-
公开(公告)号：CN117779038A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311833725.4
申请日：2023-12-28
申请人： 四川江化微电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种低磷酸型钼铝钼蚀刻液及其制备方法，涉及钼蚀刻技术领域。本发明以按重量份计，包括磷酸40％～50％，醋酸40％～50％，硝酸1％～5％，添加剂0.01％～2％，其余为去离子水；所述添加剂主要由碱土金属盐、亚氨基二乙酸、甘氨酸、柠檬酸、乳酸、丙二酸、甲硫氨酸组成；以解决现有的磷酸体系钼铝钼蚀刻液废液处理成本高、蚀刻CD‑l oss大，蚀刻截面均一性差以及蚀刻表面铝刺较多，导致mura的问题。
-
公开(公告)号：CN117758194A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311811163.3
申请日：2023-12-26
申请人： 大博医疗科技股份有限公司
摘要： 本申请涉及金属材料加工领域，本申请提供了一种含锆50％以上金属材料表面处理方法及应用。对锆合金材料进行表面氧化处理，得到表面形成有初始氧化锆陶瓷层的锆合金材料；对初始氧化锆陶瓷层进行表面还原处理，将氧化锆陶瓷层表面还原形成金属锆层；去除金属锆层，得到表面形成有氧化锆陶瓷层的锆合金材料。本申请的处理方法，一方面，将初始氧化锆陶瓷层中产生裂纹、质量较差的部分转化成金属锆层，降低材料表面的硬度，以更容易的方式去除表面氧化锆陶瓷层，提高抛光效率；另一方面，防止裂纹向材料内部延伸，得到的锆合金材料表面具有无裂纹、表面平整的氧化锆陶瓷层。
-
公开(公告)号：CN117737734A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311703827.4
申请日：2023-12-12
申请人： 广东省科学院新材料研究所
摘要： 本发明公开了一种去除高温涂层的溶剂及其应用以及去除高温涂层的方法，该溶剂包括体积分数为30％～40％的36～38wt.％浓度的盐酸、体积分数为8％～12％的83～86wt.％浓度的磷酸、体积分数为3％～5％的25～30wt.％浓度的双氧水和质量分数为0.5％～1％的缓蚀剂。其中，盐酸为主要的腐蚀溶剂，磷酸可增强其腐蚀能力，通过晶界优先腐蚀涂层的Ni3Al相形成孔隙从而使涂层剥离，且缓蚀剂的加入避免了基体被盐酸、磷酸腐蚀，从而既可以去除致密高温防护涂层，还可缓解酸洗对基体表面组织和形貌的影响。此外，对酸洗后的合金进行喷砂处理，利用机械力切削作用，去除腐蚀坑及互扩散区，确保基体的力学性能不受影响。
-
-
公开(公告)号：CN114182259B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202111505637.2
申请日：2021-12-10
申请人： TCL华星光电技术有限公司
摘要： 一种蚀刻液，包括以下组分：12～22％质量百分比的过氧化氢；0.5～4％质量百分比的鳌合剂；0.1～2.5％质量百分比的蚀刻抑制剂；0.1～5％质量百分比的蚀刻剂；0.01～2％质量百分比的除残剂；以及溶剂，所述蚀刻剂在不需要增加氟含量的情况下即可大面积地蚀刻多层结构的铜/钼金属膜层，不仅能够抑制铜金属在绝缘膜扩散的现象，还能有效地去除钼金属残留物，所述蚀刻液的性质稳定，蚀刻速率适中且蚀刻轮廓良好，能够有效提升产品的良率。
-
公开(公告)号：CN117468002A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202211729465.1
申请日：2022-12-30
申请人： TCL华星光电技术有限公司
发明人： 李恩庆
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L29/45 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/786
摘要： 本申请公开了一种蚀刻液组合物和氧化物半导体器件。蚀刻液组合物包括胺类化合物和氨基酸类化合物中的一种或多种、过氧化氢、螯合剂、蚀刻剂、抑制剂以及水。本申请提供的蚀刻液组合物对铜系金属和钼系金属具有良好的蚀刻性能并减小对氧化物半导体层的损伤。
-
公开(公告)号：CN116213222B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310056671.9
申请日：2023-01-16
申请人： 安阳工学院
IPC分类号： B05D5/00 , C23F1/18 , C23F1/20 , C23F1/22 , C23F1/26 , C23F1/28 , C23F1/30 , B05D7/14 , B05D7/24 , B05D3/10
摘要： 本发明公开了一种在金属表面构建耐久性超疏水膜的方法，涉及疏水膜加工技术领域。本发明是将金属材料浸入到稀酸溶液中进行超声辅助刻蚀，在将刻蚀好的金属材料浸入到脂肪酸盐溶液中，以在金属材料表面形成疏水性膜。本发明具有成本低、工艺操作难度低的特点，同时形成的超疏水膜稳定性高，与金属基材结合力强。
-
公开(公告)号：CN117448824A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311566341.0
申请日：2019-09-18
摘要： 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。
-
公开(公告)号：CN117210927A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310978207.5
申请日：2023-08-04
申请人： 西安泰金新能科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种通过电化学刻蚀和酸蚀协同处理钛基材的方法，包括以下步骤：1)选择钛基材并加工成型；2)除油、清洗处理；3)氯离子电化学刻蚀；4)草酸酸蚀；其中，氯离子电化学刻蚀时采用浓度为1000～30000ppm的氯化钠为电解液，在钛基材上点焊钛阳极并以此作为阳极，另取纯钛板作为阴极，并在电流密度为500～10000A/m2，电解时间10～300min的条件下对钛基材进行刻蚀。本发明通过电化学刻蚀和草酸酸蚀相结合方法，不仅在钛基材表面形成密密麻麻不同粗糙度的腐蚀坑，且呈均匀分布，从而提高了其与贵金属活性涂层的结合力，而且相较于现有技术不再采用喷砂+热校型工序，大大提高了钛阳极的生产周期和效率，节省了生产成本。
-
公开(公告)号：CN117198858A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311201088.9
申请日：2019-01-18
申请人： 富士胶片株式会社
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3213 , B01D35/02 , B01J43/00 , B01J47/12 , C09K13/04 , C09K13/06 , C23F1/26 , C23F1/28 , C23F1/30 , C23F1/38 , C23F1/40
摘要： 本发明提供一种对过渡金属含有物具有优异的蚀刻性能，且具有优异的缺陷抑制性能的药液、上述药液的制造方法及基板的处理方法。本发明的药液为包含选自由高碘酸及其盐组成的组中的一种以上的高碘酸类、选自由Ti及Zr组成的组中的一种以上的第1金属成分及水的药液，药液包含一种第1金属成分时，一种第1金属成分的含量相对于高碘酸类总质量为1质量ppt～100质量ppm，药液包含两种第1金属成分时，两种第1金属成分的含量分别相对于高碘酸类总质量为100质量ppm以下，两种第1金属成分中的至少一种成分的含量相对于上述高碘酸类总质量为1质量ppt以上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
909 条记录 (耗时 0.021 秒)
