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公开(公告)号：CN110088685B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201780077607.1
申请日：2017-11-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种测量衬底的属性的方法，衬底在其上形成有多个目标，该方法包括：使用光学测量系统测量多个目标中的N个目标，其中N是大于2的整数，并且所述N个目标中的每一个目标被测量Wt次，其中Wt是大于2的整数，以便获得N*Wt个测量值；以及使用Q个方程和N*Wt个测量值来确定R个属性值，其中R
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公开(公告)号：CN110088685A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201780077607.1
申请日：2017-11-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种测量衬底的属性的方法，衬底在其上形成有多个目标，该方法包括：使用光学测量系统测量多个目标中的N个目标，其中N是大于2的整数，并且所述N个目标中的每一个目标被测量Wt次，其中Wt是大于2的整数，以便获得N*Wt个测量值；以及使用Q个方程和N*Wt个测量值来确定R个属性值，其中R
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公开(公告)号：CN101025571B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200710005123.4
申请日：2007-02-09
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股有限公司
IPC: G03F7/20 , G03F1/00 , H01L21/027 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/76816
Abstract: 以比用常规光刻技术更高的密度形成特征例如接触孔的方法包含形成牺牲正特征阵列、共形地沉积牺牲层以便与正特征交错地形成负特征、定向地蚀刻牺牲层和移除牺牲特征。结果是孔阵列的密度比原始牺牲特征高。然后利用所希望的处理使这些转移到下面的衬底中。而且，可重复该方法以建立甚至更高密度的阵列。
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公开(公告)号：CN1916603B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200510091733.1
申请日：2005-08-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·J·登博夫 , A·J·布里克 , Y·J·L·M·范多梅伦 , M·杜萨 , A·G·M·基尔斯 , P·F·鲁尔曼恩 , H·P·M·佩勒曼斯 , M·范德沙尔 , C·D·格劳斯特拉 , M·G·M·范克拉亚
CPC classification number: G01N21/8806 , G03F7/70341 , G03F7/70633 , G03F7/7065 , G03F9/7034
Abstract: 一种通过在一高数值孔径透镜的光瞳面中测量一角分解光谱从而确定基底特性的设备与方法，所述角分解光谱是由反射离开所述基底的辐射形成的。所述特性可依角度和波长而变化，并可包括横向磁和横向电偏振光的强度及其相对相位差。
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公开(公告)号：CN1534271A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN03164841.X
申请日：2003-09-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·J·德博伊夫 , F·博内布罗伊克 , H·A·J·克拉梅 , M·杜沙 , R·J·F·范哈伦 , A·G·M·基尔斯 , J·L·克鲁泽 , M·范德沙尔 , P·J·范维南 , E·C·莫斯 , P·W·H·贾格 , H·范德拉安 , P·F·利尔曼恩
CPC classification number: G03F9/7084 , G03F9/7046 , G03F9/7049 , G03F9/7076 , G03F9/7088 , G03F9/7092
Abstract: 一种器件检验的方法，该方法包括在器件上提供一个被检验的不对称标记，标记的不对称形式由要检验的参数决定，引导光至标记，通过检测特定波长的衍射光或衍射角，获得标记的第一位置测量，通过检测不同波长的衍射光或衍射角，获得标记的第二位置测量，比较第一与第二所测量位置以确定表示标记不对称程度的位移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118435127A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202280085458.4
申请日：2022-11-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： H·A·J·克拉默 , K·H·W·范登伯斯 , M·加西亚·格兰达 , M·范德沙尔 , W·P·E·M·奥普·特·鲁特
Abstract: 公开了一种从聚焦目标、相关衬底和相关图案形成装置测量焦距参数的方法。聚焦目标至少包括第一子目标和第二子目标，每个子目标具有至少一个周期性主要特征，其中主要特征的至少一些子元素的相应节距和/或尺寸参数被配置为使得所述第一子目标和第二子目标具有相应的不同的最佳焦距值；并且其中每个所述主要特征形成有焦距依赖的质心和/或节距。该方法包括从所述第一子目标获得第一测量信号并从所述第二子目标获得第二测量信号；确定所述第一测量信号和第二测量信号的差信号；以及从所述差信号确定所述焦距参数。
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公开(公告)号：CN110546577A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880027592.2
申请日：2018-04-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种测量与结构形成过程有关的感兴趣参数(例如，套刻)的n个值的方法，其中n＞1。该方法包括：对n+1个目标中的每一个执行n个测量，每个测量利用具有不同波长和/或偏振组合的测量辐射来执行；以及从n+1个目标的n个测量中确定感兴趣参数的n个值，n个值中的每一个与针对不同成对的层的感兴趣参数有关。每个目标包括n+1个层，每个层包括周期性结构，目标包括具有利用相对于其他层的位置偏差形成的至少一个偏置周期性结构的至少n个偏置目标，在每个偏置目标中偏置周期性结构位于各层的至少一个不同层中。还公开了一种具有这样的目标的衬底以及一种用于形成这样的目标的图案化装置。
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公开(公告)号：CN1892440B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200610100136.5
申请日：2006-06-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G03F7/70641 , G03F7/70683
Abstract: 器件制造法使用的一个或多个聚焦设置的确定可通过印制多个具有不同聚焦设置的目标标记，并使用散射计，如离线的散射计，测量作为聚焦指示的目标标记的性质。
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公开(公告)号：CN1534387A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN03164840.1
申请日：2003-09-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F9/00 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F9/7084 , G03F9/7046 , G03F9/7049 , G03F9/7076 , G03F9/7088 , G03F9/7092
Abstract: 在基底上用于所述基底光学对准的标记结构，所述标记结构包括多个第一结构元件和多个第二结构元件，在使用所述标记结构中，用于提供所述的光学对准，根据设置直接照射在所述标记结构上的至少一个光束，用传感器检测从所述标记结构上接收到的光线，由所述被检测的光确定对准信息，所述对准信息包括与所述基底到所述传感器的位置相关的信息。
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公开(公告)号：CN113196172B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN201980077503.X
申请日：2019-10-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 周子理 , N·潘迪 , O·V·兹维尔 , P·沃纳尔 , M·范德沙尔 , E·G·麦克纳马拉 , A·J·登博夫 , P·C·欣南 , M·博兹库尔特 , J·J·奥腾斯 , K·布哈塔查里亚 , M·库比斯
IPC: G03F7/20
Abstract: 测量套刻的方法使用来自在衬底(W)上形成的一对子目标(1032，1034)上的位置(LOI)的多个非对称性测量。对于每个子目标，基于设计到子目标中的已知偏移变化，多个非对称性测量被拟合为非对称性与套刻之间的至少一个预期关系(1502，1504)。在一个示例中，通过变化顶部光栅和底部光栅的节距(P1/P2)，来提供连续的偏移变化。该对子目标之间的偏移变化相等并且相反(P2/P1)。套刻(OV)基于针对两个子目标的拟合关系之间的相对移动(xs)来被计算。将非对称性测量拟合为至少一个预期关系的步骤包括：完全或部分忽略偏离预期关系和/或落在拟合关系的特定段之外的测量(1506，1508，1510)。
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