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公开(公告)号：CN107464774A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710413475.7
申请日：2017-06-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 林兴 , A·A·哈贾 , E·P·哈蒙德四世 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , C·A·拉玛林格姆 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , 段仁官 , 周建华 , J·J·斯特拉列
IPC: H01L21/683 , C04B35/581 , C04B35/622
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/67103 , H01L21/6831 , C04B35/581 , C04B35/622 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/656 , C04B2235/80 , H01L2221/683
Abstract: 本公开涉及具有用于实现最佳薄膜沉积或蚀刻工艺的性质的静电卡盘。公开一种受热支撑组件，所述受热支撑组件包括：主体，所述主体包含氧化镁掺杂的氮化铝，具有在约600摄氏度下约1×1010Ω-cm的体积电阻率；电极，所述电极嵌入在所述主体中；以及加热器网，所述加热器网嵌入在所述主体中。
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公开(公告)号：CN107230655A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710515830.1
申请日：2016-02-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 周建华 , R·萨卡拉克利施纳 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , X·林
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请公开了用于等离子体处理的双区式加热器。提供了一种用于基座的方法和装置。在一个实施例中，所述基座包括：包含陶瓷材料并且具有凸缘的主体；嵌入在主体中的一或多个加热元件；耦接到凸缘的第一轴；以及耦接到第一轴的第二轴；其中第二轴包括在所述第二轴中形成的多个流体通道，所述流体通道在所述第二轴中终止。
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公开(公告)号：CN104685608A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380049420.2
申请日：2013-09-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , A·K·班塞尔 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , 周建华 , R·萨卡拉克利施纳 , M·A·阿优伯 , 陈建
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/30 , H01J37/32091 , H01J37/32532
Abstract: 提供一种用于等离子体处理基板的装置。装置包含了处理腔室、设置于处理腔室里的基板支撑件，以及与处理腔室耦合的盖组件。盖组件包含了与电源耦合的导电性气体分配器。调节电极可设置在导电性气体分配器与腔室体之间用来调整等离子体的接地电路。第二调节电极可与基板支撑件耦合，且偏压电极亦可与基板支撑件耦合。
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公开(公告)号：CN101743341B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200880024436.7
申请日：2008-07-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿希什·沙 , 戴尔·R·杜波依斯 , 加内什·巴拉萨布拉曼尼恩 , 马克·A·福多尔 , 金义勇 , 秋·钱 , 卡希克·贾纳基拉曼 , 托马斯·诺瓦克 , 约瑟夫·C·沃纳 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 , 穆罕默德·阿尤布 , 阿米尔·阿拉-巴提亚 , 周建华
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/6719 , H01J37/32366 , H01J2237/3321 , H01L21/67201 , H01L21/67207
Abstract: 本发明的实施例涉及一种整合基板边缘处理能力的基板处理系统。所述处理系统的实例包括但不限于一制造界面、一加载互锁真空室、一传送腔室以及一或多个双处理腔室，其中该双处理腔室具有两个或多个可彼此相互隔离，且共享同一气体供应件与同一排气泵的处理区域。在每一双处理腔室中的处理区域包含独立的气体分布组件与RF功率源，以在每一处理区域中基板表面上的选择区域提供等离子体。每一双处理腔室因而设置成能于处理区域中的至少两个基板上同时进行多个经隔离的处理。
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公开(公告)号：CN102884610A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180023388.1
申请日：2011-05-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： R·萨卡拉克利施纳 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , D·R·杜鲍斯 , M·A·福多尔 , 周建华 , A·班塞尔 , M·阿优伯 , S·沙克 , P·赖利 , D·帕德希 , T·诺瓦克
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/6719 , C23C16/46 , C23C16/5096 , H01J37/32495 , H01J37/32568 , H01J37/32651 , H01J37/32715
Abstract: 本发明提供用于等离子体处理衬底的设备。所述设备包括处理腔室、设于处理腔室内的衬底支撑件、设于处理腔室内且在衬底支撑件下方的屏蔽构件、以及耦合至处理腔室的盖组件。所述盖组件包括耦合至功率源的导电气体分配器、以及电极，所述电极通过电气绝缘体与导电气体分配器和腔室主体隔开。电极还耦合至电功率源。衬底支撑件制作成具有容许偏离平行甚微的刚性。屏蔽构件热屏蔽腔室主体下部中的衬底传送开口。泵送气室位于衬底支撑件处理位置下方，且从所述衬底支撑件处理位置隔开。
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公开(公告)号：CN108885973B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201780022341.0
申请日：2017-02-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 林兴 , 周建华 , 刘宁利 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H05H1/46 , H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/324
Abstract: 本公开的实施例大体上涉及半导体处理腔室中的基板支撑组件。半导体处理腔室可以是PECVD腔室，所述PECVD腔室包含具有基板支撑件和耦合至所述基板支撑件的心轴的基板支撑组件。RF电极被嵌入至所述基板支撑件中并且杆耦合至所述RF电极。所述杆由钛(Ti)或由涂覆有金(Au)、银(Ag)、铝(Al)或铜(Cu)的镍(Ni)制成。由Ti或涂覆有Au、Ag、Al或Cu的Ni制成的杆具有降低的电阻率和增加的趋肤深度，其最小化当RF电流行进通过所述杆时的热产生。
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公开(公告)号：CN112384642B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201980044401.8
申请日：2019-06-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本文描述的实施方式提供了一种具有用于均匀地输送处理气体的气流入口引导件和用于有效地净化处理气体并减少净化时间的气流出口引导件的腔室。所述腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有处理气体入口和处理气体出口；盖组件；处理气体入口和处理气体出口，所述处理气体入口和处理气体出口被配置为与所述腔室中的处理区域流体连通；气流入口引导件，所述气流入口引导件设置在所述处理气体入口中；和气流出口引导件，所述气流出口引导件设置在所述处理气体出口中。所述气流入口引导件包括流调节器和至少两个第一入口引导通道，所第一入口引导通道具有不同的第一入口引导通道面积。所述气流出口引导件包括至少两个第一出口引导通道，所述第一出口引导通道具有不同的第一出口引导通道面积。
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公开(公告)号：CN113166939A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980078392.4
申请日：2019-10-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/505 , C23C16/503 , H01L21/67 , H01L21/02
Abstract: 本公开内容的实施方式总体提供用于真空腔室的气体扩散器组件的设备和方法，气体扩散器组件包括安装板，安装板包括中心部；复数个弯曲辐条，从中心部在径向方向中延伸；角板部，耦接于中心部与这些弯曲辐条的每个弯曲辐条之间，这些角板部的每个角板部具有凸弯曲部，设置于轴向方向中；和一个或多个安装孔，耦接于这些弯曲辐条。
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公开(公告)号：CN108475610B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201680074061.X
申请日：2016-12-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开总体涉及一种用于工艺腔室的辐射屏蔽件，所述辐射屏蔽件改善基板温度均匀性。所述辐射屏蔽件可以设置在所述工艺腔室的狭缝阀门与设置在所述工艺腔室内的基板支撑件之间。在一些实施方式中，所述辐射屏蔽件可以设置在所述工艺腔室的加热器下。此外，所述辐射屏蔽件可以阻挡从所述工艺腔室供应的辐射和/或热量，并且在一些实施方式中，所述辐射屏蔽件可以吸收和/或反射辐射，由此提供改善的温度均匀性并且改善所述基板的平面轮廓。
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