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    空腔型薄膜体声波谐振器的制造方法
    12.
    发明公开
    空腔型薄膜体声波谐振器的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN114978080A

    公开(公告)日：2022-08-30

    申请号：CN202210412561.7

    申请日：2022-04-19

    申请人： 赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司

    发明人： 周国安 ,  罗大杰 ,  马琳

    IPC分类号： H03H3/02 ,  H01L41/337 ,  H01L41/332

    摘要： 本发明公开了一种空腔型薄膜体声波谐振器的制造方法，制造方法包括：在衬底表面形成凹槽；在形成有凹槽的衬底上依次沉积一层保护层和一层加厚的牺牲层；采用化学机械抛光方法去除部分牺牲层，使得剩余的牺牲层表面平坦化；采用干法刻蚀的方法去除位于凹槽外的保护层表面的牺牲层；在保护层上沉积覆盖凹槽的叠层结构，叠层结构包括依次沉积的底电极、压电层和顶电极；去除位于凹槽内的保护层表面的牺牲层，在凹槽内的保护层和底电极之间形成空腔。该制造方法可以有效去除进行CMP加工后，牺牲层表面的各种玷污和缺陷，获得一种表面质量较好的牺牲层，提高后续生长的叠层结构的生长质量，最终提高器件整体性能。

    一种铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法
    14.
    发明公开
    一种铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法 有权

    公开(公告)号：CN114695643A

    公开(公告)日：2022-07-01

    申请号：CN202210620244.4

    申请日：2022-06-02

    申请人： 天通控股股份有限公司

    发明人： 徐秋峰 ,  濮思麒 ,  沈浩 ,  张忠伟 ,  钱煜 ,  张伟明 ,  汪万盾 ,  曹焕

    IPC分类号： H01L41/337 ,  H01L21/683

    摘要： 本发明公开了一种铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法，包括如下步骤：将铌酸锂单面抛光片进行检验，将检验出背面不良的晶片进行标记；将标记的晶片放入碱性清洗液中超声清洗；将清洗后的晶片抛光面进行贴膜；将两片贴膜后晶片的贴膜面粘合，获得粘合工件；将粘合工件进行双面研磨；将研磨后的粘合工件清洗并脱膜。本发明通过工艺改进，提高产品良品率，返工后的单面抛光片具有背面粗糙度一致性好、平坦度指标高、加工效率高、生产成本低、工艺易实现和易监控等特点，能够满足产业化大规模批生产的要求。

    一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法
    15.
    发明公开
    一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN114409400A

    公开(公告)日：2022-04-29

    申请号：CN202210036677.5

    申请日：2022-01-13

    申请人： 清华大学

    发明人： 李敬锋

    IPC分类号： C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88 ,  H01L41/187 ,  H01L41/257 ,  H01L41/297 ,  H01L41/337 ,  H01L41/43

    摘要： 本发明涉及功能陶瓷材料技术领域，具体而言涉及一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法。本发明制备方法采用固相法，直接将陶瓷粉制备成多层结构铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，从而实现良好的温度稳定性。本发明制备方法制备的多层结构铌酸钾钠基无铅压电陶瓷中每层的成分可调控，每层陶瓷均具有多相共存结构，转变温度从一层依次上升到另一层。每层组分采用相似的化学成分，以确保良好的共烧和易于控制在高温下的扩散。最终使得到的多层铌酸钾钠基压电陶瓷样品在保留较高的压电性能的同时兼具较好的温度稳定性。本发明制备方法操作简便、周期短、成本低、能耗少。

    制备薄铁电材料层的方法
    16.
    发明公开
    制备薄铁电材料层的方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN113544869A

    公开(公告)日：2021-10-22

    申请号：CN202080017749.0

    申请日：2020-03-26

    申请人： 索泰克公司

    发明人： 亚历克西斯·德劳因 ,  I·于耶 ,  莫尔加纳·洛吉奥

    IPC分类号： H01L41/312 ,  H01L41/337

    摘要： 本发明涉及制备单畴铁电材料薄层的方法。所述方法包括：在铁电供体基板的第一面中注入轻物质，以便形成脆弱平面并限定位于该脆弱平面与基板的第一面之间的第一层；借助于介电组装层将供体基板的第一面与支承基板组装在一起；以及在脆弱平面处使供体基板断裂。介电组装层(7b)包括氧化物，该氧化物的氢浓度低于第一层(3)的氢浓度或防止氢扩散到第一层，或者介电组装层(7b)包括阻挡件，该阻挡件防止氢扩散到第一层。所述制备方法还包括：对第一层的自由面进行热处理，以便使第一层中包含的氢扩散，并引起该第一层的表面部分的多畴转变，然后对第一层进行减薄，以便至少去除该表面部分。

    接合体及弹性波元件
    17.
    发明授权
    接合体及弹性波元件 有权

    公开(公告)号：CN110945786B

    公开(公告)日：2021-02-19

    申请号：CN201880047134.5

    申请日：2018-08-21

    申请人： 日本碍子株式会社

    发明人： 后藤万佐司 ,  多井知义 ,  箕浦舞

    IPC分类号： H03H9/25 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/31 ,  H01L41/337

    摘要： 本发明的课题是提供能够在包含硅铝氧氮陶瓷的支撑基板上牢固地接合包含铌酸锂或钽酸锂的压电性材料层的微结构。本发明的解决手段是提供能够在包含硅铝氧氮陶瓷的支撑基板上牢固地接合包含铌酸锂或钽酸锂的压电性材料层的微结构。接合体具备支撑基板及压电性材料层。支撑基板包含硅铝氧氮陶瓷。压电性材料层的材质为LiAO3(A为选自由铌及钽构成的组中的一种以上元素)。接合体具备：沿着支撑基板与压电性材料层之间的界面而存在的界面层及在界面层与支撑基板之间所存在的支撑基板侧中间层。界面层及支撑基板侧中间层分别以选自由铌及钽构成的组中的一种以上元素、氮、氧、铝以及硅为主成分。

    支撑基板及其用途
    18.
    发明公开
    支撑基板及其用途 审中-实审

    公开(公告)号：CN111864051A

    公开(公告)日：2020-10-30

    申请号：CN202010766588.7

    申请日：2016-06-09

    申请人： 索泰克公司

    发明人： 阿诺德·卡斯泰 ,  达尼埃尔·德尔普拉 ,  伯纳德·阿斯帕 ,  I·拉杜

    IPC分类号： H01L41/08 ,  H01L41/18 ,  H01L41/312 ,  H01L41/313 ,  H01L41/332 ,  H01L41/337

    摘要： 本发明涉及支撑基板及其用途，尤其涉及一种用于异质结构(200、400、400'、500')的支撑基板(210、410、510)，该异质结构(200、400、400'、500')包括覆盖层(220、420、520)，该覆盖层(220、420、520)具有第一热膨胀系数并被装配到该支撑基板(210、410、510)，该支撑基板(210、410、510)具有与第一热膨胀系数显著不同的第二热膨胀系数，其中，所述热膨胀系数中的至少一个显示出强各向异性，其中在交界面处，覆盖层(220、420、520)包括从该交界面延伸到该覆盖层(220、420、520)中的至少一个凹槽(240、340、440、540)。

    一种异质衬底薄膜的制备方法
    19.
    发明公开
    一种异质衬底薄膜的制备方法 有权

    公开(公告)号：CN111799366A

    公开(公告)日：2020-10-20

    申请号：CN202010608521.0

    申请日：2020-06-29

    申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

    发明人： 欧欣 ,  金婷婷 ,  林家杰 ,  游天桂

    IPC分类号： H01L41/312 ,  H01L41/337 ,  H01L41/22

    摘要： 本申请实施例所公开的一种异质衬底薄膜的制备方法，包括获取第一衬底和第二衬底，对第一衬底进行第一离子注入，在第一预设深度处形成第一损伤层，将第一衬底和第二衬底键合，基于第一预设温度对键合后的结构进行退火处理，沿第一损伤层对第一衬底进行剥离，得到第二异质衬底，对第二异质衬底进行第二离子注入，在第二预设深度处形成第二损伤层，第二离子注入比第一离子注入的注入剂量小，注入能量低，第二预设深度小于第一预设深度，基于第二预设温度对二次注入后的结构进行退火处理，得到第三异质衬底，第二预设温度高于第一预设温度，对第三异质衬底进行抛光，得到异质衬底薄膜。基于本申请实施例，可以减薄损伤层，提高异质薄膜的表面均匀性。