公开(公告)号：CN101499324A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910007036.1

申请日：2009-02-01

申请人： 精工电子有限公司

发明人： 佐藤丰 ,  宇都宫文靖 ,  冈智博

IPC分类号： G11C29/00 ,  G11C16/06

CPC分类号： G11C29/50 ,  G11C16/04 ,  G11C29/50004

摘要： 本发明提供即使阈值电压为负电位也实现正电位时同样的测试方法的特性评价的半导体存储装置。本发明的半导体存储装置具有存储数据的多个存储单元，通过测试信号的输入，进行从正常模式过渡到进行存储单元的特性评价的测试模式，其中包括：选择存储单元的存储单元选择部；发生基准电压的恒压部；发生基准电流的恒流部；将X选择信号或从外部端子输入的电压信号中的任一个供给存储单元的栅极的Y开关电压切换控制电路；向通过Y选择信号来选择的存储单元的漏极供给参考电流的Y开关部；检测漏极的电压即漏极电压是否超过基准电压的比较器；以及在测试模式下，通过控制信号来调整基准电流的电流值以及基准电压的电压值，并变更比较器的判定电平的判定电平变更部。

公开(公告)号：CN101206921A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200610147709.X

申请日：2006-12-21

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 缪威权 ,  陈良成 ,  钟灿 ,  刘鉴常

IPC分类号： G11C16/10 ,  G11C29/00

CPC分类号： G11C16/3418 ,  G11C16/04 ,  G11C16/3427 ,  G11C29/02 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/50 ,  G11C29/50004

摘要： 本发明公开了一种减小存储单元写入扰乱的方法，包括以下步骤：寻找能保证存储单元正常写入的初始写入条件；挑选初始写入条件中的两个参数作为写入扰乱测试的变量；至少针对该两个参数的两个组合值，对存储单元进行写入扰乱测试；根据写入扰乱测试结果，得到使存储单元写入扰乱最小的最小扰乱写入条件；应用得到的最小扰乱写入条件作为存储单元进行写入操作时的写入条件。通过本发明减小存储单元写入扰乱的方法使得存储单元写入操作时的写入扰乱最小，并且操作方便。

公开(公告)号：CN101163976A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200680011925.X

申请日：2006-04-11

申请人： 爱特梅尔公司

发明人： 泰耶·塞特

IPC分类号： G01R31/08

CPC分类号： G11C16/3418 ,  G11C5/143 ,  G11C16/04 ,  G11C16/30 ,  G11C29/50 ,  G11C29/50004 ,  H03K17/223

摘要： 一种持续低电压检测电路包含读出放大器(100)，其用于感测由快闪单元展示出的电流电平。组合逻辑(126)耦合到所述读出放大器(100)，用于基于所述感测到的电流电平来识别所述快闪单元的编程状况，包含持续低电压状况，以便提供警报(206)从而避免由于持续低电压状况而引起潜在故障。

公开(公告)号：CN101091223A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200480044705.8

申请日：2004-12-24

申请人： 斯班逊有限公司 ,  斯班逊日本有限公司

发明人： 加藤健太 ,  古山孝昭

IPC分类号： G11C29/00 ,  G11C16/02

CPC分类号： G11C29/1201 ,  G11C5/14 ,  G11C16/08 ,  G11C16/16 ,  G11C16/30 ,  G11C29/50004 ,  G11C29/82 ,  G11C2029/5006

摘要： 在步骤1中，施加偏压(ON)至所有直列Z1(0)至Z1(2)。关于横列，不施加偏压(OFF)至有不良区段存在之横列Z2(0)并且施加偏压(ON)至其它的横列Z2(1)与Z2(2)。在横列Z2(1)与Z2(2)的区段上，施加电压应力且进行访问操作。在步骤2中，关于所述直列，不施加偏压(OFF)至有不良区段存在的直列Z1(1)且施加偏压(ON)至其它的直列Z1(0)与Z1(2)。关于所述横列，施加偏压(ON)至有不良区段存在的横列Z2(0)，且不施加偏压(OFF)至其它的横列Z2(1)与Z2(2)。至于这两个步骤，可将电压应力施加至除了不良区段以外的区段一次。

公开(公告)号：CN101022037A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200610084265.X

申请日：2006-05-30

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 刘承杰 ,  刘振钦 ,  黄兰婷

IPC分类号： G11C16/14 ,  G11C11/56

CPC分类号： G11C16/344 ,  G11C16/04 ,  G11C16/16 ,  G11C29/02 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/50004

摘要： 一种用于譬如闪存的包含以行列方式配置的存储器单元的非易失性存储器的区段抹除方法，存储器单元被分割成多个区段。区段抹除方法包含：通过施加电压大小或脉冲宽度逐渐增加的连续抹除脉冲来抹除第一区段的存储器单元，直到第一区段的抹除确认为止；记录对应于第一区段的抹除状态信息，需要施加包含连续抹除脉冲的次数的此信息，以便抹除第一区段的存储器单元。通过施加具有从所记录的抹除状态信息决定的电压大小或脉冲宽度的第一抹除脉冲，可抹除下一区段的存储器单元。如果第一抹除脉冲无法抹除下一区段，则可增加第一抹除脉冲。

公开(公告)号：CN1921015A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200610115051.4

申请日：2006-08-17

申请人： 赛芬半导体有限公司

发明人： 阿萨夫·沙皮尔 ,  盖伊·科亨 ,  埃利·卢斯基

IPC分类号： G11C16/26

CPC分类号： G11C16/28 ,  G11C16/04 ,  G11C16/0475 ,  G11C29/02 ,  G11C29/021 ,  G11C29/026 ,  G11C29/28 ,  G11C29/50 ,  G11C29/50004

摘要： 一种方法，包括改变用于读取一组存储单元的读取参考电平，其作为不同组存储单元的阈值电压分布中的改变的函数。所述改变步骤包括确定与非易失性存储单元阵列的一组存储单元相关联的一组历史单元的历史读取参考电平，能够正确读取所述一组历史单元，根据第一读取参考电平选择存储器读取参考电平，以及读取所述非易失性存储阵列单元。

公开(公告)号：CN1819061A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200510115154.6

申请日：2005-11-14

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 谢文义 ,  陈耕晖 ,  洪俊雄 ,  陈汉松 ,  郭乃萍 ,  林清淳 ,  余传英

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C11/409 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C16/28 ,  G11C16/04 ,  G11C16/0475 ,  G11C29/028 ,  G11C29/24 ,  G11C29/50004 ,  G11C2211/5634

摘要： 本发明披露一种存储器元件，其包括多条字线，以及在多种模式之一中操作且与上述这些字线中至少一条连接的多个存储器储存单元。该存储器元件亦包括多条参考线及多个参考储存单元。各参考储存单元皆与上述这些操作模式中之一种对应，针对该对应模式供应一参考电流，且与上述这些参考线中至少一条连接。亦可将来自参考储存单元的参考储存单元电流与一目标范围比较，若落在目标范围外，可因此调整在对应参考线上的电压电平，使得参考电流落在目标范围之内(即，参考电流补偿)。

公开(公告)号：CN1819055A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200510129390.3

申请日：2005-12-07

申请人： 赛芬半导体有限公司

发明人： 爱德华多·马彦 ,  盖伊·科恩 ,  博阿兹·艾坦

IPC分类号： G11C11/34 ,  G11C16/06 ,  G11C7/00 ,  H01L27/105

CPC分类号： G11C29/28 ,  G11C16/04 ,  G11C16/0475 ,  G11C29/02 ,  G11C29/021 ,  G11C29/026 ,  G11C29/50 ,  G11C29/50004

摘要： 本发明公开了一种非易失性存储器存储单元的读取方法，包括：改变读取参考电平，用于读取一组存储器存储单元，作为不同组存储器存储单元的阈值电压分布中的变量函数。其步骤改变包括：确定一个历史读取参考电平用于至少一个历史存储单元的正确读取，根据第一个读取参考电平，选择一个存储器读取参考电平，然后读取至少一个正在使用存储器读取参考电平的历史存储单元相关的非易失性存储器阵列单元。本发明达到了在各种操作条件下对非易失性存储器存储单元精确读取的有益效果。

公开(公告)号：CN1670937A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200410057253.9

申请日：2004-08-26

申请人： 富士通株式会社

发明人： 松井范幸

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01R31/28 ,  G11C29/00

CPC分类号： G11C29/50004 ,  G11C16/04 ,  G11C29/08 ,  G11C29/50

摘要： 本发明生成比由正常的写/擦除操作所生成的更多的热空穴，从而使得可以针对热空穴来评估非易失性存储器的操作。本发明在比正常使用时的正常温度更低的温度下，或/和在比正常使用时的正常操作电压更低的操作电压下，对非易失性存储器进行写操作，以在该存储器的浮置栅极与漏极之间生成比由正常的写/擦除操作所生成的更多的热空穴，然后在将所述存储器暴露于正常工作温度期间评估该存储器的操作。本方法适用于诸如闪存之类的非易失性存储器的可靠性测试。

公开(公告)号：CN1427467A

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN02107465.8

申请日：2002-03-19

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 周铭宏 ,  黄俊仁 ,  吕瑞霖 ,  林东煌

IPC分类号： H01L21/82

CPC分类号： G11C29/50004 ,  G11C16/04 ,  G11C16/16 ,  G11C29/006 ,  G11C29/50 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282

摘要： 本发明为一种非挥发性存储结构释放电荷累积的方法，包括下列步骤：施加电抹除信号于该晶粒上的该非挥发性存储结构；及在促使该抹除信号所致电荷扩散的条件下烘烤该晶圆；其中，该电抹除信号通过佛勒－诺德汉穿隧产生负闸极通道抹除；该电抹除信号也可通过佛勒－诺德汉穿隧产生负闸极源极侧抹除；该电抹除信号产生热电洞抹除；该非挥发性存储结构包含ONO结构；该烘烤包含加热该晶圆至80与150℃之间，或者在150与250℃之间；本发明在分割晶圆成为晶粒前使用电抹除信号预抹除非挥发性存储单元，克服了传统上利用曝晒紫外光辐射方法而不能完全消除电荷累积的缺陷。