公开(公告)号：CN109290940A

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201810796740.9

申请日：2018-07-19

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 金马利文 ,  木下将毅 ,  盐川阳一

IPC: B24B37/013 ,  B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02

CPC classification number: B24B37/005 ,  B24B49/12 ,  G01B11/0625 ,  G01B11/0683 ,  B24B37/013 ,  B24B37/107 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02

Abstract: 提供能够高精度地测定膜厚而不影响晶片的研磨率的研磨装置及研磨方法。研磨装置具备：研磨头(5)，用于将晶片(W)按压于研磨垫；投光光纤(34)，具有顶端(34a)，并且连接于光源(30)，所述顶端配置在研磨台(3)内的流路(7)内；分光仪(26)，根据波长分解来自晶片的反射光并对各波长的反射光的强度进行测定；受光光纤(50)，具有顶端(50a)，并且连接于分光仪，所述顶端配置在流路内；处理部(27)，确定晶片的膜厚；液体供给线路(62)，与流路连通；气体供给线路(63)，与流路连通；液体供给阀(65)，安装于液体供给线路；气体供给阀(67)，安装于气体供给线路；以及动作控制部(71)，控制液体供给阀及气体供给阀的动作。

公开(公告)号：CN108789132A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810810886.4

申请日：2013-09-30

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 前田幸次 ,  下元博 ,  中野央二郎 ,  今井正芳 ,  盐川阳一

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/34 ,  H01L21/67

Abstract: 一种基板清洗装置，具有：保持基板(W)并使其旋转的基板保持部(1)；将药液供给到基板(W)上的药液喷嘴(11)；将双流体喷流供给到基板(W)上的双流体喷嘴(12)；以及使药液喷嘴(11)及双流体喷嘴(12)一体地从基板(W)的中心部向周缘部移动的移动机构(15,21,22)，药液喷嘴(11)及双流体喷嘴(12)隔开规定距离而相邻，关于药液喷嘴(11)及双流体喷嘴(12)的移动方向，药液喷嘴(11)位于双流体喷嘴(12)的前方。采用本发明，可高效地清洗晶片等基板。

公开(公告)号：CN104275642B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201410330519.6

申请日：2014-07-11

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林洋一 ,  渡边和英 ,  盐川阳一 ,  八木圭太 ,  木下将毅

IPC: B24B37/04 ,  B24B49/12 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/013 ,  G01B11/0625 ,  G01B11/0683 ,  G01B11/0691

Abstract: 种研磨装置,具有:对处于静止状态的基板的膜厚进行测量的在线型膜厚测量器(80);以及具有配置在研磨台(30A)内的膜厚传感器(40)的原位分光式膜厚监视器(39)。原位分光式膜厚监视器(39),从研磨基板前由在线型膜厚测量器(80)取得的初期膜厚中,减去研磨基板前由原位分光式膜厚监视器(39)取得的初期膜厚,由此确定补正值,对研磨基板中取得的膜厚加上补正值,由此取得监视膜厚,基于监视膜厚而监视基板的研磨进度。采用本发明,研磨装置能实现高精度的精加工性能。

公开(公告)号：CN107851570A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680043042.0

申请日：2016-07-06

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小畠严贵 ,  八木圭太 ,  盐川阳一

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明提供一种方法，是在处理液存在下，使基板与催化剂接触来处理基板。该方法具有：在用于高速处理基板的指定处理条件下对基板进行处理的步骤；及在同一基板的处理中，变更处理条件以低速处理基板的步骤。根据该方法，在基板处理程序途中，即使程序要求不同仍可进行最佳处理。

公开(公告)号：CN104842259A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510158582.0

申请日：2010-12-28

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 曾根忠一 ,  本岛靖之 ,  丸山彻 ,  大野胜俊 ,  盐川阳一

IPC: B24B37/015 ,  B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B55/02

CPC classification number: B24B37/015 ,  B24B37/042 ,  B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B55/02

Abstract: 提供了一种用于抛光基板的设备。所述设备包括：支撑抛光垫的可旋转抛光台；被构造为保持基板并且将基板压靠在所述旋转抛光台上的抛光垫的抛光面上从而抛光基板的基板保持器；被构造为测定抛光垫的抛光面温度的垫温度检测器；被构造为接触抛光垫的抛光面从而调节抛光面温度的垫温度调节器；以及被构造为通过基于所述垫温度检测器检测到的抛光面温度信息控制所述垫温度调节器以控制抛光面温度的温度控制器。

公开(公告)号：CN118809424A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410476091.X

申请日：2024-04-19

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 木下将毅 ,  八木圭太 ,  高桥太郎 ,  盐川阳一 ,  渡边夕贵

IPC: B24B37/005 ,  B24B49/12 ,  B24B37/30 ,  B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B27/00

Abstract: 本发明为膜厚测定装置、膜厚测定方法及基板研磨装置，膜厚测定装置具备：保持作为研磨对象的基板且能够使基板移动的头部件；由透明材料构成的载物台；向载物台上供给液体的液体供给部；将载物台上的液体向外部排出的液体排出部；隔着载物台配置于所述头部件的相反侧，对于隔着载物台配置的基板的表面进行光学性膜厚测定的计侧部；以及使载物台和头部件中的至少一方以接近另一方的方式移动，并且在基板的表面被液体浸湿的状态下对所述基板进行光照射而进行膜厚测定的控制部。

公开(公告)号：CN118254094A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311793004.5

申请日：2023-12-25

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 盐川阳一 ,  木下将毅 ,  渡边夕贵 ,  金马利文 ,  田上景太

IPC: B24B37/005 ,  B24B41/00 ,  B24B49/16

Abstract: 提供一种能够提高与膜厚测定值相对应的位置坐标的精度的研磨装置。研磨装置具备：测定研磨垫(1)的厚度的垫厚度测定装置；对于基板倾斜地照射光，决定测定点的膜厚测定值的光学式膜厚测定装置(30)；以及将表示测定点的位置的测定坐标与膜厚测定值相对应的控制装置(50)，基于表示研磨垫的厚度与测定坐标的移动量的关系的相关数据，决定与研磨垫(1)的厚度的测定值相对应的测定坐标的移动量，基于所决定的测定坐标的移动量来修正与膜厚测定值相对应的测定坐标。

公开(公告)号：CN116330147A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211668867.5

申请日：2022-12-21

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 木下将毅 ,  盐川阳一

IPC: B24B37/005 ,  B24B49/12 ,  B24B37/10

Abstract: 本发明提供一种能够实质上扩大来自工件的反射光的光谱的波长范围并测量准确的膜厚的膜厚测量方法和膜厚测量装置。根据膜厚测量方法，一边使支承研磨垫(2)的研磨台(3)旋转，一边将工件(W)向研磨垫(2)按压，从而对工件(W)进行研磨，在工件(W)的研磨期间，将光从配置于研磨台(3)的液封式传感器(25)和透明窗式传感器(31)向工件(W)引导，并且由液封式传感器(25)和透明窗式传感器(31)接收来自工件(W)的反射光，基于来自工件(W)的反射光的光谱来确定工件(W)的膜厚。

公开(公告)号：CN113927374A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202110717711.0

申请日：2021-06-28

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 盐川阳一 ,  八木圭太 ,  渡边夕贵 ,  纳齐格塔·查汗

IPC: B24B1/00 ,  B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B37/20 ,  B24B49/12

Abstract: 提供一种能够以高的精度来测定在表面具有各种构造要素的半导体晶片等基板的膜厚的研磨方法、研磨装置及计算机可读取的记录介质。研磨方法生成来自基板(W)上的多个测定点的反射光的多个光谱，基于各光谱的形状将多个光谱分类为属于第一群的多个一次光谱和属于第二群的二次光谱，并且通过多个一次光谱来确定基板(W)的多个膜厚，使用一次光谱或者多个膜厚来确定与二次光谱对应的检测点处的膜厚。

公开(公告)号：CN111584354B

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202010459633.4

申请日：2015-04-17

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小畠严贵 ,  八木圭太 ,  渡边和英 ,  盐川阳一 ,  丸山彻 ,  高桥信行

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  B24B37/04 ,  B24B37/20

Abstract: 蚀刻方法。本发明是改善使用CARE法的基板处理装置。一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而研磨基板的被处理区域，具备：基板保持部，被构成为保持基板；催化剂保持部，被构成为保持催化剂；以及驱动部，被构成为在基板的被处理区域与催化剂接触的状态下，使基板保持部与催化剂保持部相对移动。催化剂比基板小。