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公开(公告)号：CN116884828A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310656152.6
申请日：2017-10-23
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/768 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及通过减少和去除金属氧化物形成接触和互连的系统和方法。一种在阻挡层上沉积金属层的方法包括：a)将衬底布置在处理室中。衬底已暴露于空气和/或氧化化学品中的至少一种，并且包含阻挡层和一个或多个下伏层，其中所述阻挡层包含选自由氮化钽、氮化钛、钽和钛组成的群组中的材料。所述方法包括：b)将选自由肼、包含氟物质的气体、包含氯物质的气体、肼的衍生物、氨、一氧化碳、包含脒基的气体和/或包含金属有机配体的气体组成的群组中的气体提供至所述处理室持续预定时间段以从所述阻挡层去除氧化。所述方法包括：c)在b)之后在所述阻挡层上沉积金属层。所述金属层包含选自由钴、铜、钨、钌、铑、钼和镍组成的群组中的金属。
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公开(公告)号：CN104752339A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410856793.7
申请日：2014-12-29
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明涉及实现低电阻率钨特征填充的钨成核工艺，具体公开了一种在半导体加工中用于在半导体基底的特征中沉积低电阻率钨的方法。所述方法涉及在钨成核层沉积期间使用含锗还原剂以实现薄的且低电阻率的成核层。
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公开(公告)号：CN110310919A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910418672.7
申请日：2014-12-29
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明涉及实现低电阻率钨特征填充的钨成核工艺，具体公开了一种在半导体加工中用于在半导体基底的特征中沉积低电阻率钨的方法。所述方法涉及在钨成核层沉积期间使用含锗还原剂以实现薄的且低电阻率的成核层。
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公开(公告)号：CN105470194B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201510644832.1
申请日：2015-09-30
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及用核化抑制的特征填充，描述了用钨填充特征的方法，以及相关的系统和装置，其涉及钨核化的抑制。在一些实施方式中，所述方法涉及沿特征轮廓的选择性抑制。选择性抑制钨核化的方法可包括使所述特征暴露于直接或远程等离子体。使用预抑制和后抑制治疗来调节抑制效应，从而促进使用跨越宽的工艺窗口来抑制特征填充。本文所述的方法可用于填充垂直特征，诸如钨通孔，以及水平特征，诸如垂直NAND(VNANA)字元线。所述方法可用于共形填充和由下向上/由内向外的填充。应用的实例包括逻辑和存储接触填充、DRAM埋入式字元线填充、垂直集成存储栅极和字元线填充、以及使用通硅通孔的3‑D集成。
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公开(公告)号：CN106169440B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201610332922.1
申请日：2016-05-18
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/0245 , C23C16/04 , C23C16/045 , C23C16/06 , C23C16/505 , C23C16/56 , H01L21/28562 , H01L21/76856 , H01L21/76862 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L21/76898 , H01L27/10891 , H01L27/11556 , H01L27/11582
摘要： 本发明涉及用多阶段核化抑制填充特征，描述了用钨填充特征的方法，以及相关的系统和装置，其涉及钨核化的抑制。在一些实施方式中，所述方法涉及沿特征轮廓的选择性抑制。选择性抑制钨核化的方法可包括使所述特征暴露于直接或远程等离子体。方法包括执行多阶段抑制处理，其包括各阶段之间的间隔。在间隔期间，可以使等离子体源功率、衬底偏置功率、或处理气体流量中的一种或多种降低或者使其关闭。本文所述的方法可用于填充垂直特征，如钨通孔，以及水平特征，如垂直NAND(VNANA)字线。所述方法可用于共形填充和由下向上/由内向外的填充。应用的实例包括逻辑和存储接触填充、DRAM埋入式字线填充、垂直集成存储栅极和字线填充、以及使用通硅通孔的3‑D集成。
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公开(公告)号：CN107978510A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201710990980.8
申请日：2017-10-23
申请人： 朗姆研究公司
CPC分类号： H01L21/02068 , H01L21/67028 , H01L21/76849 , H01L21/76861 , H01L21/76862 , H01L21/76864 , H01L21/76883 , H01L23/53209 , H01L21/02041 , H01L21/67017
摘要： 本发明涉及通过减少和去除金属氧化物形成接触和互连的系统和方法。一种在阻挡层上沉积金属层的方法包括：a)将衬底布置在处理室中。衬底已暴露于空气和/或氧化化学品中的至少一种，并且包含阻挡层和一个或多个下伏层，其中所述阻挡层包含选自由氮化钽、氮化钛、钽和钛组成的群组中的材料。所述方法包括：b)将选自由肼、包含氟物质的气体、包含氯物质的气体、肼的衍生物、氨、一氧化碳、包含脒基的气体和/或包含金属有机配体的气体组成的群组中的气体提供至所述处理室持续预定时间段以从所述阻挡层去除氧化。所述方法包括：c)在b)之后在所述阻挡层上沉积金属层。所述金属层包含选自由钴、铜、钨、钌、铑、钼和镍组成的群组中的金属。
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公开(公告)号：CN118366851A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410253150.7
申请日：2018-04-09
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 施卢蒂·维维克·托姆贝尔 , 拉什纳·胡马雍 , 米卡尔·达内克 , 照健·史蒂文·黎 , 约瑟亚·科林斯 , 汉娜·班诺乐克 , 格里芬·约翰·肯尼迪 , 戈鲁恩·布泰尔 , 帕特里克·范克利蒙布特
IPC分类号： H01L21/285 , H10B12/00 , H01L21/324 , H01L21/02
摘要： 本文提供了用于逻辑和存储器应用的低电阻金属化堆叠结构以及相关的制造方法。在一些实现方案中，所述方法涉及：在衬底上提供含钨(W)层；并且在所述含W层上沉积含钼(Mo)层。在一些实现方式中，该方法涉及直接在介电或氮化钛(TiN)衬底上沉积含Mo层，而没有中间的含W层。
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公开(公告)号：CN110731003A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201880038116.0
申请日：2018-04-09
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 施卢蒂·维维克·托姆贝尔 , 拉什纳·胡马雍 , 米卡尔·达内克 , 照健·史蒂文·黎 , 约瑟亚·科林斯 , 汉娜·班诺乐克 , 格里芬·约翰·肯尼迪 , 戈鲁恩·布泰尔 , 帕特里克·范克利蒙布特
IPC分类号： H01L21/285 , H01L27/108 , H01L21/02 , H01L21/324
摘要： 本文提供了用于逻辑和存储器应用的低电阻金属化堆叠结构以及相关的制造方法。在一些实现方案中，所述方法涉及：在衬底上提供含钨(W)层；并且在所述含W层上沉积含钼(Mo)层。在一些实现方式中，该方法涉及直接在介电或氮化钛(TiN)衬底上沉积含Mo层，而没有中间的含W层。
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