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公开(公告)号：CN115537916A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211250851.2
申请日：2022-10-13
申请人： 上海理工大学
发明人： 张立瑶
摘要： 本发明公开了一种IV族直接带隙半导体超晶格材料及其应用。该超晶格材料是在Ge衬底或Si上外延虚拟Ge衬底上生长的GeSn/SiSn异质结，所述的GeSn/SiSn异质结与Ge晶格匹配形成超晶格结构，所述GeSn/SiSn异质结包括多个周期性重复的Si1‑xSnx层和Ge1‑ySny层。本发明通过常规分子束外延生长方法，即可制备出与Ge晶格匹配的IV族直接带隙半导体超晶格材料，基于该超晶格材料制备的相应的激光器具有优异的性能，解决了现有技术中虚拟衬底生长难度大，以及高密度位错降低器件性能的问题。此外，本发明的制备工艺简单，易于控制，适合规模化生产及应用。
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公开(公告)号：CN115528542A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202110710538.1
申请日：2021-06-25
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种带有应变超晶格结构的AlGaInP红光半导体激光器件及其制备方法，由下至上依次包括衬底、缓冲层、下过渡层、下限制层、下波导层、(Ala1Ga1‑a1)b1In1‑b1P/(Ala1Ga1‑a1)b2In1‑b2P应变超晶格、第一量子阱、垒层、第二量子阱、上波导层、第一上限制层、腐蚀终止层、第二上限制层、上过渡层和GaAs帽层；本发明AlGaInP渐变波导层生长后，插入应变超晶格结构，提升材料生长质量，抑制界面非辐射复合，从而降低阈值电流，提高老化特性。
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公开(公告)号：CN115323493A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211166701.3
申请日：2022-09-23
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明公开了一种大尺寸层状FeOCl单晶及其制备方法，属于金属氧氯化合物材料制备技术领域。本发明公开的一种大尺寸层状FeOCl单晶的制备方法，采用FeCl3`6H2O制备得到FeOCl粉末，随后将FeOCl粉末通过热端和冷端不同的加热程序的设置进行加热处理，最终得到大尺寸层状FeOCl单晶；由于不使用FeCl3，避免了在制备过程中FeCl3的气化，没有杂质出现，同时制备过程环境压力低，制备条件简单易实现，具有良好的应用前景。采用本发明制备得到的大尺寸层状FeOCl单晶，纯度高、质量好，具有良好的应用价值。
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公开(公告)号：CN115233310A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210955784.8
申请日：2022-08-10
申请人： 嘉兴学院
IPC分类号： C30B29/64 , C30B29/68 , C30B29/02 , B22F1/054 , B22F1/102 , C30B7/00 , C30B29/18 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种环状聚乙二醇修饰的二维超晶格薄膜及其制备方法和应用，该二维超晶格薄膜是由一系列形貌统一的环状聚乙二醇修饰的纳米粒子经组装有序排列而成的单层结构，且所述纳米粒子呈现高度有度的六角堆积周期性排列。其制备方法为：以纳米颗粒为基本构筑单元，通过表面配体修饰后在溶液中自组装形成结构稳定的二维超晶格薄膜，所述表面配体为双巯基修饰的聚乙二醇。本发明通过环状聚乙二醇分子刷对纳米粒子进行修饰，使相邻纳米粒子表面的环状聚合物刷相互渗透，形成类似“分子结扣”方式的物理缠结，从而显著提高二维超晶格薄膜的结构稳定性。
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公开(公告)号：CN113463199B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110529082.9
申请日：2021-05-14
申请人： 广州市艾佛光通科技有限公司
发明人： 李国强
IPC分类号： C30B29/40 , C23C16/06 , C23C16/24 , C23C16/40 , C23C16/50 , C30B23/00 , C30B23/02 , C30B29/68 , H01L41/18 , H01L41/316 , H01L41/39
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种高质量单晶氮化铝薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括在第一基板上依次生长单晶氧化锌薄膜、单晶氮化铝成核层、单晶氮化铝薄膜；然后在单晶氮化铝薄膜上沉积键合层；将第二基板与键合层键合；最后去除第一基板和氧化锌薄膜。本发明通过生长氧化锌薄膜，降低了氮化铝薄膜与基板之间的晶格失配。采用PLD沉积法，沉积温度低，降低了薄膜制备过程由于热效应造成的缺陷，从而提高了氮化铝薄膜的晶体质量。本发明制备的氮化铝薄膜上方有一层氮化铝薄膜，其可以继续生长氮化铝薄膜，从而控制氮化铝薄膜的厚度。
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公开(公告)号：CN115172536A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210163303.X
申请日：2022-02-22
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种紫外LED外延片、外延生长方法及紫外LED芯片，外延生长方法包括在生长多量子阱层时，先生长阱层，当所述阱层生长结束后，控制TMIn通入，与NH3反应生成InN，所述InN经高温分解成In量子点，当所述In量子点分布在所述阱层后，生长垒层，其中，所述阱层为GaN层，所述垒层为AlGaN层，所述GaN层、所述In量子点和所述AlGaN层依次周期性的生长，由于在多量子阱层中含有In发光量子点，同时，In发光量子点没有实际厚度，从而在不影响紫外LED的发光波长的情况下，提高了紫外LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN114899263A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210578014.6
申请日：2022-05-25
申请人： 陕西科技大学
IPC分类号： H01L31/0735 , C30B25/02 , C30B29/40 , C30B29/68 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本发明属于太阳能电池技术领域，公开了一种InGaN/GaN超晶格结构太阳能电池外延结构，其自下而上依次包括衬底、成核层、本征层、第一掺杂层、超晶格层、缓冲层、势垒层、第二掺杂层和第三掺杂层；本征层为包括两个台面的阶梯状结构，两个台面分别为第一台面和第二台面，且第一掺杂层、超晶格层、缓冲层、势垒层、第二掺杂层和第三掺杂层均设置在第一台面正上方。本发明光电转换效率优于传统的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，提高了光生空穴载流子的输运效率，提高了短路电流，提升了电池的整体性能。本发明还提出了上述太阳能电池外延结构的制备方法，其采用易于产业化的MOCVD外延技术外延材料和利用成熟LED工艺制造器件，便于加工制造和大规模推广。
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公开(公告)号：CN114709289A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210343816.9
申请日：2022-03-31
申请人： 陕西科技大学
IPC分类号： H01L31/075 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/68 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种太阳能电池外延片及其制备方法，外延片包括从下至上依次设置的衬底、GaN成核层、GaN本征层、N型GaN层、InGaN/GaN超晶格层、U型GaN层、InGaN/GaN量子阱层、P型GaN层。本发明采用了衬底、超晶格层和高In组分的InGaN/GaN量子阱层结构，降低了位错密度，提高了光吸收率，获得结晶质量较高的外延片。与具有传统外延片的太阳能电池相比，采用高In组分的外延片制得的太阳能电池载流子收集增多，表面复合减少，在一定程度上提高了InGaN/GaN太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN114551594A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210051646.7
申请日：2022-01-17
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , C30B25/02 , C30B29/40 , C30B29/68 , H01L21/335 , H01L29/15 , H01L29/207
摘要： 本发明提供一种外延片、外延片生长方法及高电子迁移率晶体管，该外延片包括依次层叠设置的Si衬底、AlN成核层、高阻缓冲层、沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层，所述高阻缓冲层包括依次层叠设置的AlN/AlGaN超晶格层、AlGaN块状层、AlN/GaN超晶格层以及GaN块状层，所述AlN/AlGaN超晶格层设置在靠近所述AlN成核层一侧；其中，所述AlN/AlGaN超晶格层中的AlGaN子层和所述AlN/GaN超晶格层中的GaN子层均掺杂有低浓度的Fe，且所述GaN子层的掺杂浓度高于所述AlGaN子层的掺杂浓度。与现有技术相比，本发明提出的外延片既能实现高阻又具有很高的晶体质量。
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公开(公告)号：CN114016139A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111319566.7
申请日：2021-11-09
申请人： 嘉兴学院
摘要： 本发明结合环状聚合物刷和水‑正丁醇反向乳液技术提供了一种方法简单且结构稳定的纳米晶超晶体材料的制备方法。通过将双疏基聚乙二醇水溶液加入到柠檬酸根修饰的金纳米球水溶液混合，然后经过一系列后续处理步骤得到纳米超晶体材料。本发明利用构筑单元表面环状聚合物刷的物理缠结显著提高超晶体的结构稳定性；通过简单调控金纳米球水溶液和正丁醇的体积比，可以得到不同形貌结构的稳定超晶体材料。
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