公开(公告)号：CN102136412B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201010593711.6

申请日：2010-12-17

Applicant: 索尼公司

Inventor： 久保井信行 ,  辰巳哲也

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明公开了一种半导体制造装置和半导体器件制造方法。所述半导体制造装置包括腔室、传感器、粘附概率计算部、作用部和控制部。在所述腔室中能够布置晶片。传感器检测表示所述腔室内的状态的指标值。粘附概率计算部被构造为根据检测出的所述指标值的值计算粒子粘附到所述腔室的腔室壁上的粘附概率的值。作用部能够改变所述腔室中的粘附概率。控制部被构造为控制所述作用部，使得由所述粘附概率计算部计算出的粘附概率为预定值。因此，通过控制粘附概率，可以将腔室壁维持在所需状态下并使蚀刻速率稳定，因而能够稳定地制造质量良好的半导体器件。

公开(公告)号：CN104065894A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410089943.6

申请日：2014-03-12

Applicant: 索尼公司

Inventor： 久保井信行

IPC: H04N5/3745 ,  H04N5/378 ,  H04N5/357 ,  H04N5/232 ,  H01L27/146

CPC classification number: H04N5/2353 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H04N5/2254 ,  H04N5/23212 ,  H04N5/238 ,  H04N5/351 ,  H04N5/357 ,  H04N5/3696 ,  H04N5/3745 ,  H04N9/045

Abstract: 本发明的实施例公开固态成像装置，固态成像装置的驱动方法以及电子设备。所公开的固态成像装置包括：多个像素，每个像素包括光电转换元件；以及透射率控制元件，设置在多个像素的至少一部分的光电转换元件的光入射侧并且构造为通过外部输入而改变入射光的透射率。

公开(公告)号：CN103136416A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210483320.8

申请日：2012-11-23

Applicant: 索尼公司

Inventor： 久保井信行 ,  辰巳哲也 ,  深泽正永

IPC: G06F17/50 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01J37/32972 ,  G01J1/429 ,  G06F17/5009 ,  G06F2217/16 ,  H01J37/32963 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明公开了模拟方法、模拟程序和半导体制造装置。一种模拟方法用于预测在制造半导体器件时由于紫外线造成的损伤量。该方法包括：通过基于粒子密度的微分方程执行模拟来计算粒子密度；基于计算的粒子密度来计算可见光波长区中的每个波长的发射强度；通过参照目标制造工艺中的发射种类和发射波长的信息将计算的可见光波长区中的每个波长的发射强度与实际检测的可见光波长区中的发射光谱相比较来获得电子能量分布函数；通过使用电子能量分布函数和有关发射种类的反应截面积来预测紫外线波长区中的发射光谱；并且基于预测的紫外线波长区中的发射光谱来预测由于紫外线造成的损伤量。

公开(公告)号：CN102881549A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210229382.6

申请日：2012-07-03

Applicant: 索尼公司

Inventor： 久保井信行 ,  深沢正永

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02043 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/28185

Abstract: 本发明涉及等离子体处理方法、等离子体处理装置及半导体装置的制造方法。所述等离子体处理方法包括以下步骤：由含有碳和氮的混合气体产生等离子体以生成CN活性物质，并且，利用所述CN活性物质处理半导体基体的表面。本发明能够提供减少晶体缺陷和金属污染的半导体基体处理方法。

公开(公告)号：CN101853780B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201010151515.3

申请日：2010-03-23

Applicant: 索尼公司

Inventor： 久保井信行 ,  小林正治

IPC: H01L21/00

CPC classification number: G01N23/00 ,  C23C14/48 ,  C23C14/54 ,  H01J37/3023 ,  H01L21/32137

Abstract: 公开了离子辐射损伤预测方法和仿真器以及离子辐射设备和方法。所述离子辐射损伤预测方法包括参数计算步骤，其通过考虑轰击制造目标的入射离子的传输路径，以及通过采用将入射离子的通量、入射能量和角度的分布作为输入参数的蒙特卡罗方法，来计算所述离子的碰撞位置和入射角度；以及缺陷分布计算步骤，其用于：通过参考在所述参数计算步骤得到的信息以及预先创建的数据库，来针对数据进行检索，其中所述数据库用于存储对所述制造目标具有影响的晶体缺陷量的分布、离子反射概率的分布以及离子穿透深度的分布；基于在检索操作中得到的所述数据以及入射离子的入射能量和角度，得到入射离子的穿透深度和位置；以及根据穿透深度和位置，计算制造目标中缺陷的分布。