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公开(公告)号：CN112531112A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011397209.8
申请日：2020-12-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种超高增益有机薄膜晶体管及其制备方法。该有机薄膜晶体管包括衬底、介电层、半导体沟道层和源/漏电极，其中介电层为铁电性氧化物薄膜，半导体沟道层为有机分子薄膜。其制备方法包括如下步骤：在衬底表面生长铁电性氧化物薄膜作为介电层；在介电层表面生长有机分子薄膜作为半导体沟道层；制备源/漏电极。本发明采用铁电性氧化物作为介电层，其引入的负电容效应在有机薄膜晶体管中打破了玻尔兹曼极限，获得了室温下小于60mV/dec的亚阈值摆幅和大于38.7S/A的跨导效率，本征增益达到4.7×104，比已报导结果高一个量级以上。该有机薄膜晶体管还可制备在柔性衬底上，在柔性低功耗电路、皮肤电子、射频标签、显示驱动等领域具有广泛的潜在应用。
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公开(公告)号：CN112530989A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011394499.0
申请日：2020-12-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种超高增益有机放大器及其制备方法。该超高增益有机放大器由一个驱动晶体管和一个负载晶体管串联构成，其中负载晶体管的栅极与源极短接；驱动晶体管和负载晶体管的栅极介电层为铁电性氧化物薄膜，半导体沟道层为有机分子薄膜。其制备方法包括：在衬底上制备局域栅极金属层；在局域栅极金属层表面生长铁电性氧化物薄膜作为介电层；制备半导体层和电极层。该超高增益有机放大器可以在3V工作电压下实现超过10000的电压增益，1V工作电压下实现4000的增益，同时，可以实现电池供电。该超高增益的有机放大器亦可在柔性衬底上实现。另外，该有机放大器可用于各类微小信号的检测和放大。
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公开(公告)号：CN112510166A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011299501.6
申请日：2020-11-19
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种有机发光超晶格薄膜及其制备方法和应用，属于有机半导体光电材料领域。该有机发光超晶格薄膜为由两种二维有机分子在衬底表面交替外延生长形成的有机发光薄膜，二维有机分子选自苝‑3,4,9,10‑四羧酸二酐、N,N'‑二甲基‑3,4,9,10‑苝四甲酰二亚胺、N,N'‑二辛基‑3,4,9,10‑苝二甲酰亚胺和3,4,9,10‑四甲酰二亚胺。其制备方法为：将第一种二维有机分子的生长源材料和衬底置于管式炉不同位置，在衬底表面外延生长第一层有机发光薄膜；将生长源材料替换为第二种二维有机分子，生长第二层有机发光薄膜；重复替换生长源材料，交替生长出多层有机发光薄膜，即得有机发光超晶格薄膜。该有机发光超晶格薄膜具有高质量、高发光强度，可用作有机发光场效应晶体管的发光层。
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公开(公告)号：CN112501555A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011299451.1
申请日：2020-11-19
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种单层二硫化钼薄膜的制备方法，属于二维纳米材料技术领域。该单层二硫化钼薄膜采用双管管式炉制备，制备过程包括如下步骤：将硫源、衬底置于管式炉的外管中，分别加热硫源、衬底至第一温度和第三温度；将二硫化钼源置于管式炉的内管中，加热二硫化钼源至第二温度，第二温度为500℃～550℃；通过外管引入第一路载气、引导硫蒸汽至衬底；通过内管引入第二路载气、引导二硫化钼蒸汽至衬底，在衬底上外延生长出单层二硫化钼薄膜；第二路载气含有氧气。本发明的方法可以使钼源(二硫化钼)在较低温度下分解，与现有方法中需将钼源加热并维持在生长温度(1000℃以上)相比，大大降低了钼源温度，可快速低成本地制备出单层二硫化钼薄膜。
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公开(公告)号：CN109234680A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811310771.5
申请日：2018-11-06
Applicant: 南京大学
IPC: C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/02 , H01L41/45 , H01L41/193
Abstract: 本发明公开一种超薄层状有机分子铁电薄膜的制备方法以及该铁电薄膜的应用，该铁电薄膜的制备方法为：将石墨烯或氮化硼的二维层状材料转移到硅片表面、作为衬底，并以高氯酸咪唑粉末作为生长源；将生长源和衬底置于管式炉的石英管中，两者间隔距离放置，对石英管抽真空；启动管式炉，加热炉体至生长源位置处温度为100～110℃、保温1～2h，生长源通过气相挥发，在石墨烯或氮化硼上沉积形成高氯酸咪唑铁电薄膜。通过有机分子薄膜之间以及有机分子与衬底之间微弱的范德瓦尔斯力作用，采用气相沉积，可得到分子级厚度的超薄层铁电薄膜，并在超薄层薄膜中发现优良的铁电性，其厚度最小可为单分子层(1.2nm)，可应用于铁电场效应晶体管、铁电存储器等电子元器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102491252B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201110373244.0
申请日：2011-11-22
Applicant: 南京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种离散纳米材料选择性排列的方法，1）将清洗干净的衬底，典型的为硅衬底进行氧化，表面得到一层硅氧化物；2）将氧化后的硅片放入十八烷基三氯硅烷的C6-C8烃的溶液中，硅氧化物上生长一层非极性的OTS自组装单分子膜；3）利用激光通过位相光栅在硅衬底上目标区域选择性刻蚀非极性的OTS自组装单分子膜；4）将刻蚀后的硅衬底放入3-三乙氧基甲硅烷基-1-丙胺的甲醇溶液中，原被激光刻蚀掉的区域即生长上极性的APS自组装单分子膜，在目标区域形成极性和非极性的间隔区域；5）将修饰过的衬底浸入纳米线或纳米材料悬浮液中提升，纳米线或纳米材料按规则排列在目标极性区域内，实现离散半导体纳米线选择性排列。具有应用价值。
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公开(公告)号：CN103824938A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410075803.3
申请日：2014-03-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供了一种阻变存储器结构及其制备方法。本发明的阻变存储器结构的底电极和/或顶电极为石墨烯。本发明还提供了上述阻变存储器结构的制备方法，其包括利用石墨烯制备阻变存储器结构的底电极和/或顶电极的步骤。本发明所提供的阻变存储器结构以大面积的石墨烯作为器件的底电极和/或顶电极，代替传统的金属，由此制作得到的含有石墨烯的阻变存储器件，与传统金属/氧化物/金属器件相比，开启和关闭功耗分别能够大大降低，并保持开关比、循环次数等方面性能相当。在透明柔性的聚萘二甲酸乙二醇酯衬底上制作上述器件结构，能够得到透明、可弯折的超低功耗柔性透明阻变存储器。
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公开(公告)号：CN102544136A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210008553.2
申请日：2012-01-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种纳米材料电子与光电子器件，器件的结构包括衬底、下电极、纳米材料、绝缘介电层和上电极五个部分，所述的绝缘介电层选择金属氧化技术获得绝缘介电层，上下电极与纳米材料形成良好的电学接触，绝缘介电层在上下电极之间，保证电荷通过上下电极流经纳米材料。本发明通过对纳米材料加工，形成有效的电极接触，实现其电子和光电子方面的功能。本发明方法避免复杂而昂贵的微加工工艺，可实现纳米器件低成本、大批量的加工。
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公开(公告)号：CN115710749B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202211324028.1
申请日：2022-10-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属硫族化合物单晶薄膜的制备方法及装置，所述制备方法通过高活性的反应气体与固态金属源进行原位表面反应得到气态金属源，接着与含有硫族元素的气体源在衬底表面进行气相反应，生长得到过渡金属硫族化合物单晶薄膜；通过高形核密度和高生长速率实现薄膜的快速生长；采用该制备方法的装置，将衬底从进样室传送至外延腔室，在温度恒定的外延腔室进行批量化材料生长，样品由外延腔体传输到取样室进行降温冷却，避免了外延腔室升降温过程带来的时间和能源消耗，实现了过渡金属硫族化合物单晶薄膜的不间断、批次生长和传输，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN118917368A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410956818.4
申请日：2024-07-16
Applicant: 南京大学
IPC: G06N3/0495 , G06N3/084
Abstract: 本申请公开了一种稀疏神经网络的矢量近似更新方法及应用，方法包括获取神经网络中待更新的权重参数的精确梯度参数，得到精确梯度信息；为矩阵结构中同行的多个权重参数以及同列的多个权重参数构建相同的更新脉冲；构建操作矩阵变量；基于操作矩阵变量构建梯度矩阵变量；以精确梯度矩阵为梯度矩阵变量的目标，拟合求解操作矩阵变量，得到最优操作矩阵；基于所述最优操作矩阵，更新所述权重矩阵的权重参数。本申请的矢量近似更新方法全程无需对稀疏信息进行外部索引，大大降低了稀疏训练过程中的时间开销和能耗开销；在稀疏神经网络更新过程中具有媲美传统的逐个单元更新的精确更新算法的更新精度和训练效果。
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