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公开(公告)号：CN108823419A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201811000210.5
申请日：2018-08-30
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南东昌金属加工有限公司
摘要： 本发明公开了一种氯化提锗废酸中锗及盐酸的回收处理系统及方法。该回收处理系统包括：蒸发浓缩装置；萃取精馏塔，萃取精馏塔的第一浓硫酸进口与浓硫酸输送管道连通，萃取精馏塔的第二浓硫酸进口与蒸发浓缩装置的浓缩液出口连通；双级降膜吸收装置，双级降膜吸收装置与萃取精馏塔的氯化氢气体出口、以及蒸发浓缩装置的初蒸液出口均连通；及硫酸再生精馏塔，硫酸再生精馏塔的硫酸再生进口与萃取精馏塔的稀硫酸盐溶液出口连通，硫酸再生精馏塔的硫酸再生液体出口与萃取精馏塔的第三浓硫酸进口连通。该回收处理方法通过蒸发浓缩、硫酸萃取精馏、双级降膜吸收、硫酸再生循环使用四个处理步骤回收锗和盐酸。
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公开(公告)号：CN212293771U
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202021046127.4
申请日：2020-06-09
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南东昌金属加工有限公司
摘要： 本实用新型涉及稀有金属冶炼领域,具体公开一种多单元串联多级电解精炼装置，包括电解前储液槽、电解槽、电解后储液槽、第一循环泵通过管道和U型槽连通形成一个电解精炼循环系统，用于制备高品质磷化铟衬底片用的8N高纯铟，以实现工业化和规模生产，制得的高纯铟质量一致性好、纯度达8N，为我国磷化铟材料高端产品的制备提供技术基础和材料基础。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209039630U
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201821745466.4
申请日：2018-10-26
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司
摘要： 直拉法生长高纯锗单晶的单晶生长炉，涉及一种单晶生长炉设备，尤其是直拉法生长高纯锗单晶的单晶炉设备。直拉法生长高纯锗单晶的单晶生长炉，将石墨件安装在石英炉管外面，并由石英保温圈包裹将其密封，再配置相应的高频感应线圈环绕于石英炉管外部；其中，石英炉管分为两段，上段空心圆柱内腔大于下段空心圆柱内腔；所述的石英支撑件分为两个部分，一部分设置于石英炉管内，另一部分设置于石英炉管外部，支撑石墨件及石英保温圈。本实用新型的结构减少了部件所产生的污染源，进而提升超高纯锗单晶的质量水平，从而保证了晶体生长过程中热传导的均匀性，并且延长了石墨件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN117819592A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410062556.7
申请日：2024-01-16
申请人： 云南大学 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
IPC分类号： C01G17/02
摘要： 本发明属于稀有金属高纯材料制备技术领域，具体涉及纳米级高纯二氧化锗的制备方法，准备高纯四氯化锗、聚乙烯醇溶液和水，混合搅拌配制成混合溶液，然后通过水解反应提取二氧化锗，对生成的高纯二氧化锗再利用超声波进行强化来制备纳米级二氧化锗，以得到更小粒径的高纯二氧化锗。
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公开(公告)号：CN118600549A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410739465.2
申请日：2024-06-07
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司 , 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 本发明属于半导体衬底材料制备技术领域，具体涉及一种锑化镓多晶的合成系统及方法，该系统由加热容器、底座支撑装置、加热装置、电磁搅拌装置和保温装置组成。基于该系统，按照装填物料、升温熔化以及多晶合成的步骤生产锑化镓多晶。合成系统通过对高温熔体施加磁场，在电磁力的作用下强化熔体流动，达到搅拌熔体的目的，无需额外干预。该合成方法通过梯度式凝固，提高晶体完整性。
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公开(公告)号：CN108048672B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201810115436.3
申请日：2018-02-06
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 一种热还原挥发提取低品位锗精矿中锗的提取炉及提取方法，尤其是一种采用高温热还原挥发方法，提取低品位锗精矿中锗的提取炉及提取方法。本发明的提取炉包括顺序连接的挥发炉、冷却器以及收尘器，挥发炉包括外壳、炉体、隔板、导轨、隔热棉以及加热电阻丝，外壳套装在炉体外部，隔热棉填充在外壳与炉体之间的间隙中，加热电阻丝设置在炉体外壁上；隔板为两块，竖直固定在炉体的顶部内壁，将炉体内部分割为三部分，从前至后分别为预热区、高温恒温区以及冷却区；导轨设置在炉体中间靠下位置。本发明采三段式提锗炉，优化提锗流程，减少热量损失，提高了锗矿冶炼的富集倍数和锗精矿的品位，所得的锗精矿品位高，能达到20%以上，有利于后续工艺。
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公开(公告)号：CN111321469A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010262959.8
申请日：2020-04-07
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本发明涉及半导体材料SiC单晶生长领域，具体公开了一种PVT生长SiC单晶籽晶粘接盘及粘接方法，所述籽晶粘接盘包括籽晶和石墨圆板，籽晶粘接于石墨圆板上，所述石墨圆板直径不小于籽晶直径，石墨圆板上设置有数个等间距的凹坑，凹坑外缘与籽晶边缘相切，然后使用粘接剂将籽晶粘接在改造后的粘接盘上，本发明所涉及的籽晶粘接盘结构减小了籽晶粘接应力，使得PVT方法生长出的碳化硅单晶晶体缺陷密度降低，晶体更容易与粘接盘分离。所需结构无须过高成本，却改善了晶体材料的质量，而且可以减少企业的生产成本，使得碳化硅材料在半导体领域的应用中发挥更好更高效的作用。
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公开(公告)号：CN111574553B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202010374072.8
申请日：2020-05-06
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
IPC分类号： C07F7/30 , A61K31/28 , A61P35/00 , A61P1/04 , A61P3/10 , A61P9/12 , A23L33/10 , A61K8/58 , A61Q19/00
摘要： 本发明涉及有机化合物制备技术领域，具体公开了一种低氯高纯羧乙基锗倍半氧化物的制备方法，包括将羧乙基锗倍半氧化物进行至少一次重结晶操作，具体步骤包括加热、溶解、冷却、结晶、过滤、洗涤、烘干，所述溶解过程中所使用的溶剂为去离子水、去离子水和食品级丙酮的混合物、去离子水和食品级乙醇的混合物中的一种，其中去离子水和食品级丙酮的体积比为1:1‑1.5；去离子水和食品级乙醇的体积比为1:0.5‑1.0，实施本发明的技术方案，使羧乙基锗倍半氧化物中的杂质成分，如氯离子、无机二氧化锗等的含量得到大幅降低，从而提高了羧乙基锗倍半氧化物的质量，使其纯度达到99.99%以上，氯离子含量小于50ug/g，满足了特殊客户用于生产化妆品、食品等方面的特殊要求。
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公开(公告)号：CN111574553A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010374072.8
申请日：2020-05-06
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
IPC分类号： C07F7/30 , A61K31/28 , A61P35/00 , A61P1/04 , A61P3/10 , A61P9/12 , A23L33/10 , A61K8/58 , A61Q19/00
摘要： 本发明涉及有机化合物制备技术领域，具体公开了一种低氯高纯羧乙基锗倍半氧化物的制备方法，包括将羧乙基锗倍半氧化物进行至少一次重结晶操作，具体步骤包括加热、溶解、冷却、结晶、过滤、洗涤、烘干，所述溶解过程中所使用的溶剂为去离子水、去离子水和食品级丙酮的混合物、去离子水和食品级乙醇的混合物中的一种，其中去离子水和食品级丙酮的体积比为1:1-1.5；去离子水和食品级乙醇的体积比为1:0.5-1.0，实施本发明的技术方案，使羧乙基锗倍半氧化物中的杂质成分，如氯离子、无机二氧化锗等的含量得到大幅降低，从而提高了羧乙基锗倍半氧化物的质量，使其纯度达到99.99%以上，氯离子含量小于50ug/g，满足了特殊客户用于生产化妆品、食品等方面的特殊要求。
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公开(公告)号：CN108048672A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201810115436.3
申请日：2018-02-06
申请人： 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要： 一种热还原挥发提取低品位锗精矿中锗的提取炉及提取方法，尤其是一种采用高温热还原挥发方法，提取低品位锗精矿中锗的提取炉及提取方法。本发明的提取炉包括顺序连接的挥发炉、冷却器以及收尘器，挥发炉包括外壳、炉体、隔板、导轨、隔热棉以及加热电阻丝，外壳套装在炉体外部，隔热棉填充在外壳与炉体之间的间隙中，加热电阻丝设置在炉体外壁上；隔板为两块，竖直固定在炉体的顶部内壁，将炉体内部分割为三部分，从前至后分别为预热区、高温恒温区以及冷却区；导轨设置在炉体中间靠下位置。本发明采三段式提锗炉，优化提锗流程，减少热量损失，提高了锗矿冶炼的富集倍数和锗精矿的品位，所得的锗精矿品位高，能达到20%以上，有利于后续工艺。
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