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公开(公告)号：CN107180787B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201710082515.4
申请日：2017-02-15
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/78 , H01L27/12 , B23K26/364 , B23K10/00
Abstract: 一种元件芯片及其制造方法。元件芯片的制造方法包括激光划片工序，对具备第1层和第2层的基板的分割区域从第2层侧照射激光，从而在分割区域形成具备露出第1层的露出部的开口，并且在包含露出部的第1层的表层部形成第1损伤区域，在第1损伤区域的附近且被第2层覆盖的第1层的表层部形成第2损伤区域。而且，包括各向同性蚀刻工序，在激光划片工序之后，通过使基板暴露于第1等离子体从而各向同性地蚀刻第1层，从而除去第1损伤区域和第2损伤区域。还包括等离子体切割工序，在各向同性蚀刻工序之后，在用支承构件支承了第2主面的状态下，将基板暴露于第2等离子体，各向异性地蚀刻第1层，从而将基板分割为具备元件区域的多个元件芯片。
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公开(公告)号：CN107039292B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201710063033.4
申请日：2017-01-25
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 一种元件芯片的制造方法、电子部件安装构造体及其制造方法，能够抑制安装过程中的导电性材料的爬升。将具有多个元件区域且元件面被绝缘膜(4)覆盖的基板分割而制造多个元件芯片(10)的元件芯片的制造方法中使用的等离子体处理工序中，通过将基板暴露于第一等离子体，将基板分割成元件芯片(10)，成为具备第一面(10a)、第二面(10b)及侧面(10c)的元件芯片(10)彼此隔开间隔地保持在载体(6)上且露出了绝缘膜(4)的状态，通过将这些元件芯片(10)暴露于灰化用的第二等离子体，使绝缘膜(4)后退而形成凹陷部(C)后，通过保护膜形成用的第三等离子体，用保护膜(12a)覆盖凹陷部(C)，抑制安装过程中导电性材料向侧面(10c)的爬升。
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公开(公告)号：CN106024566B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201610032933.8
申请日：2016-01-19
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32568 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01L21/67109 , H01L21/6833 , H01L21/6836 , H01L21/68742 , H01L21/78 , H01L2221/68327
Abstract: 一种等离子处理装置，具备：反应室；使反应室中产生等离子的等离子产生部；配置在反应室的内部，搭载输送载体的工作台；具备设置在工作台内部的电极部的静电吸附机构；在工作台上的搭载位置与从工作台向上方脱离的交接位置之间支撑输送载体的支撑部；和使支撑部相对于工作台升降的升降机构，1)在使支撑部下降，将输送载体搭载于工作台时，在进行设置在工作台内部的加热器对工作台的加热的状态下，静电吸附机构开始向电极部施加电压，在输送载体与工作台接触后，且停止加热器对工作台的加热后，等离子产生部产生等离子，或2)在使支撑部下降，将输送载体搭载于工作台时，支撑部支撑输送载体，以使框架在相对于工作台倾斜的状态下与工作台接触。
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公开(公告)号：CN105390360B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201510546576.2
申请日：2015-08-31
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，提高等离子体处理的工艺稳定性，对具备环状框架和保持片的传送载体所保持的基板实施等离子体处理，等离子体处理装置具备：腔体，具有能减压的处理室；工艺气体供给部，向处理室供给工艺气体；减压机构，对处理室减压；等离子体激发装置，使处理室内产生等离子体；台，载置传送载体并设置于腔体内；冷却机构，对台冷却；罩体，覆盖载置于台上的传送载体的保持片的一部分和框架的至少一部分，具有使基板的至少一部分露出到等离子体的窗部；矫正部件，将载置于台上的传送载体的框架向台推压来矫正所述框架的歪斜；移动装置，使矫正部件相对于框架的相对位置移动，矫正部件设置为独立于罩体并被罩体覆盖。
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公开(公告)号：CN106560915A
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201610865508.7
申请日：2016-09-29
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/31138 , H01L21/4853 , H01L21/6835 , H01L23/293 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2021/60007 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/03849 , H01L2224/26145 , H01L2224/32168 , H01L2224/83815 , H01L24/81 , H01L2224/811
Abstract: 本发明提供一种元件芯片的制造方法和电子部件安装结构体的制造方法。在将在元件区域形成了元件电极露出的凸部的基板进行分割来制造多个元件芯片(10)的元件芯片的制造方法中，通过蚀刻将基板进行分割后，使元件芯片(10)暴露于第2等离子体(P2)，由此在元件芯片(10)的第2面(10b)、侧面(10c)、空隙部(S)的第1面(10a)，形成由氟碳膜构成的保护膜，接下来使元件芯片(10)暴露于第3等离子体(P3)，由此使形成于空隙部(S)的保护膜的至少一部分残留，去除形成在元件芯片(10)的第2面(10b)、侧面(10c)的保护膜。由此，通过残留的保护膜来抑制安装过程中的导电性材料的爬升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106558541A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610825780.2
申请日：2016-09-14
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3185 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制安装过程中的导电性材料的爬升的元件芯片的制造方法。在对具有多个元件区域的基板进行分割来制造多个元件芯片的元件芯片的制造方法中所利用的等离子处理工序之中，通过使基板暴露于第1等离子体中，从而将基板分割为元件芯片(10)，具备第1面(10a)、第2面(10b)以及连结第1面(10a)和第2面(10b)的侧面(10c)的元件芯片(10)在载体(4)上成为相互空出间隔被保持的状态。通过使这些元件芯片(10)暴露于以氟化碳和氦的混合气体为原料气体的第2等离子体中，由此形成覆盖侧面(10c)的保护膜(12c)，来抑制安装过程中的导电性材料向侧面(10c)的爬升。
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公开(公告)号：CN105390361A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510546887.9
申请日：2015-08-31
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32651 , H01J37/32366 , H01J37/32633 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01L21/3065 , H01L21/32139 , H01L21/67109 , H01L21/67288 , H01L21/6831 , H01L21/6836 , H01L21/68721 , H01L21/68742 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381
Abstract: 一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，提高等离子体处理的工艺稳定性，对具备框架和保持片的传送载体所保持的基板实施等离子体处理，具备：腔体，具有减压的处理室；工艺气体供给部，向处理室供给工艺气体；减压机构，对处理室减压；等离子体激发装置，使处理室内产生等离子体；台，载置传送载体并设置于腔体内；冷却机构，冷却台；罩体，覆盖保持片的一部分和框架的至少一部分，具有使基板露出到等离子体的窗部；移动装置，使罩体相对于框架的相对位置移动，罩体具备：顶盖部，与载置于台上的框架相对；筒状周侧部，从顶盖部的周边缘向台侧延伸；矫正部件，从顶盖部和/或周侧部相对于载置于台上的框架突出，使框架推压台来矫正框架的歪斜。
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公开(公告)号：CN105390360A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510546576.2
申请日：2015-08-31
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32724 , H01J37/321 , H01J37/32651 , H01J37/32697 , H01L21/67092 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L21/68728 , H01L21/68742
Abstract: 一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，提高等离子体处理的工艺稳定性，对具备环状框架和保持片的传送载体所保持的基板实施等离子体处理，等离子体处理装置具备：腔体，具有能减压的处理室；工艺气体供给部，向处理室供给工艺气体；减压机构，对处理室减压；等离子体激发装置，使处理室内产生等离子体；台，载置传送载体并设置于腔体内；冷却机构，对台冷却；罩体，覆盖载置于台上的传送载体的保持片的一部分和框架的至少一部分，具有使基板的至少一部分露出到等离子体的窗部；矫正部件，将载置于台上的传送载体的框架向台推压来矫正所述框架的歪斜；移动装置，使矫正部件相对于框架的相对位置移动，矫正部件设置为独立于罩体并被罩体覆盖。
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公开(公告)号：CN102918640B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180025856.9
申请日：2011-05-25
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/3065
CPC classification number: B44C1/227 , H01L21/67109 , H01L21/67167 , H01L21/67742 , H01L21/67754 , H01L21/67757 , H01L21/681 , H01L21/68742 , H01L21/68771
Abstract: 等离子体处理装置(1)具备贮存部(2)、处理室(5)及校准室(4)。贮存部(2)供给和回收在贯通厚度方向的多个容纳孔(7a)的每一个中容纳了晶片(W)的可传送的托盘(7)。在处理室(5)中，对被容纳在从贮存部(2)供给的托盘(7)中的晶片(W)执行等离子体处理。校准室(4)具备搭载等离子体处理前的托盘(7)的旋转台(41)，进行旋转台(41)上的晶片(W)的定位。控制装置(6)的有无晶片判定部(6a)基于来自有无晶片检测传感器(44A、44B)的信号，判定搭载于校准室(4)的旋转台(41)上的托盘(7)的各容纳孔(7a)内是否存在晶片(W)。
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公开(公告)号：CN104616958A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410594299.8
申请日：2014-10-29
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Inventor： 置田尚吾
IPC: H01J37/32 , H01L21/311
CPC classification number: H01J37/32697 , H01J37/3211 , H01J37/3244 , H01J37/32568 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J37/32816 , H01J2237/002 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/78
Abstract: 本发明涉及等离子处理装置以及等离子处理方法。提升等离子处理装置中的等离子处理性能和静电吸附性能两者。干式蚀刻装置(1)将保持在具备框架(6)和保持片(5)的搬运载体(4)的晶片(2)作为处理对象。机台(11)的电极部(13)具备静电卡盘(17)。在静电卡盘(17)的上表面近旁内置第1静电吸附电极(24)和第2静电吸附电极(25)。第1静电吸附电极(24)是单极型，隔着保持片(5)静电吸附晶片(2)。第2静电吸附电极(25)是双极型，隔着保持片(5)静电吸附框架(6)，并静电吸附晶片(2)与框架(6)间的保持片(5)。
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