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公开(公告)号：CN104425368A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410006825.4
申请日：2014-01-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76811 , H01L21/0337 , H01L21/31111 , H01L21/31122 , H01L21/31144 , H01L21/76816 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及通孔限定方案。本发明的方法包括在第一介电层上方限定金属图案化层。第一介电层设置在蚀刻停止层上方，且蚀刻停止层设置在第二介电层上方。在金属图案化层和第一介电层上方生长间隔层。在第一介电层中形成具有金属宽度的金属沟槽。在第二介电层中形成具有通孔宽度的通路孔。
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公开(公告)号：CN104157565A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201310682235.9
申请日：2013-12-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/3105 , G03F7/20
CPC classification number: H01L21/0274 , H01L21/31144 , H01L21/76811 , H01L21/76895 , H01L2221/1021
Abstract: 本发明提供了一种方法，该方法包括：在衬底上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上方形成第二光刻胶层；以及对第一光刻胶层和第二光刻胶层执行电子束（e-beam）光刻曝光工艺，从而在第一光刻胶层中形成第一潜在部件和在第二光刻胶层中形成第二潜在部件。
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公开(公告)号：CN104656368B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201410677613.9
申请日：2014-11-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种低EUV反射率掩模包括低热膨胀材料(LTEM)层，位于第一区中的LTEM层上方的低EUV反射率(LEUVR)多层，位于第二区中的LTEM层上方的高EUV反射率(HEUVR)多层以及位于LEUVR多层和HEUVR多层上方的图案化的吸收层。本发明还涉及远紫外光刻工艺和掩模。
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公开(公告)号：CN108227396A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711038936.3
申请日：2017-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 光刻系统包括配置为生成极紫外线(EUV)光的辐射源。光刻系统包括限定集成电路(IC)的一个或多个部件的掩模。光刻系统包括配置为将EUV光引导到掩模上的照射器。掩模将EUV光衍射成0级光和多个更高级光。光刻系统包括配置为固定的晶圆的晶圆台，其中，根据由掩模限定的一个或多个部件来图案化该晶圆。光刻系统包括位于定位在掩模和晶圆台之间的光瞳面中的光瞳相位调制器。光瞳相位调制器配置为改变0级光线的相位。本发明还提供了印刷低图案密度部件的改进极紫外线光刻系统、器件及方法。
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公开(公告)号：CN104914677B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201410258190.7
申请日：2014-06-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/72 , G03F1/24 , G03F7/701 , G03F7/70191 , G03F7/7065
Abstract: 本发明提供了用于超紫外线光刻(EUVL)工艺的方法的一个实施例，该方法包括将掩模装载到光刻系统。该掩模包括缺陷修复区，且该掩模限定了位于其上的集成电路(IC)图案。该方法也包括根据IC图案在照明模式中设置光刻系统的照明器，根据照明模式在光刻系统中配置光瞳滤波器，以及在照明模式中通过光刻系统对具有掩模和光瞳滤波器的目标实施光刻曝光工艺。本发明也提供了制造具有增强的缺陷可修复性的集成电路的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104916530B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201510111358.6
申请日：2015-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31058 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/76816 , H01L29/66795
Abstract: 本发明提供一种形成集成电路的图案的方法。该方法包括在衬底上方形成第一层，其中，第一层的蚀刻速率对诸如远紫外(EUV)辐射或电子束(e‑束)的辐射敏感。该方法进一步包括：在第一层上方形成光刻胶层，并且使光刻胶层暴露于辐射以用于图案化。在暴露期间，第一层的多个部分响应于其中接收的辐射的能量剂量而改变它们的蚀刻速率。该方法进一步包括：显影光刻胶层，蚀刻第一层，并且蚀刻衬底以形成图案。第一层的辐射敏感性用于减小图案的临界尺寸变化。本发明涉及用于集成电路图案化的方法。
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公开(公告)号：CN104914678B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201410449045.7
申请日：2014-09-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70233 , G02B17/06
Abstract: 本发明提供了一种超紫外线光刻系统。该超紫外线光刻系统包括将掩模的图案成像到晶圆上的投影光学系统。该投影光学系统包括两个到五个平面镜。该两个到五个平面镜设计并配置为具有小于约0.50的数值孔径，晶圆上的图像域尺寸大于或等于约20mm，并且具有包括中心遮拦的光瞳平面。在实例中，中心遮拦具有的半径小于或等于光瞳平面的半径的50％。在实例中，中心遮拦具有的面积小于或等于光瞳平面的面积的25％。
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公开(公告)号：CN104950589B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201510122477.1
申请日：2015-03-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70133 , G03F7/701 , G03F7/70141
Abstract: 公开了一种用于调整曝光强度来减少不期望的光刻效果的方法和系统。在一些示例性实施例中，光刻方法包括接收掩模和工件。确定照明图案相对于掩模的定向，以及根据该定向调整照明图案的强度分布。根据照明图案和强度分布将掩模暴露于辐射。利用产生自曝光掩模的辐射来曝光工件。在一些这种实施例中，强度分布包括横跨照明图案的照明的区域变化的强度。本发明还涉及通过调整曝光强度减少极不平衡的方法和系统。
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公开(公告)号：CN105319860A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510193413.0
申请日：2015-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/2002 , G02B26/06 , G03F7/20 , G03F7/70258 , G03F7/70308 , G03F7/7065
Abstract: 根据一些实施例，本发明提供了一种缓解用于ID图案的缺陷适印性的方法。该方法包括：将掩模加载至光刻系统，掩模包括一维集成电路(IC)图案；利用光刻系统中的光瞳相位调制器来调制从掩模衍射的光的相位；以及利用掩模和光瞳相位调制器，在光刻系统中对目标执行光刻曝光工艺。
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公开(公告)号：CN104950589A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510122477.1
申请日：2015-03-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70133 , G03F7/701 , G03F7/70141
Abstract: 公开了一种用于调整曝光强度来减少不期望的光刻效果的方法和系统。在一些示例性实施例中，光刻方法包括接收掩模和工件。确定照明图案相对于掩模的定向，以及根据该定向调整照明图案的强度分布。根据照明图案和强度分布将掩模暴露于辐射。利用产生自曝光掩模的辐射来曝光工件。在一些这种实施例中，强度分布包括横跨照明图案的照明的区域变化的强度。本发明还涉及通过调整曝光强度减少极不平衡的方法和系统。
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