公开(公告)号：CN109507849A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201711219782.8

申请日：2017-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡明训

IPC: G03F7/20

Abstract: 本公开实施例提供极紫外光光刻系统。此系统包含极紫外光扫描模块，极紫外光收集器用于收集极紫外光辐射并将其引导至极紫外光扫描模块，液滴产生器用于产生熔融态金属的液滴，脉冲激光产生器作用于熔融态的金属液滴，以产生作为极紫外光辐射来源的等离子体，以及靶材供料系统。靶材供料系统包含用于容纳金属的容器，加热装置配置为加热容器内的金属至高于金属的熔化温度的温度，以及供料管具有连接至容器的上游端与和连接至液滴产生器的下游端，使得容器与液滴产生器流体连通。

公开(公告)号：CN115529707A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210102013.4

申请日：2022-01-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宇桓 ,  黄昱智 ,  蔡明训 ,  简上傑 ,  刘恒信

IPC: H05G2/00

Abstract: 一种极端紫外线辐射源、靶液滴源以及其产生激光电浆的方法，用于极端紫外线源的靶液滴源包括液滴产生器，该液滴产生器用以产生给定材料的靶液滴。液滴产生器包括用以在由腔室封闭的空间中供应靶液滴的喷嘴。在一些实施例中，喷嘴管布置在液滴产生器的喷嘴内，且喷嘴管包括用以向靶液滴提供角动量的结构化喷嘴图案。

公开(公告)号：CN115524935A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210612169.7

申请日：2022-05-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑乔华 ,  余昇刚 ,  简上傑 ,  颜炜峻 ,  刘恒信 ,  蔡明训 ,  罗煜发 ,  陈立锐 ,  程薇心 ,  吴政轩 ,  赖政豪 ,  孙于洸 ,  陈宇桓

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种半导体制造系统及其检测极紫外辐射源的方法，在检测极紫外(EUV)辐射源的方法中，在空闲模式期间，安装在固定装置上的管道镜通过第一开口插入EUV辐射源的腔室中。管道镜包含在第一端处附接至照相机的连接电缆。固定装置包含自第一侧安装在导螺杆上的可延伸区部，且管道镜的照相机安装在可延伸区部的与第一侧相对的第二侧上。使可延伸区部延伸以将照相机移动至EUV辐射源的腔室内部。一个或多个影像由照相机在一个或多个查看位置处自EUV辐射源的腔室内部获取。分析一个或多个获取的影像以确定沉积在EUV辐射源的腔室内部的锡碎屑量。

公开(公告)号：CN113759673A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202111049711.4

申请日：2021-09-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡明训 ,  罗煜发 ,  简上傑

IPC: G03F7/20

Abstract: 极紫外光室、用于与极紫外光室使用的组件及其使用方法在此叙述。组件包括环体结构。环体结构包括外环体及于外环体径向之内的内环体。组件还包括真空接口，其用以连接且接触内环体，其中内环体具有开口，开口的大小可调整使一个装置可穿过并进入真空接口。

公开(公告)号：CN110653221A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910560150.0

申请日：2019-06-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦勳 ,  蔡明训 ,  王绍华 ,  张汉龙 ,  陈立锐 ,  陈家桢

IPC: B08B7/00 ,  B08B13/00

Abstract: 一种清洗极紫外(EUV)辐射源设备的方法，其中EUV辐射源设备包括用于在腔室内生成金属靶液滴的靶液滴产生器，以及干冰喷射组件。干冰喷射组件具有设置在腔室内部的喷射喷嘴及干冰支承构件。清洗方法包括以下步骤：形成包括来自干冰喷射组件的干冰支承构件的干冰颗粒及加压气流的加压干冰颗粒，接着，将加压干冰颗粒经由喷射喷嘴朝向靶液滴产生器的喷嘴处的残余材料喷出。从靶液滴产生器去除残余材料，以及收集残余材料及来自加压干冰颗粒的升华气态二氧化碳。

公开(公告)号：CN115494701A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210292606.1

申请日：2022-03-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖政豪 ,  蔡明训 ,  陈鑫封 ,  程薇心 ,  孙于洸 ,  吴政轩 ,  简上傑 ,  陈立锐 ,  刘恒信

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种半导体制程工具的操作方法及其辐射源。本文中所描述的一些实施方式提供了用于极紫外(EUV)辐射源的技术及设备，该极紫外辐射源包含防后溅系统，以减少、最小化及/或防止在收集器流动环的隧道结构中形成可能会以其他方式由锡(Sn)卫星的累积引起的Sn堆积。这种情况减少了Sn至EUV辐射源的收集器上的后溅，增加了收集器的操作寿命(例如通过增加收集器的清洗及/或更换之间的持续时间)，减少了EUV辐射源的停机时间，且/或使得EUV辐射源的效能能够维持较长的持续时间(例如通过减小、最小化及/或防止收集器的Sn污染率)以及其他范例。

公开(公告)号：CN115236942A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210669300.3

申请日：2022-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡明训 ,  赖政豪 ,  简上杰 ,  陈立锐 ,  刘恒信

IPC: G03F7/20

Abstract: 本公开涉及用于半导体处理工具的检查工具和使用方法。本文描述的晶圆台检查工具能够定位在晶圆台上方，同时晶圆台定位在光刻系统的曝光工具的底部模块中。晶圆台检查工具能够快速评估晶圆台上的表面结节状况，并且评估清洁表面结节的清洁操作的清洁性能。

公开(公告)号：CN115047718A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210203606.X

申请日：2022-03-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑乔华 ,  孙于洸 ,  程薇心 ,  陈宇桓 ,  蔡明训 ,  赖政豪 ,  吴政轩 ,  罗煜发 ,  简上傑 ,  刘恒信 ,  陈立锐 ,  余昇刚

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种极紫外辐射源与半导体制程方法，本文中的一些实施包括侦测电路及快速且准确的联线方法，用于侦测极紫外曝光工具的液滴产生器头上的阻塞，而不影响经由液滴产生器头的靶材液滴的流动。在本文描述的一些实施中，侦测电路包括以开路组态组态的开关电路，其中开关在两个电极元件之间电断开。当靶材在液滴产生器头上的两个或两个以上电极元件之间发生聚积时，该聚积用作将侦测电路闭路的开关。控制器可侦测侦测电路的闭路。

公开(公告)号：CN114911137A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202110690854.7

申请日：2021-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 孙于洸 ,  赖政豪 ,  陈宇桓 ,  程薇心 ,  蔡明训 ,  陈鑫封 ,  郑乔华 ,  吴政轩 ,  罗煜发 ,  简上傑 ,  陈立锐 ,  刘恒信

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种极紫外微影系统及其操作的方法，操作极紫外微影系统的方法使用激光照射液滴而产生极紫外光。极紫外微影系统包括具有喷嘴的液滴产生器以及耦合至喷嘴的压电结构。液滴产生器输出液滴组。控制系统施加电压波形至压电结构，同时喷嘴输出液滴组。此电压波形使液滴组的液滴具有速度分布，导致液滴组的液滴在被激光照射之前聚结成一个液滴。

公开(公告)号：CN110658691A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910537974.6

申请日：2019-06-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡明训 ,  李秉承 ,  陈彦勳

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种耦合到用于处理极紫外辐射的腔室的装置，即极紫外辐射光源装置，其包括配置以将来自腔室的排气引导到燃烧区域中的气体入口。燃烧区域被配置以无焰地点燃排气。空气入口被配置以将空气和燃料的混合物引导到燃烧区域中。控制阀被配置以改变从燃烧区域排出的流体体积。控制器被配置以控制控制阀以防止燃烧区域内的压力超过预设压力值。