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公开(公告)号:CN114450638B
公开(公告)日:2024-07-30
申请号:CN202080067850.7
申请日:2020-09-23
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor: M·斯维拉姆 , T·M·T·A·M·埃拉扎雷 , S·鲁 , 林宇翔 , J·L·克鲁泽
Abstract: 一种系统包括辐射源、第一相控阵列和第二相控阵列以及检测器。第一相控阵列和第二相控阵列包括光学元件、多个端口、波导和相位调制器。光学元件辐射辐射波。波导将辐射从多个端口中的一个端口引导到光学元件。相位调制器调整辐射波的相位。第一相控阵列和第二相控阵列中的一者或两者基于被耦合到辐射源的端口来形成被引导朝向目标结构的第一辐射束和/或第二辐射束。检测器接收由目标结构散射的辐射并且基于接收到的辐射来生成测量信号。
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公开(公告)号:CN116635795A
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202180086361.0
申请日:2021-12-02
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
Inventor: A·J·A·贝克曼 , 塞巴斯蒂安努斯·阿德里安努斯·古德恩 , S·鲁 , S·索科洛夫 , F·阿尔佩吉安尼
IPC: G03F9/00
Abstract: 一种方法,包括:用顺序照射镜头辐照目标结构;将来自所述目标结构的散射束朝向成像检测器引导;使用所述成像检测器来产生检测信号;以及至少基于所述检测信号来确定所述目标结构的性质。顺序照射镜头中的每个照射镜头的积分时间被选择以降低低频误差。
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公开(公告)号:CN115840333A
公开(公告)日:2023-03-24
申请号:CN202211280390.3
申请日:2015-11-16
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
Inventor: M·克鲁兹恩卡 , 马尔滕·M·M·詹森 , 约根·M·阿泽雷L , 埃里克·W·博加特 , 德克·S·G·布龙 , 马克·布鲁因 , 理查德·J·布鲁尔斯 , J·德克尔斯 , 保罗·詹森 , 穆罕默德·R·卡迈利 , R·H·G·克莱默 , R·G·M·兰斯博根 , M·H·A·里恩德尔斯 , 马太·利普森 , E·R·鲁普斯特拉 , 约瑟夫·H·莱昂斯 , S·鲁 , G·范德博世 , S·范德黑坎特 , S·范德格拉夫 , F·范德穆伦 , J·F·S·V·范罗 , B·L·M-J·K·韦伯罗根
Abstract: 一种适合用于光刻工艺中的掩模组件,所述掩模组件包括:图案形成装置;和表膜框架,所述表膜框架被配置用以支撑表膜且利用安装件而安装在所述图案形成装置上;其中所述安装件被配置成用以相对于所述图案形成装置悬置所述表膜框架,使得所述所述膜框架与所述图案形成装置之间有间隙;且其中所述安装件在所述图案形成装置与所述表膜框架之间提供以可释放的方式可接合的附接。
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公开(公告)号:CN107172884B
公开(公告)日:2022-11-04
申请号:CN201580062446.X
申请日:2015-11-16
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
Inventor: M·克鲁兹恩卡 , 马尔滕·M·M·詹森 , 约根·M·阿泽雷L , 埃里克·W·博加特 , 德克·S·G·布龙 , 马克·布鲁因 , 理查德·J·布鲁尔斯 , J·德克尔斯 , 保罗·詹森 , 穆罕默德·R·卡迈利 , R·H·G·克莱默 , R·G·M·兰斯博根 , M·H·A·里恩德尔斯 , 马太·利普森 , E·R·鲁普斯特拉 , 约瑟夫·H·莱昂斯 , S·鲁 , G·范德博世 , S·范德黑坎特 , S·范德格拉夫 , F·范德穆伦 , J·F·S·V·范罗 , B·L·M-J·K·韦伯罗根
Abstract: 一种适合用于光刻工艺中的掩模组件,所述掩模组件包括:图案形成装置;和表膜框架,所述表膜框架被配置用以支撑表膜且利用安装件而安装在所述图案形成装置上;其中所述安装件被配置成用以相对于所述图案形成装置悬置所述表膜框架,使得所述所述膜框架与所述图案形成装置之间有间隙;且其中所述安装件在所述图案形成装置与所述表膜框架之间提供以可释放的方式可接合的附接。
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公开(公告)号:CN115023658A
公开(公告)日:2022-09-06
申请号:CN202180010867.3
申请日:2021-01-21
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor: M·斯威拉姆 , T·M·T·A·M·埃拉扎里 , S·鲁 , 叶夫根尼·康斯坦丁诺维奇·沙马列夫
Abstract: 一种紧凑型传感器设备,具有照射束、束成形系统、偏振调制系统、束投射系统和信号检测系统。所述束成形系统被配置成对从照射系统产生的照射束进行成形且产生所述照射束的在从400nm至2000nm的波长范围内的平顶束斑。所述偏振调制系统被配置成提供所述照射束的线性偏振状态的可调谐性。所述束投射系统被配置成朝向诸如衬底上的对准标记的目标投射所述平顶束斑。所述信号检测系统被配置成收集包括从所述目标产生的衍射阶子束的信号束,并且基于所述信号束测量所述目标的特性(例如,重叠)。
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公开(公告)号:CN104662480B
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201380049621.2
申请日:2013-08-27
Applicant: ASML控股股份有限公司 , ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70191 , G01B11/2513 , G01D5/347 , G03F7/70716 , G03F7/70783 , G03F7/7085
Abstract: 本发明公开了一种光刻设备,包括:照射系统,配置成调节辐射束;支撑件,构造成保持图案形成装置,所述图案形成装置能够在辐射束的横截面上将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束;衬底台,构造成保持衬底;投影系统,配置成将图案化辐射束投影到衬底的目标部分上。光刻设备还包括编码器头,设计成扫描图案形成装置的表面,以确定在沿图案形成装置的长度的第一方向上的变形和在基本上垂直于图案形成装置的表面的第二方向上的变形。
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公开(公告)号:CN116783556A
公开(公告)日:2023-09-19
申请号:CN202280010440.8
申请日:2022-01-04
Applicant: ASML控股股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种量测系统,包括辐射源、可调整的衍射元件、光学系统、光学元件、和处理器。辐射源产生辐射。可调整的衍射元件使辐射衍射以产生第一辐射束和第二辐射束。第一束和第二束分别具有不同的第一非零衍射阶和第二非零衍射阶。光学系统将第一束和第二束朝向目标结构引导,使得分别基于第一束和第二束产生辐射的第一散射束和第二散射束。量测系统调整第一散射束与第二散射束的相位差。光学元件使第一散射束和第二散射束在产生检测信号的成像检测器处干涉。处理器接收并分析检测信号以基于经调整的相位差确定目标结构的性质。
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公开(公告)号:CN115702391A
公开(公告)日:2023-02-14
申请号:CN202180044426.5
申请日:2021-06-09
Applicant: ASML控股股份有限公司
IPC: G03F9/00
Abstract: 提供用于确定衬底的对准的系统、设备和方法。示例性方法可以包括朝向衬底的表面的区发射包括第一波长和第二波长的多波长辐射束。所述示例性方法还可以包括响应于所述多波长辐射束对所述区的辐照而测量指示处于所述第一波长的一阶衍射的第一衍射辐射束。所述示例性方法还可以包括响应于所述多波长辐射束对所述区的所述辐照而测量指示处于所述第二波长的一阶衍射的第二衍射辐射束。随后,所述示例性方法可以包括基于所测量的第一组光子和所测量的第二组光子来产生电子信号以用于确定所述衬底的对准位置。
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公开(公告)号:CN114450638A
公开(公告)日:2022-05-06
申请号:CN202080067850.7
申请日:2020-09-23
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor: M·斯维拉姆 , T·M·T·A·M·埃拉扎雷 , S·鲁 , 林宇翔 , J·L·克鲁泽
Abstract: 一种系统包括辐射源、第一相控阵列和第二相控阵列以及检测器。第一相控阵列和第二相控阵列包括光学元件、多个端口、波导和相位调制器。光学元件辐射辐射波。波导将辐射从多个端口中的一个端口引导到光学元件。相位调制器调整辐射波的相位。第一相控阵列和第二相控阵列中的一者或两者基于被耦合到辐射源的端口来形成被引导朝向目标结构的第一辐射束和/或第二辐射束。检测器接收由目标结构散射的辐射并且基于接收到的辐射来生成测量信号。
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