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公开(公告)号：CN104882399B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201510080217.2
申请日：2015-02-13
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 凯文·马丁戈尔 , 弗朗斯·凯瑟琳·瑟拉亚 , 李湘云 , 凯寒·阿比迪·阿施蒂尼
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/45563 , C23C16/45587 , C23C16/52 , H01L22/12
摘要： 本发明涉及用于改进晶片均匀性的装置和方法，具体而言，提供了一种半导体处理气流歧管，其使得歧管气流路径的气体流动特性能在半导体处理室的外部单独进行调节。气流歧管可连接到所述半导体处理室内部的处理气体分配装置。处理气体分配装置可具有多个气流通道，每个通道单独地连接到歧管气流路径，并瞄准半导体晶片上的区域。单个歧管气流路径的调节可改变通过每个处理气体分配气流通道分配到半导体晶片的相应区域的处理气体的量。
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公开(公告)号：CN107424955A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710337590.0
申请日：2017-05-15
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 黎照健 , 罗郑硕 , 拉什纳·胡马雍 , 迈克尔·达内克 , 凯寒·阿比迪·阿施蒂尼
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明涉及用于钴的锰阻挡层和粘附层。本发明提供了形成导电钴(Co)互连和Co特征的方法。所述方法包括在电介质上沉积含锰(Mn)的薄膜，随后在含Mn膜上沉积钴。含Mn膜可以沉积在诸如二氧化硅之类的含硅电介质上，并且退火以形成硅酸锰。
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公开(公告)号：CN118318294A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202280079124.6
申请日：2022-11-30
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 李尚孝 , 阿南德·查德拉什卡 , 凯寒·阿比迪·阿施蒂尼 , 帕特里克·奥古斯特·范克利蒙布特 , 约瑟亚·科林斯 , 劳伦斯·施洛斯 , 桑杰·戈皮纳特 , 高举文
IPC分类号： H01L21/768 , C23C16/34
摘要： 用金属填充部分制造的半导体衬底的特征的填充方法包含在特征中沉积梯度金属氮化物层。梯度金属氮化物层的厚度和/或氮浓度随着特征深度而减小。在特征的顶部，梯度金属氮化物层可在随后的平坦化过程中作为粘附层。因为梯度金属氮化物层的厚度和/或氮浓度进入特征中进一步降低，所以它在特征的中段以及底部占据较小的体积。这改善了特征中的电阻率。该特征被填充金属。
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公开(公告)号：CN105390437A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510516169.7
申请日：2015-08-20
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 尼莉莎·苏·德雷格 , 凯寒·阿比迪·阿施蒂尼 , 迪伊奈斯·帕德希 , 德里克·B·王 , 巴特·J·范施拉芬迪克 , 乔治·安德鲁·安东内利 , 阿图尔·科利奇 , 赵烈 , 帕特里克·A·范克利蒙布特
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76826 , C23C16/045 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/3105 , H01L21/76814 , H01L21/76825 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L21/76835 , H01L21/76877
摘要： 本发明涉及选择性超低k孔密封的可流动电介质，公开的方法和设备的实现涉及到用可流动的电介质材料对多孔电介质膜进行孔密封。该方法涉及在一定的条件下将上面具有暴露的多孔电介质膜的衬底暴露于气相电介质前体，使得在多孔电介质材料的孔中选择性地沉积可流动电介质材料。在任何暴露的金属表面上没有沉积连续膜的情况下可用所沉积的可流动电介质材料填充孔。
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公开(公告)号：CN117957636A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202280060963.3
申请日：2022-09-06
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 贾丝明·林 , 阿南德·查德拉什卡 , 刘钢 , 张星 , 凯寒·阿比迪·阿施蒂尼
IPC分类号： H01L21/285 , C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/768 , H10B12/00 , H10B41/27 , H10B43/27
摘要： 本文中提出用于包括特征填充处理的半导体处理的系统及方法。所述方法包括：在室中提供衬底，所述衬底具有待填充金属的特征；以及使金属前体和还原剂流动至所述室中，以在化学气相沉积(CVD)操作中在所述特征中沉积金属，其中所述CVD操作包括渐减阶段，在所述渐减阶段中进入所述室中的所述金属前体的流率从第一流率渐减至第二流率；或渐增阶段，在所述渐增阶段中进入所述室的所述金属前体的流率从第一流率渐增至第二流率。
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公开(公告)号：CN107424955B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201710337590.0
申请日：2017-05-15
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 黎照健 , 罗郑硕 , 拉什纳·胡马雍 , 迈克尔·达内克 , 凯寒·阿比迪·阿施蒂尼
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明涉及用于钴的锰阻挡层和粘附层。本发明提供了形成导电钴(Co)互连和Co特征的方法。所述方法包括在电介质上沉积含锰(Mn)的薄膜，随后在含Mn膜上沉积钴。含Mn膜可以沉积在诸如二氧化硅之类的含硅电介质上，并且退火以形成硅酸锰。
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公开(公告)号：CN111095488A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880059689.1
申请日：2018-08-10
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/02 , H01L21/768 , H01L27/11524 , H01L27/11529
摘要： 公开了在半导体衬底上沉积诸如钨之类的过渡金属的方法。该方法包括提供乙硼烷和余量的氢的气体混合物，其中氢用于稳定气体混合物中的乙硼烷。该方法还包括将气体混合物输送到半导体衬底以形成硼层，其中硼层用作还原剂层以将含金属的前体转化为金属，例如将含钨的前体转化为钨。在一些实现方式中，半导体衬底包含竖直结构，例如三维竖直NAND结构，其具有在竖直结构的侧壁中具有开口的水平特征或字线，其中硼层可共形地沉积在竖直结构的水平特征中。
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公开(公告)号：CN104882399A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510080217.2
申请日：2015-02-13
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 凯文·马丁戈尔 , 弗朗斯·凯瑟琳·瑟拉亚 , 李湘云 , 凯寒·阿比迪·阿施蒂尼
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/45563 , C23C16/45587 , C23C16/52 , H01L22/12
摘要： 本发明涉及用于改进晶片均匀性的装置和方法，具体而言，提供了一种半导体处理气流歧管，其使得歧管气流路径的气体流动特性能在半导体处理室的外部单独进行调节。气流歧管可连接到所述半导体处理室内部的处理气体分配装置。处理气体分配装置可具有多个气流通道，每个通道单独地连接到歧管气流路径，并瞄准半导体晶片上的区域。单个歧管气流路径的调节可改变通过每个处理气体分配气流通道分配到半导体晶片的相应区域的处理气体的量。
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