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公开(公告)号：CN113196172B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN201980077503.X
申请日：2019-10-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 周子理 , N·潘迪 , O·V·兹维尔 , P·沃纳尔 , M·范德沙尔 , E·G·麦克纳马拉 , A·J·登博夫 , P·C·欣南 , M·博兹库尔特 , J·J·奥腾斯 , K·布哈塔查里亚 , M·库比斯
IPC: G03F7/20
Abstract: 测量套刻的方法使用来自在衬底(W)上形成的一对子目标(1032，1034)上的位置(LOI)的多个非对称性测量。对于每个子目标，基于设计到子目标中的已知偏移变化，多个非对称性测量被拟合为非对称性与套刻之间的至少一个预期关系(1502，1504)。在一个示例中，通过变化顶部光栅和底部光栅的节距(P1/P2)，来提供连续的偏移变化。该对子目标之间的偏移变化相等并且相反(P2/P1)。套刻(OV)基于针对两个子目标的拟合关系之间的相对移动(xs)来被计算。将非对称性测量拟合为至少一个预期关系的步骤包括：完全或部分忽略偏离预期关系和/或落在拟合关系的特定段之外的测量(1506，1508，1510)。
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公开(公告)号：CN118068654A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410180427.8
申请日：2019-01-24
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种针对测量应用(335；340；345)优化(300)测量照射的带宽的方法、以及一种相关联的量测装置。该方法包括：利用具有参考带宽的参考测量照射，执行(305)参考测量；以及执行(310；325)一个或多个优化测量，上述一个或多个优化测量中的每个优化测量是利用具有变化的候选带宽的测量照射来执行的。将一个或多个优化测量与参考测量进行比较(320)；并且基于比较，为测量应用选择(330)最佳带宽。
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公开(公告)号：CN109073998B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201780027339.2
申请日：2017-03-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种确定图案化工艺的套刻的方法，该方法包括：获得检测到由单位单元的一个或多个物理实例重定向的辐射的表示，其中所述单位单元在套刻的标称值下具有几何对称性，并且其中通过用辐射光束照射衬底使得所述衬底上的光束斑点被所述单位单元的所述一个或多个物理实例填充来获得检测到的辐射的表示；以及由硬件计算机系统并且根据来自所述检测到的辐射的表示的光学特性值、与针对所述单位单元的第二套刻相分离地确定针对所述单位单元的第一套刻的值，所述第二套刻的值也从相同的光学特性值可获得，其中所述第一套刻处于与所述第二套刻不同的方向上，或者在与所述第二套刻不同的、所述单位单元的各部分的组合之间。
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公开(公告)号：CN113196172A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980077503.X
申请日：2019-10-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 周子理 , N·潘迪 , O·V·兹维尔 , P·沃纳尔 , M·范德沙尔 , E·G·麦克纳马拉 , A·J·登博夫 , P·C·欣南 , M·博兹库尔特 , J·J·奥腾斯 , K·布哈塔查里亚 , M·库比斯
IPC: G03F7/20
Abstract: 测量套刻的方法使用来自在衬底(W)上形成的一对子目标(1032，1034)上的位置(LOI)的多个非对称性测量。对于每个子目标，基于设计到子目标中的已知偏移变化，多个非对称性测量被拟合为非对称性与套刻之间的至少一个预期关系(1502，1504)。在一个示例中，通过变化顶部光栅和底部光栅的节距(P1/P2)，来提供连续的偏移变化。该对子目标之间的偏移变化相等并且相反(P2/P1)。套刻(OV)基于针对两个子目标的拟合关系之间的相对移动(xs)来被计算。将非对称性测量拟合为至少一个预期关系的步骤包括：完全或部分忽略偏离预期关系和/或落在拟合关系的特定段之外的测量(1506，1508，1510)。
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公开(公告)号：CN107710073B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201680034173.2
申请日：2016-05-31
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·B·范奥斯滕 , P·C·欣南 , R·C·M·德克鲁夫 , R·J·索查
Abstract: 公开了一种在光刻工艺期间监测焦距参数的方法。该方法包括分别获取第一目标和第二目标的第一测量值和第二测量值，其中第一目标和第二目标已经以相对最佳焦距偏移被曝光。该方法然后包括根据第一测量值和第二测量值确定焦距参数。还公开了相应的测量和光刻设备、计算机程序和制造器件的方法。
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公开(公告)号：CN109073996B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201780027336.9
申请日：2017-03-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种配置参数确定过程的方法，该方法包括：获得结构的数学模型，所述数学模型被配置为预测在用辐射光束照射所述结构时的光学响应，所述结构在标称物理配置下具有几何对称性；由硬件计算机系统使用所述数学模型来模拟所述结构的所述物理配置中的一定量的扰动，以确定多个像素中的每个像素中的所述光学响应的对应变化，从而获得多个像素灵敏度；以及基于所述像素灵敏度，确定多个权重，所述多个权重用于与衬底上的所述结构的经测量的像素光学特性值组合，以产生与所述物理配置中的变化相关联的参数的值，每个权重对应于一个像素。
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公开(公告)号：CN112255892B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202011207943.3
申请日：2017-02-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及对量测数据的贡献的分离。一种方法，包括：通过组合由图案化工艺处理的衬底上的第一变量的指纹和第一变量的特定值，来计算衬底的图案的或针对衬底的图案的第一变量的值；以及至少部分基于第一变量的所计算的值来确定图案的第二变量的值。
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公开(公告)号：CN112255892A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011207943.3
申请日：2017-02-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及对量测数据的贡献的分离。一种方法，包括：通过组合由图案化工艺处理的衬底上的第一变量的指纹和第一变量的特定值，来计算衬底的图案的或针对衬底的图案的第一变量的值；以及至少部分基于第一变量的所计算的值来确定图案的第二变量的值。
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公开(公告)号：CN109642876A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780053766.8
申请日：2017-08-03
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G01N21/956 , G03F7/20
Abstract: 一种方法涉及通过从衬底的特性的值中去除光刻设备对所述特性的贡献以及一个或多个光刻前工艺设备对所述特性的贡献，来确定在已经由一个或多个工艺设备根据图案化工艺处理所述衬底之后的所述一个或多个工艺设备对所述衬底的所述特性做出的贡献。
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