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公开(公告)号：CN103069586A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201180038932.X
申请日：2011-07-06
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 米田章法
IPC: H01L33/32 , H01L21/301 , H01L33/20
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/16
Abstract: 本发明涉及发光元件的制造方法。是分割半导体晶片（100）来形成发光元件（5）的发光元件的制造方法。特征在于，在该半导体晶片（100）中，在将C面作为主面的蓝宝石基板（1）上层叠GaN系半导体并在纵横方向排列配置多个矩形形状的发光元件部（2），横分割区域（4b）的宽度比纵分割区域（4a）的宽度窄，并且发光元件部（2）的N电极配置在纵分割区域（4a）侧的至少一侧，在分割半导体晶片时，将割断起点设置在蓝宝石基板的－C面侧来进行分割，该发光元件（5）的制造方法的包括：晶片准备步骤，准备半导体晶片（100）；和晶片分割步骤，对半导体晶片（100）进行分割，在晶片分割步骤中，在纵分割区域（4a）中，将从纵分割区域（4a）的宽度方向的中央线向宽度方向的一侧偏移了规定距离的线位置作为上述割断起点进行分割。
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公开(公告)号：CN102770975A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201180010895.1
申请日：2011-02-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/382
Abstract: 本发明的目的在于通过防止从发光层放出的光从未形成电极的区域漏出，使发光损失降到最低，提供消耗电力低以及发光效率高的氮化物半导体元件。本发明涉及一种氮化物半导体发光元件，其具有第1导电型半导体层11、发光层以及第2导电型半导体层的叠层体，以及包括形成在第1导电型半导体层上的第1层15的叠层结构的电极22，其中，在第1层15与第1导电型半导体层11接触的区域，具有导电区域15b和绝缘区域15a。
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公开(公告)号：CN101290928B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200810091998.5
申请日：2008-04-15
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L25/075 , H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种发光装置，包括：半导体发光元件，其在透光性基板上依次设置第一导电型的第一半导体层和第二导电型的第二半导体层，在第一半导体层的露出部设置有第一电极，在第二半导体层设置有第二电极；和支撑基板，其载置半导体发光元件；半导体发光元件俯视下为矩形，至少具有第一边和与第一边不同的第二边，从第一边侧的元件端面射出的光比从第二边侧的元件端面射出的光更强，两个以上的半导体发光元件按照第一边相互大致平行且相对的方式以列状被倒装片安装在支撑基板上。由此，能有效地对从半导体发光元件的端面射出的光进行反射，提高发光装置的光取出效率。
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公开(公告)号：CN1677778A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510056281.3
申请日：2005-04-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/1082 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 一种氮化物半导体激光元件，是在氮化物半导体基板的主面上具有第1导电型的氮化物半导体层、活性层、导电型不同于第1导电型的第2导电型的氮化物半导体层、和形成在所述第2导电型的氮化物半导体层上的条纹状的隆起部，所述氮化物半导体基板的主面上，相对于基准结晶面，至少在与所述条纹状的隆起部大致平行的方向上具有偏角a(θa)，或者与该偏角a(θa)大致垂直的方向上具有偏角b(θb)。本发明的目的是在宽范围的波长带中，使氮化物半导体层的组成分布、例如活性层的结晶性和In含量均匀，从而提供一种寿命特性和元件特性更加优良的元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103069586B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201180038932.X
申请日：2011-07-06
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Inventor： 米田章法
IPC: H01L33/32 , H01L21/301 , H01L33/20
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/16
Abstract: 本发明涉及发光元件的制造方法。是分割半导体晶片（100）来形成发光元件（5）的发光元件的制造方法。特征在于，在该半导体晶片（100）中，在将C面作为主面的蓝宝石基板（1）上层叠GaN系半导体并在纵横方向排列配置多个矩形形状的发光元件部（2），横分割区域（4b）的宽度比纵分割区域（4a）的宽度窄，并且发光元件部（2）的N电极配置在纵分割区域（4a）侧的至少一侧，在分割半导体晶片时，将割断起点设置在蓝宝石基板的－C面侧来进行分割，该发光元件（5）的制造方法的包括：晶片准备步骤，准备半导体晶片（100）；和晶片分割步骤，对半导体晶片（100）进行分割，在晶片分割步骤中，在纵分割区域（4a）中，将从纵分割区域（4a）的宽度方向的中央线向宽度方向的一侧偏移了规定距离的线位置作为上述割断起点进行分割。
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公开(公告)号：CN102770975B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201180010895.1
申请日：2011-02-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/382
Abstract: 本发明的目的在于通过防止从发光层放出的光从未形成电极的区域漏出，使发光损失降到最低，提供消耗电力低以及发光效率高的氮化物半导体元件。本发明涉及一种氮化物半导体发光元件，其具有第1导电型半导体层11、发光层以及第2导电型半导体层的叠层体，以及包括形成在第1导电型半导体层上的第1层15的叠层结构的电极22，其中，在第1层15与第1导电型半导体层11接触的区域，具有导电区域15b和绝缘区域15a。
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公开(公告)号：CN1233077C
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN02810758.6
申请日：2002-05-31
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1082 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2301/18
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件。包含依次叠层第一导电型半导体层、活性层及与第一导电型不同的第二导电型半导体层的结构体，该叠层结构体具有使光向一方向传播的波导路区域和位于两端的激光振荡用谐振器面，所述叠层结构体在一端侧具有区别于所述谐振器面的且包含活性层截面而形成的非谐振器面，该非谐振器面的活性层截面由遮光层所覆盖。由此，可实现在高输出动作时，可获得不存在波纹、并接近高斯分布的良好的FFP的半导体激光元件。
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公开(公告)号：CN1523684A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200410005806.6
申请日：2004-02-19
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01S5/0425 , H01S5/22
Abstract: 一种低电阻、具有可靠性优良的电极结构的氮化物半导体元件，在半导体层上，具有欧姆接触的第1电极及连接在其上面的、由不同于第1电极的形状构成的第2电极，其特征在于：第1电极和上述第2电极具有由形成第1电极表面的第1电极的上层和沉积在热处理后的第1电极上的第2电极的下层构成的接合层区，接合层区由铂族元素构成。
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公开(公告)号：CN2717023Y
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200420003849.6
申请日：2004-02-19
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01S5/0425 , H01S5/22
Abstract: 一种低电阻、具有可靠性优良的电极结构的氮化物半导体元件，在半导体层上，具有欧姆接触的第1电极及连接在其上面的、由不同于第1电极的形状构成的第2电极，其特征在于：第1电极和上述第2电极具有由形成第1电极表面的第1电极的上层和沉积在热处理后的第1电极上的第2电极的下层构成的接合层区，接合层区由铂族元素构成。
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