-
公开(公告)号：CN105870119A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610085046.7
申请日：2016-02-14
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L27/10891 , C23C16/0272 , C23C16/08 , C23C16/30 , H01L21/28088 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L23/53257 , H01L23/53266 , H01L27/10823 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L29/40117 , H01L27/108 , H01L27/10844
摘要： 本发明涉及用于字线应用的钨，公开了用于在存储器器件中形成钨字线的方法和相关设备。本文还公开了用于沉积不含氟的钨(FFW)的方法和相关设备。根据多个实施方式，所述方法涉及使用氯化钨(WClx)前体和含硼(B)的、含硅(Si)的或含锗(Ge)的还原剂沉积多组分钨膜。
-
公开(公告)号：CN118382719A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202280082265.3
申请日：2022-12-09
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/02 , C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/36 , C23C16/34 , H01L21/285 , H01L21/768
摘要： 以大晶粒钨填充特征的方法包括沉积碳氮化钨(WCN)或氮化钨(WN)膜以加衬在所述特征。所述WCN或WN膜可以被处理，其为随后生长大晶粒钨提供模板。所述特征的顶部经过氮处理以抑制成核，促进其自下而上的生长。在一些实施方案中，单晶钨自下而上生长。以单晶钨至少部分填充特征的方法包括所述特征的处理。在一些实施方案中，单晶钨在所述特征没有衬垫层的情况下在所述特征中生长。
-
-
公开(公告)号：CN113424300A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201980092041.9
申请日：2019-12-13
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/285 , H01L27/11551 , H01L27/11578
摘要： 描述了提供具有低粗糙度的钨沉积的方法和装置。在一些实施方案中，该方法包括在使用氢作为还原剂的沉积钨的原子层沉积工艺期间使氮与氢共流。在一些实施方案中，所述方法包括在3D NAND结构的侧壁表面上沉积盖层，例如氧化钨或非晶钨层。所公开的实施方案具有广泛的应用，包括将钨沉积到3D NAND结构中。
-
公开(公告)号：CN110459503B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201910729470.4
申请日：2015-09-30
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及用核化抑制的特征填充，描述了用钨填充特征的方法，以及相关的系统和装置，其涉及钨核化的抑制。在一些实施方式中，所述方法涉及沿特征轮廓的选择性抑制。选择性抑制钨核化的方法可包括使所述特征暴露于直接或远程等离子体。使用预抑制和后抑制治疗来调节抑制效应，从而促进使用跨越宽的工艺窗口来抑制特征填充。本文所述的方法可用于填充垂直特征，诸如钨通孔，以及水平特征，诸如垂直NAND(VNANA)字元线。所述方法可用于共形填充和由下向上/由内向外的填充。应用的实例包括逻辑和存储接触填充、DRAM埋入式字元线填充、垂直集成存储栅极和字元线填充、以及使用通硅通孔的3‑D集成。
-
公开(公告)号：CN105870119B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201610085046.7
申请日：2016-02-14
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L27/10891 , C23C16/0272 , C23C16/08 , C23C16/30 , H01L21/28088 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L23/53257 , H01L23/53266 , H01L27/10823 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L29/40117
摘要： 本发明涉及用于字线应用的钨，公开了用于在存储器器件中形成钨字线的方法和相关设备。本文还公开了用于沉积不含氟的钨(FFW)的方法和相关设备。根据多个实施方式，所述方法涉及使用氯化钨(WClx)前体和含硼(B)的、含硅(Si)的或含锗(Ge)的还原剂沉积多组分钨膜。
-
公开(公告)号：CN105470194A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510644832.1
申请日：2015-09-30
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及用核化抑制的特征填充，描述了用钨填充特征的方法，以及相关的系统和装置，其涉及钨核化的抑制。在一些实施方式中，所述方法涉及沿特征轮廓的选择性抑制。选择性抑制钨核化的方法可包括使所述特征暴露于直接或远程等离子体。使用预抑制和后抑制治疗来调节抑制效应，从而促进使用跨越宽的工艺窗口来抑制特征填充。本文所述的方法可用于填充垂直特征，诸如钨通孔，以及水平特征，诸如垂直NAND(VNANA)字元线。所述方法可用于共形填充和由下向上/由内向外的填充。应用的实例包括逻辑和存储接触填充、DRAM埋入式字元线填充、垂直集成存储栅极和字元线填充、以及使用通硅通孔的3-D集成。
-
公开(公告)号：CN118318294A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202280079124.6
申请日：2022-11-30
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 李尚孝 , 阿南德·查德拉什卡 , 凯寒·阿比迪·阿施蒂尼 , 帕特里克·奥古斯特·范克利蒙布特 , 约瑟亚·科林斯 , 劳伦斯·施洛斯 , 桑杰·戈皮纳特 , 高举文
IPC分类号： H01L21/768 , C23C16/34
摘要： 用金属填充部分制造的半导体衬底的特征的填充方法包含在特征中沉积梯度金属氮化物层。梯度金属氮化物层的厚度和/或氮浓度随着特征深度而减小。在特征的顶部，梯度金属氮化物层可在随后的平坦化过程中作为粘附层。因为梯度金属氮化物层的厚度和/或氮浓度进入特征中进一步降低，所以它在特征的中段以及底部占据较小的体积。这改善了特征中的电阻率。该特征被填充金属。
-
公开(公告)号：CN116508146A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202080102566.9
申请日：2020-07-29
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 劳伦斯·施洛斯 , 阿南德·查德拉什卡 , 高举文 , 斯蒂芬妮·诺艾尔·桑德拉·萨温特-古伯特 , 潘宇
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本文中提供用于使用氮化钨势垒层形成低电阻率钨的方法及设备。方法涉及在沉积钨成核及块体钨层之前沉积极薄的氮化钨势垒层。方法适用于在3D NAND制造中制造钨字线以及适用于制造DRAM及逻辑制造的含钨组件。设备包含具有多个充注体积的处理站，以靠近于处理腔室的喷头对气体进行加压以处理半导体衬底。
-
公开(公告)号：CN112514052A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980051278.2
申请日：2019-07-31
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L27/11551 , H01L27/11524
摘要： 本发明描述了用导电材料填充半导体衬底结构的方法和装置。所述方法包括在结构中沉积多层主体金属膜，其中一种或多种沉积条件在从层到层过渡时改变。所述方法导致高填充质量、高产量、低前体消耗和低粗糙度。还提供了执行该方法的多站式室。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
18 条记录 (耗时 0.03 秒)
