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公开(公告)号：CN117976794A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410076919.2
申请日：2024-01-19
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
摘要： 本发明公开了一种Micro LED的钝化层，所述Micro LED为具有金属反射镜的阵列结构，金属反射镜作用为改变出光路径，钝化层包覆金属反射镜并填充Micro LED阵列间沟槽，钝化层材料为有机物。本发明还公开了包含钝化层的Micro LED。有机物制备钝化层的过程处于常温、常压的大气环境中，最大程度的减小金属迁移及氧化现象；本发明公开的钝化层具有良好的绝缘性、热稳定性、粘结性、高透光率和较好的机械性能，适用于金属反射镜的隔离及绝缘钝化，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN114122218A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202210076426.X
申请日：2022-01-24
申请人： 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌大学
摘要： 本发明公开了一种具有全方位反射电极的GaN基LED芯片，所述芯片从下至上依次包括基板、键合金属层、全方位反射电极、量子阱有源层、P型GaN层、上电极，所述全方位反射电极由依次接触的N型GaN层、低折射率介质层、高光反射金属层组成，所述低折射率介质层经腐蚀处理后，和高光反射金属层二者复合形成导电结构，本发明还公开了该GaN基LED芯片的制备方法。本发明有效减少了上电极正下方无效的电流注入，减小了上电极对正下方发光区域的遮挡，可以同时兼顾芯片的电流扩展性能和高光反射性能，最终提升GaN基LED芯片的光提取效率。
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公开(公告)号：CN112242465A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010932387.X
申请日：2020-09-08
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有增强出光p型层的氮化物半导体发光二极管，依次包括基板，设置于基板之上的n型层，产生六棱锥凹坑构造的准备层，含有六棱锥凹坑的单量子阱或多量子阱结构的发光层和p型层。所述p型层完全填充产生于准备层并贯穿发光层的六棱锥凹坑，同时高于发光层平面之上的厚度介于0nm‑‑30nm之间。此结构既能实现空穴经由六棱锥凹坑侧壁高效率地注入至发光层，同时可有效减少p型层对发光层发出的光的吸收，并减少p型层侧面的出光，从而提升氮化物发光二极管的电光转换效率和正面出光比例。
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公开(公告)号：CN118782696A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410931016.8
申请日：2024-07-12
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
摘要： 本申请提供了一种基于硅衬底GaN基外延片制备Micro LED微显示模组的方法。所述方法包括：在硅衬底GaN基外延片上获得GaN阵列，在GaN阵列上制备金属凸点点阵，像素区以外制作四周环状金属，在金属凸点点阵的间隙，及四周环状金属以外的区域制备第一特种光刻胶层，制成硅衬底GaN基Micro LED芯片；在CMOS驱动基板上制备像素区金属凸点点阵，像素区以外的区域覆盖金属，在像素区金属凸点点阵的间隙制备第二特种光刻胶层；硅衬底GaN基Micro LED芯片与CMOS驱动基板对准键合；湿法去除芯片端的硅衬底；制备CMOS驱动基板的焊盘，制成Micro LED微显示模组。本发明采用湿法去除GaN基Micro LED芯片的硅衬底，保护CMOS驱动基板不受酸腐蚀液侵蚀，成本低，腐蚀速度快，可批量操作。
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公开(公告)号：CN118073394A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410328160.2
申请日：2024-03-21
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
摘要： 本发明提供一种Micro‑LED全彩显示器及其制备方法，其中Micro‑LED全彩显示器的制备方法，通过在同一衬底上集成多个颜色控制单元，并通过多个颜色控制单元分别控制红、绿、蓝三种光，再通过单片集成的方式将芯片阵列集成于电路基板，可以避免使用巨量转移技术或者颜色转换技术来实现全彩显示，简化了集成工艺的复杂性。此外，在芯片阵列制备时通过选择性刻蚀暴露出不同颜色控制单元的阳极接触面，且每颗颜色控制单元的发光层均相互独立，互不相连，所有的颜色控制单元都通过共用外延底部不刻断的N型半导体层导电并形成共阴连接，使得芯片阴极接触面只需要通过与外延底部不刻断的N型半导体层进行连线，即可实现阴极接触面的布线，进而简化了布线工艺。
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公开(公告)号：CN108305920B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201810193977.8
申请日：2018-03-09
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种氮化物发光二极管，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，在所述第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层处还设有倒六角锥结构，所述第一多量子阱层是由InxGa(1‑x)N量子阱、GaN势垒、AlyGa(1‑y)N势垒和GaN势垒依次组成的周期结构。本发明可有效调控空穴在多量子阱中分布、使空穴和电子更为有效地分布到部分量子阱中、从而改善空穴和电子的匹配度、提升发光效率。
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公开(公告)号：CN116895681A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310803186.3
申请日：2023-07-03
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种Micro‑LED全彩显示模组及制备方法，在一块驱动基板上集成有能自发白光的Micro‑LED阵列，每个像素均能独立地控制自发白光的Micro‑LED开关和亮度。这些自发白光的Micro‑LED被分成三组，其中第一组自发白光的Micro‑LED表面上设置有红色光子晶体滤波膜，第二组自发白光的Micro‑LED表面上设置有绿色光子晶体滤波膜，第三组自发白光的Micro‑LED表面上设置有蓝色光子晶体滤波膜。使自发白光的Micro‑LED经过滤波膜后发出的光分别为红色、绿色和蓝色，作为发光像素。红色、绿色、蓝三组像素均形成二维周期性排列，使每个周期内均包含有至少一个红色、一个绿色和一个蓝色像素，从而构成全彩像素。本发明能够降低Micro‑LED全彩显示像素转移难度，提高Micro‑LED全彩显示的色纯度和稳定性。
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公开(公告)号：CN116364800A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310083226.1
申请日：2023-02-08
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/0304
摘要： 本发明公开了一种兼具响应度和响应速度的InGaN可见光探测器外延结构，生长全过程是在MOCVD设备中进行的，外延结构包括衬底、依次形成于衬底之上的缓冲层、n型GaN层、V形坑开启层、InGaN/GaN量子阱层、p型AlxGa1‑xN层和p型GaN层；其中，在V形坑开启层沿着位错线开启V形坑，V形坑包含平台和侧壁，InGaN/GaN量子阱层在V形坑侧壁的In组分小于平台。InGaN量子阱层在V形坑侧壁的厚度相比平台更薄，可以缩短光生载流子的传输距离，并且光生载流子在V形坑的有源区中更容易分离，可以加快光生载流子离开有源区的速度，从而达到提高响应速度的目的，同时，V形坑的存在使得耗尽层加厚，增加了对光的有效吸收和光生载流子的收集效率，光电流增大，进而提高响应度。
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公开(公告)号：CN114530535A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210047002.0
申请日：2022-01-17
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化镓基垂直结构发光二极管及其制造方法，从下至上依次包括：支撑基板、键合金属层、P型电极、P型半导体层、量子阱发光层、N型半导体层、缓冲层及N型电极，其中，缓冲层具有贯穿的V型孔洞结构；N型半导体完全填充缓冲层的V型孔洞；N型电极与V型孔洞内的N型半导体接触，形成欧姆接触。在Si衬底上生长具有V型孔洞贯穿的缓冲层，然后生长高掺杂的N型半导体层，并且缓冲层的V型孔洞被N型半导体完全填充，该结构的组合保证了器件良好的N型欧姆接触特性的同时，保留了高强度的缓冲层，可实现具有超薄外延层的氮化镓基垂直结构发光二极管的制造。
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公开(公告)号：CN113471060A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110583269.7
申请日：2021-05-27
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种减少硅衬底上AlN薄膜微孔洞的制备方法，包括硅衬底预处理和在经过预处理的硅衬底上生长AlN薄膜，生长AlN薄膜过程中掺杂原子半径比Al原子半径大的Mg原子。本发明一方面利用Mg原子在生长过程中对AlN薄膜形成压应力，使AlN薄膜不易形成微孔洞，另一方面利用Mg原子在AlN中易团聚形成间隙原子填充微孔洞，从而大幅降低硅衬底上AlN薄膜微孔洞的生成。本发明的制备方法工艺简单，可实现高稳定性、高重复性的硅衬底AlN外延材料制备，解决了现有技术中AlN薄膜由于Al原子迁移弱、AlN与硅衬底之间的张应力大等导致孔洞多的问题。
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