  王磊 ,  徐苗 ,  邹建华 ,  陶洪 ,  兰林锋 ,  黄福祥

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L21/324 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管及其制备方法，属于薄膜晶体管技术领域。该制备方法包括如下步骤，在衬底上依次制备栅极、栅极绝缘层和有源层，然后进行前退火处理，再直流磁控溅射铜铬合金电极作为源漏电极，最后进行后退火处理，得到成品薄膜晶体管；所述前退火处理是在空气气氛中进行前退火，前退火温度为100～500℃，前退火时间为1～120min；以重量百分比计，所述铜铬合金电极中铬元素的含量范围为0.4％～10％；所述后退火处理是在氩气气氛中进行后退火，后退火温度为100～500℃，后退火时间为1～120min。本发明能够克服铜氧化、抑制铜扩散、避免电极脱落及易刻蚀的特点，其所构成的薄膜晶体管具有性能良好的特点。

公开(公告)号：CN104766891B

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201510119566.0

申请日：2015-03-18

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  胡诗犇 ,  朱峰 ,  兰林锋 ,  彭俊彪 ,  王磊

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L21/44

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管的源漏电极，由依次叠设的钼层和铜层构成，所述铜层设于所述钼层的上方；所述钼层设于薄膜晶体管的有源层的上方；所述钼层和钼层的晶格生长方向垂直；所述钼层的厚度为20～40nm；所述铜层的厚度为150～250nm。本发明还公开了上述源漏电极的制备方法及包含上述源漏电极的薄膜晶体管及其制备方法。本发明克服了现有技术中的铜电极容易氧化、铜电极沉积在金属氧化物有源层上之后铜原子向氧化物扩散的缺陷，具有高电导率的特点，还可以实现两层电极之间的应力平衡，使得电极剥离率降低，结合强度得到提高。

公开(公告)号：CN108288643A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201810077682.4

申请日：2018-01-26

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  卢宽宽 ,  彭俊彪 ,  姚日晖 ,  胡诗犇 ,  魏靖林 ,  邓宇熹 ,  邓培淼 ,  周尚雄 ,  袁炜健

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明属于电子器件的技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管栅极及其制备、氧化物薄膜晶体管。所述栅极，由依次叠设的铜合金层和三氧化二铝层组成，且三氧化二铝层靠近薄膜晶体管中栅极绝缘层；所述铜合金层包含铬和锆。方法：(1)在衬底上沉积铜合金薄膜，作为栅极主体层；(2)在铜合金薄膜上沉积三氧化二铝薄膜。氧化物薄膜晶体管由下至上依次包括衬底、铜合金层、三氧化二铝层、栅极绝缘层、有源层、源漏电极。本发明的氧化物薄膜晶体管栅极具有成本低廉，结合强度高，电阻率低，电学稳定性好，工艺简单的优点。

公开(公告)号：CN105607373A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201610076038.6

申请日：2016-02-03

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  朱峰 ,  陶瑞强 ,  胡诗犇 ,  姚日晖 ,  兰林锋 ,  王磊 ,  徐苗 ,  邹建华 ,  陶洪 ,  彭俊彪 ,  吴为敬

IPC: G02F1/15

CPC classification number: G02F1/15

Abstract: 本发明属于光电材料与器件领域，具体公开了一种印刷透明碳纳米管光电薄膜及其在光电器件中的应用。本发明印刷透明碳纳米管光电薄膜中的碳纳米管采用的是尿素或臭氧处理，可以显著提升碳纳米管的光电响应特性；与常规的酸处理和加入表面活性剂的处理碳纳米管的方法相比，不仅可提升性能，而且可以避免腐蚀器件，增加器件可靠性。本发明印刷透明碳纳米管光电薄膜具有更高的光电响应性能，可作为光电材料用于制备光电器件，例如电致变色或远红外成像光电器件，包括近红外激光设备、红外通讯设备、电致变色智能窗等。

公开(公告)号：CN107369706A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201710582067.4

申请日：2017-07-17

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 姚日晖 ,  卢宽宽 ,  彭俊彪 ,  宁洪龙 ,  胡诗犇 ,  陶瑞强 ,  刘贤哲 ,  陈建秋 ,  徐苗 ,  王磊

IPC: H01L29/49 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L21/28506 ,  H01L29/4958

Abstract: 本发明属于电子器件材料制备技术领域，公开了一种显示用电子器件铜合金电极及其制备方法。所述方法包括如下制备步骤：(1)在衬底上沉积20～1000nm厚度的铜合金薄膜作为导电主体层；(2)在铜合金薄膜上沉积5～200nm厚度的纯铝薄膜作为缓冲阻挡层。步骤(1)和步骤(2)完成后可选择性在温度100～500℃的条件下进行退火0.5～2h。所述铜合金薄膜的材料成分包括铜、铬和锆。本发明制备的铜合金电极具有高结合强度，低电阻率，与绝缘层兼容性好，工艺简单，成本低廉的优点。

公开(公告)号：CN106449425A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610861206.2

申请日：2016-11-15

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 姚日晖 ,  卢宽宽 ,  宁洪龙 ,  胡诗犇 ,  陶瑞强 ,  蔡炜 ,  王磊 ,  徐苗 ,  彭俊彪 ,  吴为敬

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L21/4846 ,  H01L23/49866

Abstract: 本发明公开了一种显示用电子器件高导互连电极及其制备方法。制备方法包括如下步骤：(2)在温度100-500℃的条件下进行退火；(3)在铜合金薄膜上沉积纯铜薄膜；在温度100-500℃的条件下进行退火。本发明方法所制备的导电电极具有结合强度高，电阻率低，制备工艺简单的特点。(1)在衬底上沉积铜合金薄膜作为粘附阻挡层；

公开(公告)号：CN207282498U

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201721312560.6

申请日：2017-10-12

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  刘贤哲 ,  姚日晖 ,  胡诗犇 ,  张啸尘 ,  李晓庆 ,  张建东 ,  徐苗 ,  王磊 ,  彭俊彪

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本实用新型属于显示器件领域，公开了一种非晶氧化物柔性薄膜晶体管。所述薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、聚酰亚胺柔性基底层、SiO2缓冲层、源/漏电极、非晶掺硅氧化锡有源层、SiO2栅绝缘层，Si3N4栅绝缘层和栅极构成；其中，源/漏电极位于有源层和SiO2栅绝缘层两侧，Si3N4栅绝缘层覆盖于SiO2栅绝缘层上表面并与源/漏电极接触。本实用新型的TFT器件将功能层置于层叠结构的中心面，在弯曲时使得功能层(有源层)受到最低应力或者无应力，具有较强的抗弯折特性，可促进柔性电子器件的发展。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN206697449U

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201720367604.9

申请日：2017-04-10

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 彭俊彪 ,  卢宽宽 ,  宁洪龙 ,  姚日晖 ,  胡诗犇 ,  魏靖林 ,  邹建华 ,  陶洪 ,  徐苗 ,  王磊

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本实用新型属于电子器件技术领域，公开了一种显示用电子器件高导电联耦合电极。所述电极由依次层叠的衬底、粘附阻挡层和导电层构成，所述粘附阻挡层为厚度为5～200nm的铜合金薄膜层，所述导电层为厚度为5～1000nm的纯铜薄膜层。本实用新型制备的高导电联耦合电极在衬底和纯铜薄膜导电层之间设置铜合金粘附阻挡层，起到了增强结合强度和阻挡铜原子扩散的双重作用。所得高导电联耦合电极具有与基板结合强度高、电阻率低的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207217551U

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201721070207.1

申请日：2017-08-25

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 宁洪龙 ,  卢宽宽 ,  姚日晖 ,  胡诗犇 ,  刘贤哲 ,  郑泽科 ,  章红科 ,  徐苗 ,  王磊 ,  彭俊彪

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L21/44

Abstract: 本实用新型公开了一种氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极。所述的氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极包括依次沉积在有源层上的刻蚀缓冲层、黏附阻挡层和纯Cu电极层；所述刻蚀缓冲层为碳膜，所述黏附阻挡层为钛膜，所述纯Cu电极层为纯Cu薄膜。本实用新型中通过引入C膜作为刻蚀缓冲层，可避免刻蚀纯铜源漏电极时对氧化物有源层的破坏，同时可以避免铜刻蚀时双氧水基刻蚀液使用，降低生产成本和安全风险。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利