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公开(公告)号：CN102187281B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN200980141048.1
申请日：2009-10-15
申请人： 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC分类号： G03F7/70925 , G03F1/82 , G03F1/86 , G03F7/70733 , G03F7/7085 , G03F7/70866
摘要： 本发明涉及一种EUV光刻装置，包括：照明单元，用于照明所述EUV光刻装置中的照明位置处的掩模；以及投射单元，用于将设置在所述掩模上的结构投射到光敏基底上。所述EUV光刻装置具有处理单元(15)，用于在所述EUV光刻装置中的处理位置处，优选以局部分辨的方式，处理光学元件(6a)，尤其是掩模。为了激活所述气体流(27)的至少一个气体成分，所述处理单元(15)包括用于产生辐射的辐射源、用于产生粒子流(尤其是电子束)的粒子产生器(30)、和/或高频产生器。
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公开(公告)号：CN103782365A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201280043092.0
申请日：2012-06-22
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： B08B7/0028 , B08B7/0014 , G03F7/707 , G03F7/70925
摘要： 本发明提供一种不需将EUV曝光装置的真空腔室内曝露在大气下、即能够简易进行该腔室内的掩模版吸盘的清洁、有助于提升EUV曝光装置的运转率的掩模版吸盘洁净器，其是用于清洁EUV曝光装置的掩模版吸盘的掩模版吸盘洁净器A，具备：贴附于掩模版吸盘的吸附区域的粘着剂层1；层叠于该粘着剂层1的支撑层2；及具有能够输送至掩模版吸盘的形状的基板3，支撑层2与基板3在部分粘着层4的接合区域41被部分地接合。
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公开(公告)号：CN1766731B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN200510119945.6
申请日：2005-09-30
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： M·M·J·W·范赫彭 , V·Y·巴尼内 , J·H·J·莫尔斯 , C·I·M·A·斯皮 , D·J·W·克鲁德 , P·C·扎姆
CPC分类号： B82Y10/00 , B08B7/0035 , B08B17/04 , G03F7/70925 , G03F7/70983 , G21K1/062
摘要： 沉积物去除、光学元件保护方法、器件制造法和光刻设备本发明提供了一种去除包括光学元件的设备的光学元件上沉积物的方法，该方法包括在该设备的至少一部分内提供含有H2的气体；从含H2气体中的H2产生氢自由基；以及使具有沉积物的光学元件与至少部分氢自由基接触，并且去除沉积物的至少一部分。此外，本发明提供了一种包括光学元件的设备的光学元件的保护方法，该方法包括：通过沉积过程向光学元件提供盖层；和在设备使用期间或使用之后，在如上所述的去除过程中，从光学元件上去除盖层的至少一部分。该方法可用在光刻设备中。
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公开(公告)号：CN101681114B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN200780053335.8
申请日：2007-06-12
申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC分类号： G02B5/0816 , B82Y10/00 , C23C14/34 , C23C14/3492 , C23C16/52 , G02B5/0891 , G03F7/70033 , G03F7/70916 , G03F7/70925 , G21K1/06
摘要： 本发明涉及光学设备和原位处理所述光学设备中的反射EUV和/或软X射线辐射的光学部件(2，6，13)的方法，所述光学部件(2，6，13)设置在所述光学设备的真空室(14)中并且包括一个或多个具有一种或多种表面材料的顶层的反射表面(3)。在该方法中，在所述光学设备的所述室(14)中提供所述一种或多种表面材料的源(1，5)，并且在所述光学设备的操作期间和/或操作暂停期间将来自所述源(1，5)的表面材料沉积到所述一个或多个反射表面(3)上，以便覆盖或取代沉积的污染物材料和/或补偿消融的表面材料。
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公开(公告)号：CN102298274A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110251781.8
申请日：2007-05-18
申请人： 株式会社尼康
发明人： 中野胜志
CPC分类号： G03F7/70341 , G03F7/70925
摘要： 本发明提供一种曝光方法及装置、维护方法、以及组件制造方法。曝光方法是在投影光学系统PL的像面侧移动的衬底载台PST上的衬底保持具PH上保持衬底P，使用从液体供给机构(10)供给的液体(1)，在投影光学系统PL的像面侧形成液浸区域AR2，而以曝光用光EL经由投影光学系统PL与液浸区域AR2来曝光衬底P。在不进行衬底P的曝光的期间，将液浸区域AR2与衬底载台PST相对移动，来洗净衬底保持具PH上部，并且将液浸区域AR2与计测载台MST相对移动，来洗净计测载台MST上部。可使用洗净液作为洗净时形成液浸区域AR2的液体。用液浸法进行曝光时，可抑制杂质混入液体中，并以高生产率执行高解像度的液浸曝光。
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公开(公告)号：CN102156388A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010597923.1
申请日：2010-12-16
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G03F7/70925 , G03F7/707 , G03F7/70741 , G03F7/7075 , H01J37/32862 , H01J37/32889 , Y10T428/24008
摘要： 本发明公开了一种具有改进的用于等离子体清洁处理的适应性的物体。所述物体包括：第一外表面区域；第二外表面区域，其中所述物体构造并布置成与可去除盖协同操作使得所述盖可连接至所述物体以覆盖所述第二外表面区域，且其中与所述可去除盖连接的所述物体适于在等离子体清洁装置内被清洁，使得所述等离子体清洁装置不暴露给存在于第二外表面区域的颗粒，和其中所述第一外表面区域在等离子体清洁装置内被清洁。
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公开(公告)号：CN102073221A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201110022569.4
申请日：2008-02-14
申请人： ASML控股股份有限公司
发明人： 哈里·休厄尔 , 路易斯·约翰·马克亚
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70925 , G03F7/70341
摘要： 提供了一种浸没式光刻设备，其包括：能量源；投影光学系统；台；包括浸没液体供应装置和浸没液体排出装置的喷头在曝光区域内产生液体流；和清洁装置，所述清洁装置使用清洁气体清洁投影光学系统与浸没液体接触的部分。在实施例中，清洁装置包括向曝光区域提供清洁气体流的气体供应装置和气体排出装置。在实施例中，该设备包括含有剂量传感器和/或紫外光源的台。还提供了一种用于在具有向浸没式光刻系统的曝光区域提供浸没流体的浸没流体喷头的浸没式光刻系统中原地清洁最后的透镜元件的方法。
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公开(公告)号：CN101385125B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200780005867.4
申请日：2007-05-22
申请人： 株式会社尼康
发明人： 中野胜志
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70925 , G03F7/70341 , G03F7/7085 , G03F7/70916 , G03F9/7088 , G03F9/7096
摘要： 经由投影光学系统PL及液体1用曝光用光EL使衬底P曝光的曝光方法，具有：第1步骤，在规定动作中、以光学方式观察与上述液体接触的液体接触部的至少一部分的被检测部的状态，将所得到的第1观察信息进行储存；第2步骤，在上述规定动作后，以光学方式观察上述被检测部的状态以获得第2观察信息；以及第3步骤，比较上述第1观察信息与上述第2观察信息，来判定上述被检测部有无异常。
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公开(公告)号：CN1791793B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200480013804.X
申请日：2004-05-18
申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC分类号： B08B3/08
CPC分类号： G21K1/06 , B08B7/00 , B08B7/0057 , B82Y10/00 , G03F7/70166 , G03F7/70925 , G03F7/70941
摘要： 本发明涉及一种至少一个照射设备的至少一个光学元件的清洁方法，该照射设备在一个真空室中具有至少一个产生尤其是强紫外线和/或软x射线的辐射源，其射线通过该光学元件引到一个待处理的工件上，由于通过该辐射源带入的无机物质，该光学元件至少部分地被污染。为此，建议将至少一种对射线(118)基本上透光或透明的反应组分(124)根据当前的反应条件通过一个供料装置(126)输入，该反应组分与沉积物(128)起化学反应，从而将其从光学元件(110)上去除掉。
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公开(公告)号：CN101140426B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710148346.6
申请日：2007-08-31
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 约翰尼斯·卡萨瑞纳斯·休伯特斯·穆尔肯斯
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70925 , G03F7/70341 , G03F7/70858 , G03F7/70916
摘要： 描述了一种在浸没式液体光刻设备中的再循环浸没流体的系统。公开了一种包括多条并行路径的循环路径，其中每一条路径具有其自身的并行液体处理单元，所述并行液体处理单元被优化用于处理通过其引导的流体。
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