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公开(公告)号：CN111512549B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN201880052346.2
申请日：2018-11-09
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在将由铌酸锂等材质形成的压电性材料基板与设置有氧化硅层的支撑基板接合时，能够抑制接合体的特性劣化。接合体(8A)具备：支撑基板(3)；氧化硅层(7)，其设置于支撑基板(3)上；压电性材料基板(1A)，其设置于氧化硅层(7)上、并由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂‑钽酸锂组成的组中的材质形成。氧化硅层(7)中的氮浓度的平均值高于氧化硅层(7)与支撑基板(3)的界面(E)处的氮浓度、以及氧化硅层(7)与压电性材料基板(1A)的界面(D)处的氮浓度。
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公开(公告)号：CN112088439B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201980019317.0
申请日：2019-02-15
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L41/187 , C23C14/08 , C23C14/10 , C30B25/06 , C30B25/18 , C30B29/16 , C30B29/18 , H01L21/02 , H01L41/053 , H01L41/335 , H03H9/25
Abstract: 在将压电性材料基板1(1A)借助接合层2而与支撑基板3接合时，使得即便在对得到的接合体进行加热处理时也不会发生压电性材料基板1(1A)的剥离。接合体具备：支撑基板3；压电性材料基板1(1A)，其由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及接合层2，其将支撑基板3和压电性材料基板1(1A)接合，并与压电性材料基板1(1A)的接合面1a接触。在接合层2设置有从所述压电性材料基板趋向所述支撑基板延伸的空隙。
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公开(公告)号：CN112074622B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201980026669.9
申请日：2019-02-19
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C23C14/10 , C23C14/08 , C30B25/06 , C30B25/18 , C30B29/16 , C30B29/18 , H01L21/02 , H01L41/187 , H01L41/337 , H03H9/25
Abstract: 本发明在将压电性材料基板1(1A)借助接合层2A而接合于支撑基板3时，即便对得到的接合体进行加热处理时，也不会发生接合体破损或压电性材料基板1(1A)剥离。接合体具备：支撑基板3；压电性材料基板1(1A)，所述压电性材料基板1(1A)由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及接合层2A，其将支撑基板3和压电性材料基板1(1A)接合，并与压电性材料基板1(1A)的接合面1a相接。在接合层2A设置有从压电性材料基板1(1A)朝向支撑基板3延伸的空隙22、23。空隙22、23的支撑基板侧末端22b的宽度t2相对于空隙22、23的压电性材料基板侧末端22a、23a的宽度t1的比率(t2/t1)为0.8以下。
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公开(公告)号：CN108781506B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201780011941.7
申请日：2017-02-01
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 连接基板具备：设置有贯通孔的陶瓷基板、以及设置在贯通孔中的贯通导体11，该贯通导体11具有第一主面11a和第二主面11b。贯通导体11具有：设置有与第一主面11a相连通的第一开口气孔16A、16D以及与第二主面11b相连通的第二开口气孔16B的金属多孔体20；形成在第一开口气孔16A、16D内的第一玻璃相17、19；形成在第二开口气孔16B内的第二玻璃相17B；设置在第一开口气孔内的第一空隙30；以及设置在第二开口气孔16B内的第二空隙32。第一空隙30为不与第一主面相连通的闭口空隙。第二空隙32为与第二主面11b相连通的开口空隙。
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公开(公告)号：CN108886870B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201780006847.2
申请日：2017-02-23
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 设置在陶瓷基板的贯通孔内的贯通导体11具有：金属多孔体20、形成于金属多孔体20的气孔16A～16D的玻璃相17、19以及气孔内的空隙30、31。在贯通导体11的横截面处，气孔的面积比率为5～50％。在沿着陶瓷基板的厚度方向B观察贯通导体11并将其分为第一主面11a侧的第一部分11A和第二主面侧11b的第二部分11B时，第一部分11A中的玻璃相的面积比率大于第二部分11B中的玻璃相的面积比率，第一部分11A中的空隙的面积比率小于第二部分11B中的空隙的面积比率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108781506A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780011941.7
申请日：2017-02-01
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 连接基板具备：设置有贯通孔的陶瓷基板、以及设置在贯通孔中的贯通导体11，该贯通导体11具有第一主面11a和第二主面11b。贯通导体11具有：设置有与第一主面11a相连通的第一开口气孔16A、16D以及与第二主面11b相连通的第二开口气孔16B的金属多孔体20；形成在第一开口气孔16A、16D内的第一玻璃相17、19；形成在第二开口气孔16B内的第二玻璃相17B；设置在第一开口气孔内的第一空隙30；以及设置在第二开口气孔16B内的第二空隙32。第一空隙30为不与第一主面相连通的闭口空隙。第二空隙32为与第二主面11b相连通的开口空隙。
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公开(公告)号：CN105074870B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201480019693.7
申请日：2014-12-16
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L21/76254 , C01F7/02 , C01P2006/60 , C04B35/10 , C04B35/115 , C04B35/64 , C04B37/001 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/6562 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/662 , C04B2235/786 , C04B2237/343 , C04B2237/70 , C04B2237/704 , H01L21/02002 , H01L21/6835 , H01L23/15 , H01L27/12 , H01L29/06 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381
Abstract: 半导体用复合基板的操作基板2A由多晶透光性氧化铝构成，多晶透光性氧化铝的氧化铝纯度为99.9％以上，多晶透光性氧化铝在200～400nm波长范围内的前方全光线透过率的平均值为60％以上，多晶透光性氧化铝在200～400nm波长范围内的直线透过率的平均值为15％以下。
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公开(公告)号：CN105191511A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201580000703.7
申请日：2015-02-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H05K1/03 , C04B35/111 , H05K3/00
CPC classification number: H05K1/115 , C04B35/111 , C04B35/119 , C04B35/634 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/3281 , C04B2235/3418 , C04B2235/6023 , C04B2235/606 , C04B2235/612 , C04B2235/6582 , C04B2235/662 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/95 , H01B3/12 , H01B17/56 , H05K1/03 , H05K1/0306 , H05K3/00 , H05K3/0014 , H05K3/0029 , H05K2201/09009 , Y10T428/24273
Abstract: 本发明提供排列有导体用的贯通孔(2)的绝缘基板(1)。绝缘基板(1)的厚度为25～300μm，贯通孔2的直径W为20μm～100μm，绝缘基板(1)由氧化铝烧结体形成。氧化铝烧结体的相对密度为99.5％以上，平均粒径为2～50μm。
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公开(公告)号：CN111819792B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201880090900.6
申请日：2018-11-19
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在将由钽酸锂等形成的压电性材料基板和设置有氧化硅层的支撑基板接合时，使接合强度得到提高。接合体具备：支撑基板4；氧化硅层5，其设置于支撑基板4上；以及压电性材料基板1，其由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成，并设置于氧化硅层5上。氧化硅层5侧的压电性材料基板1的表面电阻率为1.7×1015Ω/□以上。
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公开(公告)号：CN111512549A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201880052346.2
申请日：2018-11-09
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在将由铌酸锂等材质形成的压电性材料基板与设置有氧化硅层的支撑基板接合时，能够抑制接合体的特性劣化。接合体(8A)具备：支撑基板(3)；氧化硅层(7)，其设置于支撑基板(3)上；压电性材料基板(1A)，其设置于氧化硅层(7)上、并由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂-钽酸锂组成的组中的材质形成。氧化硅层(7)中的氮浓度的平均值高于氧化硅层(7)与支撑基板(3)的界面(E)处的氮浓度、以及氧化硅层(7)与压电性材料基板(1A)的界面(D)处的氮浓度。
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