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公开(公告)号：CN118263112A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311797544.0
申请日：2023-12-25
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种可靠性高的半导体元件的制造方法。半导体元件的制造方法包括如下的工序：准备具有半导体结构体、树脂部件和第一绝缘膜的结构体；在位于第一面之上的第一绝缘膜之上和位于树脂部件表面之上的第一绝缘膜之上连续形成覆盖部件；在覆盖部件之上形成抗蚀剂膜，将覆盖部件中位于树脂部件表面之上的覆盖部件除去，由此在位于第一面之上的第一绝缘膜之上残留覆盖部件；利用将覆盖部件用于掩模的蚀刻，将在俯视时位于不与覆盖部件重叠的区域的第一绝缘膜及树脂部件除去；将覆盖部件除去，将第一绝缘膜及树脂部件除去的工序中的对覆盖部件的蚀刻速率比将第一绝缘膜及树脂部件除去的工序中的对抗蚀剂膜的蚀刻速率低。
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公开(公告)号：CN102770975B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201180010895.1
申请日：2011-02-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/382
Abstract: 本发明的目的在于通过防止从发光层放出的光从未形成电极的区域漏出，使发光损失降到最低，提供消耗电力低以及发光效率高的氮化物半导体元件。本发明涉及一种氮化物半导体发光元件，其具有第1导电型半导体层11、发光层以及第2导电型半导体层的叠层体，以及包括形成在第1导电型半导体层上的第1层15的叠层结构的电极22，其中，在第1层15与第1导电型半导体层11接触的区域，具有导电区域15b和绝缘区域15a。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102760814A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210125497.0
申请日：2012-04-25
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/03 , H01L24/04 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2224/0345 , H01L2224/03472 , H01L2224/0401 , H01L2224/05564 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/06102 , H01L2224/11462 , H01L2224/13007 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明提供具有厚膜的金属凸块且可靠性高的倒装片式安装型的氮化物半导体发光元件和提高了生产率的其制造方法。氮化物半导体发光元件(1)中，在氮化物半导体发光元件结构(10)的n侧电极连接面(10a)上和p侧电极连接面(10b)上将具有开口部(30a、30b)的第1抗蚀图形(30)作为掩蔽而除去保护层(20)后，不除去第1抗蚀图形(30)而形成成为n侧电极(21)、p侧电极(22)的第1金属层(25)。接着，不除去第1抗蚀图形(30)而在开口部(30a、30b)上形成具有开口部(31a、31b)的第2抗蚀图形(31)，通过将第1金属层(25)作为电极的电镀而形成成为金属凸块(23、24)的第2金属层(26a、26b)。其后，除去第2抗蚀图形(31)和第2抗蚀图形(32)。
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公开(公告)号：CN101290928A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810091998.5
申请日：2008-04-15
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L25/075 , H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种发光装置，包括：半导体发光元件，其在透光性基板上依次设置第一导电型的第一半导体层和第二导电型的第二半导体层，在第一半导体层的露出部设置有第一电极，在第二半导体层设置有第二电极；和支撑基板，其载置半导体发光元件；半导体发光元件俯视下为矩形，至少具有第一边和与第一边不同的第二边，从第一边侧的元件端面射出的光比从第二边侧的元件端面射出的光更强，两个以上的半导体发光元件按照第一边相互大致平行且相对的方式以列状被倒装片安装在支撑基板上。由此，能有效地对从半导体发光元件的端面射出的光进行反射，提高发光装置的光取出效率。
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公开(公告)号：CN102760814B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210125497.0
申请日：2012-04-25
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/03 , H01L24/04 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2224/0345 , H01L2224/03472 , H01L2224/0401 , H01L2224/05564 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/06102 , H01L2224/11462 , H01L2224/13007 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明提供具有厚膜的金属凸块且可靠性高的倒装片式安装型的氮化物半导体发光元件和提高了生产率的其制造方法。氮化物半导体发光元件(1)中，在氮化物半导体发光元件结构(10b)上将具有开口部(30a、30b)的第1抗蚀图形(30)作为掩蔽而除去保护层(20)后，不除去第1抗蚀图形(30)而形成成为n侧电极(21)、p侧电极(22)的第1金属层(25)。接着，不除去第1抗蚀图形(30)而在开口部(30a、30b)上形成具有开口部(31a、31b)的第2抗蚀图形(31)，通过将第1金属层(25)作为电极的电镀而形成成为金属凸块(23、24)的第2金属层(26a、26b)。其后，除去第2抗蚀图形(31)和第2抗蚀图形(32)。(10)的n侧电极连接面(10a)上和p侧电极连接面
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公开(公告)号：CN102770975A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201180010895.1
申请日：2011-02-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/382
Abstract: 本发明的目的在于通过防止从发光层放出的光从未形成电极的区域漏出，使发光损失降到最低，提供消耗电力低以及发光效率高的氮化物半导体元件。本发明涉及一种氮化物半导体发光元件，其具有第1导电型半导体层11、发光层以及第2导电型半导体层的叠层体，以及包括形成在第1导电型半导体层上的第1层15的叠层结构的电极22，其中，在第1层15与第1导电型半导体层11接触的区域，具有导电区域15b和绝缘区域15a。
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公开(公告)号：CN101290928B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200810091998.5
申请日：2008-04-15
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L25/075 , H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种发光装置，包括：半导体发光元件，其在透光性基板上依次设置第一导电型的第一半导体层和第二导电型的第二半导体层，在第一半导体层的露出部设置有第一电极，在第二半导体层设置有第二电极；和支撑基板，其载置半导体发光元件；半导体发光元件俯视下为矩形，至少具有第一边和与第一边不同的第二边，从第一边侧的元件端面射出的光比从第二边侧的元件端面射出的光更强，两个以上的半导体发光元件按照第一边相互大致平行且相对的方式以列状被倒装片安装在支撑基板上。由此，能有效地对从半导体发光元件的端面射出的光进行反射，提高发光装置的光取出效率。
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