公开(公告)号：CN105555888B

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201480051491.0

申请日：2014-09-16

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 远藤贵文 ,  染谷安信 ,  若山浩之 ,  坂本力丸

IPC: C09D201/00 ,  B05D1/38 ,  B05D3/10 ,  B05D7/24 ,  C09D5/00 ,  C09D145/00 ,  C09D165/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种用于形成为了使自组装膜容易排列成期望的垂直图案而需要的下层膜的组合物。所述自组装膜的下层膜形成用组合物包含聚合物，所述聚合物具有在主链含有脂肪族多环化合物的脂肪族多环结构的单元结构。聚合物为具有在主链含有脂肪族多环化合物的脂肪族多环结构、与含芳香环化合物的芳香环结构或源自含乙烯基化合物的乙烯基的聚合链的单元结构的聚合物。聚合物具有下述式(1)：(式(1)中，X为单键、以源自含乙烯基化合物的乙烯基结构为聚合链的2价基团、或以源自含芳香环化合物的含芳香环结构为聚合链的2价基团，Y为以源自脂肪族多环化合物的脂肪族多环结构为聚合链的2价基团。)所示的单元结构。脂肪族多环化合物为2环至6环的二烯化合物。脂肪族多环化合物为二环戊二烯或降冰片二烯。

公开(公告)号：CN104854205B

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201380066230.1

申请日：2013-12-13

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 染谷安信 ,  若山浩之 ,  远藤贵文 ,  坂本力丸

IPC: C09D201/00 ,  B05D1/38 ,  B05D3/10 ,  B05D7/24 ,  C09D5/00 ,  C09D125/00 ,  C09D139/04 ,  C09D145/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供一种不会与上层的自组装膜发生互混(层混合)而在自组装膜上形成垂直图案的自组装膜的下层膜。解决手段是一种自组装膜的下层膜形成用组合物，其特征在于，含有在聚合物的全部结构单元中具有0.2摩尔％以上的多环芳香族乙烯基化合物结构单元的聚合物。所述聚合物为聚合物在全部结构单元中具有20摩尔％以上的芳香族乙烯基化合物的结构单元，且芳香族乙烯基化合物在全部结构单元中具有1摩尔％以上的多环芳香族乙烯基化合物的结构单元的聚合物。所述芳香族乙烯基化合物包含可分别被取代的乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑，所述多环芳香族乙烯基化合物为乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑。另外，所述芳香族乙烯基化合物包含可被取代的苯乙烯、和可分别被取代的乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑，多环芳香族乙烯基化合物为乙烯基萘、苊或乙烯基咔唑。

公开(公告)号：CN103907060B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201280051419.9

申请日：2012-10-12

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 远藤贵文 ,  坂本力丸 ,  藤谷德昌

IPC: G03F7/11 ,  C08F20/36 ,  C08F220/36

CPC classification number: H01L21/3081 ,  C08F8/14 ,  C08F20/36 ,  C08F220/32 ,  C08F220/36 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0271 ,  C08F2220/325 ,  C08F220/24

Abstract: 本发明的课题是使抗蚀剂下层膜上所形成的抗蚀剂图案与该抗蚀剂下层膜的密合性增大，此外抑制该抗蚀剂图案的底切形状。作为解决本发明课题的方法涉及由具有下述式(1)所示的结构单元的聚合物构成的形成抗蚀剂下层膜的组合物所用的添加剂，以及包含树脂粘合剂、有机溶剂和上述形成抗蚀剂下层膜的组合物所用的添加剂的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。(式中，R1表示氢原子或甲基，L表示二价的连接基团，X表示具有被叔丁氧基羰基保护了的氨基或被叔丁氧基羰基保护了的含氮杂环的酰氧基。)。

公开(公告)号：CN104870551B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201380066214.2

申请日：2013-12-16

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 染谷安信 ,  若山浩之 ,  远藤贵文 ,  坂本力丸

IPC: C08L25/04 ,  C08F12/08 ,  C08K5/3447 ,  C09D125/08 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027

CPC classification number: C09D125/14 ,  C08F212/08 ,  C09D125/08 ,  C09D153/00 ,  G02B1/111 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/09 ,  Y10T428/24802 ,  C08F2220/325 ,  C08F2220/281 ,  C08F212/14 ,  C08F220/06 ,  C08F212/12 ,  C08F220/14

Abstract: 本发明的课题是提供一种自组装膜的下层中所使用的下层膜形成组合物。解决手段是一种自组装膜的下层膜形成用组合物，含有仅由源自可被取代的苯乙烯的结构单元和源自含有可形成交联的基团的化合物的结构单元构成的聚合物，且该聚合物以如下比例构成：在该聚合物的全部结构单元中，源自苯乙烯的结构单元为60～95摩尔％，源自含有可形成交联的基团的化合物的结构单元为5至40摩尔％。可形成交联的基团为羟基、环氧基、被保护了的羟基、或被保护了的羧基。含有可形成交联的基团的化合物为甲基丙烯酸羟基乙酯、丙烯酸羟基乙酯、甲基丙烯酸羟基丙酯、丙烯酸羟基丙酯、羟基苯乙烯、丙烯酸、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸缩水甘油酯。

公开(公告)号：CN106133607A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580016776.5

申请日：2015-03-17

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 远藤贵文 ,  桥本圭祐 ,  西卷裕和 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G14/02 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其对用于显现良好的涂布成膜性的光刻中所使用的溶剂具有高的溶解性，并可以减少在成膜时产生的升华物。抗蚀剂下层膜形成用组合物含有酚醛清漆树脂，所述酚醛清漆树脂具有通过含有芳香环的化合物(A)的芳香环结构与芳香族乙烯基化合物(B)的乙烯基的反应而得到的结构基团(C)。

公开(公告)号：CN103168274B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201180050223.3

申请日：2011-09-15

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 坂本力丸 ,  何邦庆 ,  远藤贵文

IPC: G03F7/11 ,  C08F212/06 ,  C08G8/10 ,  H01L21/027

CPC classification number: C09D5/00 ,  C08F12/24 ,  C08G8/08 ,  C08G8/24 ,  C08L61/06 ,  C09D161/06 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  C08F212/32 ,  C08F212/14 ,  C08F220/06

Abstract: 本发明的课题是提供不与EUV抗蚀剂混合、在EUV曝光时遮挡不优选的曝光光例如UV光和/或DUV光并仅选择性地透射EUV光、而且曝光后能用显影液显影的在EUV光刻工艺中使用的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物。作为本发明的解决问题的方法是，包含主链或侧链含有萘环的树脂和溶剂的在EUV光刻工序中使用的EUV抗蚀剂上层膜形成用组合物，其中，树脂中作为亲水性基团包含：羟基、羧基、磺基、或包含这些基团中的至少一个基团的一价有机基团。

公开(公告)号：CN105324719A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201480035408.0

申请日：2014-06-23

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 新城彻也 ,  染谷安信 ,  柄泽凉 ,  西卷裕和 ,  远藤贵文 ,  桥本圭祐

IPC: G03F7/11 ,  C08G12/26 ,  C08G16/02 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08G12/26 ,  C08G16/0268 ,  C09D161/00 ,  C09D161/26 ,  C09D179/04 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081

Abstract: 本发明的课题是可以提供具有与抗蚀剂接近的干蚀刻速度的选择比、比抗蚀剂小的干蚀刻速度的选择比、比半导体基板小的干蚀刻速度的选择比的优异的抗蚀剂下层膜。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：包含下述式(1)的单元结构的聚合物，(式(1)中，R3为氢原子、或可以被卤基、硝基、氨基、羰基、碳原子数6～40的芳基或羟基取代的碳原子数6～40的芳基、或杂环基，R4为氢原子、或可以被卤基、硝基、氨基或羟基取代的碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～40的芳基、或杂环基，R3和R4可以与它们所结合的碳原子一起形成环。n表示0～2的整数。)。式(1)的R3为苯环、萘环、蒽环或芘环，R4为氢原子。

公开(公告)号：CN105027005A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480005451.2

申请日：2014-02-21

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 远藤贵文 ,  桥本圭祐 ,  西卷裕和 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其通过降低烧成工序中从抗蚀剂下层膜中产生的升华物量且抑制老化，从而具有高保存稳定性。用于解决本发明的课题的方法涉及一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述式(1)所示的具有羟基的芳基磺酸盐化合物，(式中，Ar表示苯环或稠合了苯环的芳香族烃环，m1为0～(2+2n)的整数，m2和m3各自为1～(3+2n)的整数，(m1+m2+m3)表示2～(4+2n)的整数。其中，n表示苯环数或芳香族烃环中稠合了的苯环数，为1～6的整数。X+表示NH4+、伯铵离子、仲铵离子、叔铵离子、季铵离子、锍离子或碘阳离子。)。

公开(公告)号：CN104541205A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201380042336.8

申请日：2013-08-13

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 远藤贵文 ,  新城彻也 ,  桥本圭祐 ,  染谷安信 ,  西卷裕和 ,  柄泽凉 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/00 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: C09D161/12 ,  C07C39/15 ,  C08G8/02 ,  C08G8/04 ,  C09D161/04 ,  G03F7/038 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供了一种用于形成具有高干蚀刻耐性和高耐扭曲性，相对于高度差和凹凸部表现出良好的平坦化性和填埋性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明提供了一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有通过使以下化合物与芳香族醛或芳香族酮在酸性催化剂的存在下进行反应而得的苯酚酚醛清漆树脂，所述化合物具有与叔碳原子或季碳原子结合的苯酚基至少3个，所述季碳原子上结合有甲基。苯酚酚醛清漆树脂含有下述式(1)、式(2)、式(3)或式(4)的结构单元、或这些结构单元的组合。

公开(公告)号：CN104508558A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380040983.5

申请日：2013-08-05

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 西卷裕和 ,  桥本圭祐 ,  新城彻也 ,  远藤贵文 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/00 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08G8/04 ,  C09D161/12 ,  G03F7/094 ,  G03F7/16 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述聚合物和溶剂，所述聚合物具有下述式(1a)、式(1b)和式(1c)所示的重复结构单元中的任1种或2种以上，[式中，2个R1各自独立地表示烷基、烯基、芳香族烃基、卤原子、硝基或氨基，2个R2各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、缩醛基、酰基或缩水甘油基，R3表示可以具有取代基的芳香族烃基，R4表示氢原子、苯基或萘基，在式(1b)中2个R3所表示的基团和2个R4所表示的原子或基团可以彼此不同，2个k各自独立地表示0或1，m表示3～500的整数，n、n1和n2表示2～500的整数，p表示3～500的整数，X表示单键或杂原子，2个Q各自独立地表示结构单元。]。