公开(公告)号：CN119892075A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411480977.8

申请日：2024-10-23

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·拉尼埃尔 ,  T·迈尔 ,  Y·傅

IPC: H03M1/10 ,  H03M1/06 ,  H03M1/12

Abstract: 用于运行电容式传感器的电路可以在第一至第三模式中运行。GM级接收施加在该电容式传感器的传感器输出部上的传感器电压并且输出电流。积分器在时间变化过程内对该电流进行积分并且输出由此得出的输出电压。该电路将该输出电压提供给模数转换器。在第一和第二模式中，将该输出电压提供向电容式传感器作为反馈电压。在第一模式中，进一步在GM级和积分器中执行偏移校正。在第二模式中，高阻抗地接通该电容式传感器的输出。在第三模式中，向电容式传感器提供参考电压。

公开(公告)号：CN109642605A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780053249.0

申请日：2017-08-10

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·德林 ,  T·迈尔

IPC: F16C17/03 ,  F16C27/02

CPC classification number: F16C35/02 ,  F16C17/03 ,  F16C17/06 ,  F16C23/02 ,  F16C25/02 ,  F16C27/02

Abstract: 本发明涉及一种可倾瓦轴承(7)，所述可倾瓦轴承具有：套筒(15)、多个可倾瓦块(9)和框架(8)，所述可倾瓦块(9)被接收在所述框架中。

公开(公告)号：CN106458140A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580006148.9

申请日：2015-01-27

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： K·海尔 ,  J·施密德 ,  I·哈特 ,  T·迈尔 ,  F·迈尔 ,  H·贝林 ,  P·鲁埃斯

IPC: B60R21/268

CPC classification number: B60R21/274 ,  B60R21/261 ,  B60R21/264 ,  B60R21/268 ,  F16K3/24 ,  F16K27/029 ,  F16K31/0675 ,  F16K31/122 ,  G05D7/014

Abstract: 排出通道(22.1、22.1A)被所述控制活塞(26)关本发明涉及一种用于控制用来激活防碰撞 闭，在所述第二位置中所述至少一个排出通道保护设备的在压力下存储的介质的体积流量的 (22.1、22.1A)被所述控制活塞(26)释放，其特征装置(1)，所述装置具有有控制模块(20)和控制 在于，所述控制阀(10)和所述控制模块(20)布置阀(10)，所述控制模块包括带有梯级通道开口 在共同的壳体套筒(3)中，其中，所述控制模块(22.3、22.3A、22.3B)的阀体(22、22A、22B)和能 (20)的阀体(22、22A、22B)被压入到壳体套筒(3)在所述阀体(22、22A、22B)的所述通道开口 的第一端部(3.1)中，直到被壳体肩(3.3)挡住，(22.3、22.3A、22.3B)中轴向被引导的控制活塞 其中，所述控制阀(10)被导入到所述壳体套筒动，其中，所述阀体(22、22A、22B)在第一端部上具有带有阀室(22.4、22.4A)的能够关闭的介质进入开口(28)并且第二端部上具有带有控制阀开口(24.2)的控制室(22.5、22.5B)，其中，在所述阀体(22、22A、22B)的第一端部与第二端部之间布置有至少一个从所述通道开口(22.3、22.3A)分岔出的排出通道(22.1、22.1A)，以便将介质排出到所述防碰撞保护设备中，其中，所述控制活塞(26)具有沿它的主延伸轴线成型的、从面对所述介质进入开口(28)的第一作用面(26.1)通向面对所述控制阀开口(24.2)的第二作用面(26.2)的通道开口(26.3)，其中，所述第一作用面(26.1)小于所述第二作用面(26.2)，其(26)，所述控制阀影响所述控制活塞(26)的运 (3)的第二端部(3.2)中并被固定。(30)优先权数据102015200914.9 2015.01.21 DE102015200900.9 2015.01.21 DE

公开(公告)号：CN103229290A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201080070258.9

申请日：2010-11-23

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·普吕姆 ,  K-H·克拉夫特 ,  T·迈尔 ,  A·霍伊查斯特 ,  C·舍林

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: B81C1/00301 ,  B81B7/007 ,  B81C3/008 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/051 ,  G01L9/0048 ,  G01L19/0076 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/084 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于制造半导体元器件(166)的方法。该方法包括下列步骤：a)在初始衬底(112)上制造半导体芯片(110)，其中所述半导体芯片在至少一个支撑点(116)上与所述初始衬底(112)连接，其中所述半导体芯片(110)具有背离所述初始衬底(112)的正面(130)和朝向所述初始衬底(112)的背面(132)，b)在至少一个贯穿接触步骤中，将至少一个贯穿接触部填充材料(142)施加到所述半导体芯片(110)上，其中所述背面(132)的至少一个部分区域(140)被涂以所述贯穿接触部填充材料(142)，c)将所述半导体芯片(110)与所述初始衬底(112)分离，以及d)将所述半导体芯片(110)施加到至少一个载体衬底(150)上，其中所述半导体芯片(110)的背面(132)的被涂以所述贯穿接触部填充材料(142)的部分区域(140)与所述载体衬底(150)上的至少一个焊盘(152)连接。

公开(公告)号：CN115680834A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210872271.0

申请日：2022-07-20

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T·迈尔 ,  A·科斯拉瓦尼 ,  S·齐瓦纳基什

IPC: F01N3/20 ,  F01N9/00

Abstract: 本发明涉及一种在内燃机(110)的排气系统(120)中运行SCR催化器(124)的方法(200)，其在催化器(124)的上游有氨配量部(123)，包括借助催化器模型求取催化器(124)中的氮氧化物转化效率(220)，求取催化器(124)中的氨水平(210)，根据求取的效率和可预先确定的目标转化率求取催化器(124)中的额定氨水平(230)，并根据额定氨水平和氨水平控制(240)所述氨配量部(123)。

公开(公告)号：CN105321953B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201510457929.1

申请日：2015-07-30

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T·迈尔 ,  J·巴茨 ,  R·施特劳布 ,  J·托马施科 ,  C·辛格尔

IPC: H01L41/331 ,  H01L41/04 ,  H01L41/113 ,  H01L41/314 ,  H01L41/187 ,  H01L41/29 ,  H01L41/053 ,  H01L41/08 ,  H01L41/083 ,  H01L41/047 ,  H01L41/09 ,  H01L41/27 ,  H01L41/337

Abstract: 本发明创造一种用于压电层布置的制造方法和相应的压电层布置。所述制造方法包括以下步骤：在衬底(1)上沉积第一电极层(2)，在所述第一电极层(2)上沉积第一绝缘层(3)，在所述第一绝缘层(3)中构造贯通开口(10)以便在所述贯通开口(10)内暴露所述第一电极层(2)，在所述第一绝缘层(3)上并且在所述贯通开口(10)内的第一电极层(2)上沉积压电层(4)，背侧打磨所得到的结构以构造平的表面(OF)，在所述表面上暴露由所述第一绝缘层(3)包围的压电层区域(4a)，以及在所述第一绝缘层(3)上沉积并且结构化第二电极层(5)，所述第二电极层接通所述压电层区域(1)。

公开(公告)号：CN105321953A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510457929.1

申请日：2015-07-30

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T·迈尔 ,  J·巴茨 ,  R·施特劳布 ,  J·托马施科 ,  C·辛格尔

IPC: H01L27/115

Abstract: 本发明创造一种用于压电层布置的制造方法和相应的压电层布置。所述制造方法包括以下步骤：在衬底(1)上沉积第一电极层(2)，在所述第一电极层(2)上沉积第一绝缘层(3)，在所述第一绝缘层(3)中构造贯通开口(10)以便在所述贯通开口(10)内暴露所述第一电极层(2)，在所述第一绝缘层(3)上并且在所述贯通开口(10)内的第一电极层(2)上沉积压电层(4)，背侧打磨所得到的结构以构造平的表面(OF)，在所述表面上暴露由所述第一绝缘层(3)包围的压电层区域(4a)，以及在所述第一绝缘层(3)上沉积并且结构化第二电极层(5)，所述第二电极层接通所述压电层区域(1)。

公开(公告)号：CN103229290B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201080070258.9

申请日：2010-11-23

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·普吕姆 ,  K-H·克拉夫特 ,  T·迈尔 ,  A·霍伊查斯特 ,  C·舍林

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: B81C1/00301 ,  B81B7/007 ,  B81C3/008 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/051 ,  G01L9/0048 ,  G01L19/0076 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/084 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于制造半导体元器件(166)的方法。该方法包括下列步骤：a)在初始衬底(112)上制造半导体芯片(110)，其中所述半导体芯片在至少一个支撑点(116)上与所述初始衬底(112)连接，其中所述半导体芯片(110)具有背离所述初始衬底(112)的正面(130)和朝向所述初始衬底(112)的背面(132)，b)在至少一个贯穿接触步骤中，将至少一个贯穿接触部填充材料(142)施加到所述半导体芯片(110)上，其中所述背面(132)的至少一个部分区域(140)被涂以所述贯穿接触部填充材料(142)，c)将所述半导体芯片(110)与所述初始衬底(112)分离，以及d)将所述半导体芯片(110)施加到至少一个载体衬底(150)上，其中所述半导体芯片(110)的背面(132)的被涂以所述贯穿接触部填充材料(142)的部分区域(140)与所述载体衬底(150)上的至少一个焊盘(152)连接。

公开(公告)号：CN104106319A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201280062806.2

申请日：2012-10-30

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T·迈尔 ,  I·米勒-福格特

IPC: H05K3/28 ,  H01L23/31

CPC classification number: H05K1/185 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49572 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H05K1/0207 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/141 ,  H05K1/144 ,  H05K1/181 ,  H05K1/183 ,  H05K3/284 ,  H05K5/0082 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及传动控制模块(1)，包括从外面至少部分地可接近的和可暴露于传动液的印刷电路板(2)，该印刷电路板带有在印刷电路板(2)的至少一个层上引导的导体线路(41，42，43)，所述导体线路用于将电子传动控制电路的承载衬底(3)与承载衬底(3)外部的布置在印刷电路板(2)上的电组件/电子组件(7，8)电连接，其中该印刷电路板具有至少一个内导体线路层(26)，所述内导体线路层作为中间层布置在印刷电路板(2)的两个绝缘层(23，24)之间。建议至少在印刷电路板(2)的第一侧(21)上设有带有凹陷(5)的第一外绝缘层(23)，在该凹陷的底部至少布置该至少一个内导体线路层(26)的导体线路(41，42)的导体线路段(41a，42a)的表面，承载衬底(3)从印刷电路板(2)的第一侧插入所述凹陷(5)并与内导体线路层(26)的导体线路段(41a，42a)的表面电接触，以及用覆盖至少承载衬底(3)和导体线路段(41a，42a)的模压料(6)填充所述凹陷(5)，使得通过模压料(6)保护承载衬底(3)和导体线路段(41a，42a)免遭传动液。

公开(公告)号：CN103420323A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310296384.1

申请日：2013-04-22

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·贡斯卡 ,  J·弗莱 ,  H·韦伯 ,  T·沙里 ,  T·迈尔

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00301 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/035

Abstract: 本发明涉及一种微机械元件，尤其是一个微机械传感器，包括一个承载衬底和一个罩形衬底，以及涉及一种制造方法，其中，承载衬底和罩形衬底借助共晶的键合或金属焊接或玻璃焊接(例如，玻璃烧结)相互连接，其中，在承载衬底和罩形衬底的一个边缘区城中，通过连接区制造承载衬底和罩形衬底之间的连接，并且在边缘区内的边界区中设置一个截止槽或一个截止凸起，或既设置一个截止槽也设置一个截止凸起。