公开(公告)号：CN110459503A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201910729470.4

申请日：2015-09-30

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿南德·查德拉什卡 ,  爱思特·杰恩 ,  拉什纳·胡马雍 ,  迈克尔·达内克 ,  高举文 ,  王徳齐

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/67

摘要： 本发明涉及用核化抑制的特征填充，描述了用钨填充特征的方法，以及相关的系统和装置，其涉及钨核化的抑制。在一些实施方式中，所述方法涉及沿特征轮廓的选择性抑制。选择性抑制钨核化的方法可包括使所述特征暴露于直接或远程等离子体。使用预抑制和后抑制治疗来调节抑制效应，从而促进使用跨越宽的工艺窗口来抑制特征填充。本文所述的方法可用于填充垂直特征，诸如钨通孔，以及水平特征，诸如垂直NAND(VNANA)字元线。所述方法可用于共形填充和由下向上/由内向外的填充。应用的实例包括逻辑和存储接触填充、DRAM埋入式字元线填充、垂直集成存储栅极和字元线填充、以及使用通硅通孔的3-D集成。

公开(公告)号：CN103579184B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310320848.8

申请日：2013-07-26

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 雷威 ,  高举文

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： C01B35/146 ,  C23C16/30 ,  C23C16/342 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53266 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了三元钨硼氮（WBN）薄膜及其形成的相关的方法。该膜具有优良的热稳定性，可调谐的电阻率和对氧化物良好的粘附性。形成该膜的方法涉及热原子层沉积（ALD）工艺，在该工艺中含硼、含氮、含钨反应物循序地以脉冲形式进入反应室以沉积WBN膜。在一些实施方式中，所述工艺包括含硼、含氮、含钨反应物的脉冲的多个循环，每个循环包括多个含硼的脉冲。

公开(公告)号：CN105097446A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510236179.5

申请日：2015-05-11

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 汉娜·班诺乐克 ,  拉什纳·胡马雍 ,  高举文 ,  迈克尔·达内克 ,  约瑟亚·科林斯

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76877 ,  C23C16/045 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/02697

摘要： 本发明涉及使用氯化钨前体制备钨和氮化钨薄膜的方法，提供了用于使用诸如氯化钨之类的无氟钨前体形成钨膜的方法。方法涉及通过将衬底暴露于诸如乙硼烷(B2H6)之类的还原剂以及将该衬底暴露于氯化钨来沉积钨成核层，接着通过将该衬底暴露于氯化钨和还原剂来沉积体钨。方法还涉及稀释该还原剂以及将该衬底暴露于脉冲形式的无氟前体以沉积钨成核层。所沉积的膜表现出良好的阶梯覆盖和塞填。

公开(公告)号：CN118318294A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202280079124.6

申请日：2022-11-30

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 李尚孝 ,  阿南德·查德拉什卡 ,  凯寒·阿比迪·阿施蒂尼 ,  帕特里克·奥古斯特·范克利蒙布特 ,  约瑟亚·科林斯 ,  劳伦斯·施洛斯 ,  桑杰·戈皮纳特 ,  高举文

IPC分类号： H01L21/768 ,  C23C16/34

摘要： 用金属填充部分制造的半导体衬底的特征的填充方法包含在特征中沉积梯度金属氮化物层。梯度金属氮化物层的厚度和/或氮浓度随着特征深度而减小。在特征的顶部，梯度金属氮化物层可在随后的平坦化过程中作为粘附层。因为梯度金属氮化物层的厚度和/或氮浓度进入特征中进一步降低，所以它在特征的中段以及底部占据较小的体积。这改善了特征中的电阻率。该特征被填充金属。

公开(公告)号：CN116508146A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202080102566.9

申请日：2020-07-29

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 劳伦斯·施洛斯 ,  阿南德·查德拉什卡 ,  高举文 ,  斯蒂芬妮·诺艾尔·桑德拉·萨温特-古伯特 ,  潘宇

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 本文中提供用于使用氮化钨势垒层形成低电阻率钨的方法及设备。方法涉及在沉积钨成核及块体钨层之前沉积极薄的氮化钨势垒层。方法适用于在3D NAND制造中制造钨字线以及适用于制造DRAM及逻辑制造的含钨组件。设备包含具有多个充注体积的处理站，以靠近于处理腔室的喷头对气体进行加压以处理半导体衬底。

公开(公告)号：CN112514052A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980051278.2

申请日：2019-07-31

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 巴晓兰 ,  邓若鹏 ,  高举文 ,  桑杰·戈皮纳特 ,  劳伦斯·施洛斯

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11524

摘要： 本发明描述了用导电材料填充半导体衬底结构的方法和装置。所述方法包括在结构中沉积多层主体金属膜，其中一种或多种沉积条件在从层到层过渡时改变。所述方法导致高填充质量、高产量、低前体消耗和低粗糙度。还提供了执行该方法的多站式室。

公开(公告)号：CN105470194B

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201510644832.1

申请日：2015-09-30

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿南德·查德拉什卡 ,  爱思特·杰恩 ,  拉什纳·胡马雍 ,  迈克尔·达内克 ,  高举文 ,  王徳齐

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/67

摘要： 本发明涉及用核化抑制的特征填充，描述了用钨填充特征的方法，以及相关的系统和装置，其涉及钨核化的抑制。在一些实施方式中，所述方法涉及沿特征轮廓的选择性抑制。选择性抑制钨核化的方法可包括使所述特征暴露于直接或远程等离子体。使用预抑制和后抑制治疗来调节抑制效应，从而促进使用跨越宽的工艺窗口来抑制特征填充。本文所述的方法可用于填充垂直特征，诸如钨通孔，以及水平特征，诸如垂直NAND(VNANA)字元线。所述方法可用于共形填充和由下向上/由内向外的填充。应用的实例包括逻辑和存储接触填充、DRAM埋入式字元线填充、垂直集成存储栅极和字元线填充、以及使用通硅通孔的3‑D集成。

公开(公告)号：CN103579184A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310320848.8

申请日：2013-07-26

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 雷威 ,  高举文

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： C01B35/146 ,  C23C16/30 ,  C23C16/342 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53266 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了三元钨硼氮（WBN）薄膜及其形成的相关的方法。该膜具有优良的热稳定性，可调谐的电阻率和对氧化物良好的粘附性。形成该膜的方法涉及热原子层沉积（ALD）工艺，在该工艺中含硼、含氮、含钨反应物循序地以脉冲形式进入反应室以沉积WBN膜。在一些实施方式中，所述工艺包括含硼、含氮、含钨反应物的脉冲的多个循环，每个循环包括多个含硼的脉冲。