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公开(公告)号：CN116475418B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310479246.0
申请日：2023-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B22F3/24 , B23B51/00 , B22F5/00 , B22F7/06 , C23C14/34 , C23C14/10 , G01K7/02 , G01K1/14 , G01K1/143 , E21B10/46
Abstract: 带有嵌入式薄膜热电偶阵列聚晶金刚石刀具的制备方法，本发明的目的是为了解决针对聚晶金刚石刀具传统的接触式测温中热电偶距离刀尖太远难以获得精确瞬态温度值的问题。制备方法：一、在聚晶金刚石的碳化钨硬质合金层加工出多个浅槽；二、抛光；三、超声清洗；四、沉积第一SiO2绝缘层；五、采用掩膜或者光刻工艺暴露出阵列图案A；六、沉积热电偶材料A薄膜；七、采用掩膜或者光刻工艺暴露出阵列图案B；八、沉积热电偶材料B薄膜；九、胶连补偿线；十、沉积第二SiO2绝缘层；十一、焊接。本发明通过在聚晶金刚石刀具后刀面集成大量微型薄膜热电偶组成阵列，能够精准测量切削刃‑工件界面温度与热流分布，发现热应力集中点。
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公开(公告)号：CN118262948A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410357811.0
申请日：2024-03-27
IPC: G21H1/06 , H01L31/075 , H01L31/0336
Abstract: 基于TiO2调制p型金刚石与n型氧化镓异质结界面的高内建电场同位素电池及其制备方法，本发明旨在解决金刚石肖特基结同位素电池无法进一步提升电池开路电压的问题。本发明高内建电场同位素电池采用垂直型结构，在p区欧姆接触电极的下表面设置有惰性金属保护层，在p区欧姆接触电极的上表面由下至上依次设置有掺硼金刚石衬底、金刚石外延本征层、超薄氧化钛层、n型氧化镓层、n区欧姆接触电极和放射性辐射源形成层叠结构。本发明利用n型宽禁带半导体材料高费米能级位置的特点与p型金刚石形成高费米能级差，从而增大内建电场，由辐射源激发的电子空穴对在更强的电场力作用下被有效分离，提高了同位素电池的开路电压。
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公开(公告)号：CN114068681B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202111361547.0
申请日：2021-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/16 , H01L29/167 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 基于金刚石肖特基二极管的高温工作的逻辑器件及其制备方法，它要解决现有高集成度的电子元器件等由于发热导致电路不能正常工作的问题。本发明基于金刚石肖特基二极管的逻辑器件在金刚石衬底上沉积有掺硼或者掺磷金刚石层，在掺硼或者掺磷金刚石层表面上沉积有选择性生长金属掩膜和选择性同质外延生长层，选择性生长金属掩膜和选择性同质外延生长层位于掺硼或者掺磷金刚石层表面的两侧，选择性生长金属掩膜作为欧姆电极，在选择性同质外延生长层上沉积至少两个肖特基电极，欧姆电极作为信号输出端；欧姆电极通过导线连接负载电阻，在负载电阻的另一端施加偏置电压。本发明的金刚石逻辑与门在600K及以上高温正常工作，实现逻辑与门的功能。
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公开(公告)号：CN116555907A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310479229.7
申请日：2023-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 仿生自清洁多晶金刚石的制备方法，本发明的目的是为了解决多晶金刚石表面易吸附粉尘的问题。制备方法：一、超声清洗多晶金刚石；二、金刚石放入化学气相沉积设备中；三、通入反应气体H2与O2，使金刚石表面温度保持在500～900℃之间进行氧刻蚀1～3h；四、通入Ar、N2与CH4，进行纳米金刚石的外延生长0.5～3h；五、通入H2，使金刚石表面温度保持在500～900℃之间进行氢刻蚀1～3h；六、关闭设备；七、滴入氟硅烷进行表面化学修饰。本发明采用三步法分别对金刚石进行氧刻蚀、外延生长和氢刻蚀，在多晶金刚石表面形成高比表面积的双重微纳结构，实现了多晶金刚石表面的超疏水，并且具有优异的自清洁功能。
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公开(公告)号：CN116154019A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211104765.0
申请日：2022-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/028 , H01L31/0224 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 氧化物介质层改进的金刚石肖特基结界面的日盲紫外探测器及其制备方法，本发明要解决现有日盲紫外探测器件工作电压高、响应度低、可探测度低的问题。本发明日盲紫外探测器在掺硼金刚石衬底的上表面沉积有金刚石本征层，在掺硼金刚石衬底的下表面沉积金属膜层作为欧姆电极，在金刚石本征层的上表面沉积氧化物介质层，在氧化物介质层上沉积金属电极作为肖特基电极；其中氧化物介质层为TiO2、ZrO2、Al2O3或者SiO2等。本发明氧化物改进的金刚石肖特基结界面的金刚石肖特基结，具有较高的开启电压，施加紫外光照后，光线使得器件提前开启，从而获得很高的光电流响应。同时具有高的光电流响应与低的暗电流，保证了器件的高可探测度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108229010B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201711483712.3
申请日：2017-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于XRD实验数据调整衬底和薄膜初始结构模型的结构参数的方法，它属于材料计算技术领域。本发明解决了衬底和薄膜结构模型预留距离过大影响几何优化过程的计算速度，以及可能无法模拟出最终能量最低的稳定结构的问题。本发明利用带有薄膜附件的X射线衍射仪对衬底和生长外延薄膜进行X射线小角衍射(SXRD)表征，得到衬底样品和薄膜样品的X射线小角衍射图谱，据此分别计算出衬底样品、薄膜样品、衬底样品与薄膜样品界面处原子层之间的晶面间距，然后利用上述晶面间距对利用Material Studio建立的初始结构模型的结构参数进行调整。本发明减少了几何优化步骤，大大缩短优化时间，同时有效避免计算过程陷入亚稳定结构陷阱，能够更准确地找到最终稳定结构。
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公开(公告)号：CN109023517A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811213112.X
申请日：2018-10-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用聚焦离子束技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法，本发明涉及消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。本发明要解决现有的MPCVD生长中籽晶表面由于激光加工和抛光不完善导致的表面缺陷富集，进而影响外延生长金刚石质量的问题。方法：一、单晶金刚石籽晶清洗；二、喷金处理；三、放置样品；四、关舱；五、抽真空；六、聚焦离子束扫描刻蚀；七、吹洗样品。本发明用于一种利用聚焦离子束技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。
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公开(公告)号：CN108315710A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810150928.6
申请日：2018-02-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种用于微量试剂无损拾取转移的仿生涂层，属于仿生超疏水材料的制备技术领域。本发明包括以下步骤：一、通过微波等离子体化学气相沉积法，制备出具有超疏水性能的表面氢化的金刚石微球。二、将制备的超疏水金刚石微球通过环氧树脂胶水均匀胶粘到转移装置的表面，固化24小时使复合涂层稳定。三、将未与转移装置表面牢固结合的金刚石微球去除，使清理后的涂层表面获得超疏水且具有超高粘滞力的特殊浸润性能。本发明具有较好的力学性能，并且对强酸强碱的腐蚀性的水溶试剂能保持稳定的性能，为微量水溶试剂的无损拾取与转移提供了一种新途径。
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公开(公告)号：CN108229010A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711483712.3
申请日：2017-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于XRD实验数据调整衬底和薄膜初始结构模型的结构参数的方法，它属于材料计算技术领域。本发明解决了衬底和薄膜结构模型预留距离过大影响几何优化过程的计算速度，以及可能无法模拟出最终能量最低的稳定结构的问题。本发明利用带有薄膜附件的X射线衍射仪对衬底和生长外延薄膜进行X射线小角衍射(SXRD)表征，得到衬底样品和薄膜样品的X射线小角衍射图谱，据此分别计算出衬底样品、薄膜样品、衬底样品与薄膜样品界面处原子层之间的晶面间距，然后利用上述晶面间距对利用Material Studio建立的初始结构模型的结构参数进行调整。本发明减少了几何优化步骤，大大缩短优化时间，同时有效避免计算过程陷入亚稳定结构陷阱，能够更准确地找到最终稳定结构。
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公开(公告)号：CN108165237A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201810032016.9
申请日：2018-01-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K5/14
Abstract: 一种提高硅凝胶复合材导热性能的制备方法，本发明涉及聚合物基导热复合材料领域，具体涉及金刚石颗粒表面的磁性材料负载技术及外置磁场作用下填充体定向排布的聚合物基复合材料的制备方法。本发明要解决磁场作用下可控制备的定性排布金刚石/硅凝胶复合材料制备的技术问题。方法：先制备磁性材料负载的金刚石填充体颗粒；然后利用外置磁场对可磁性响应的金刚石颗粒进行定向排布以制备复合材料。本发明提出了定向排布的金刚石/硅凝胶复合材料的制备方法，对实际磁性负载的金刚石颗粒定向排布进行了表征，定向排布效果显著，提高了硅凝胶复合片材的热导率。
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