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公开(公告)号：CN105762231A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610230584.0
申请日：2016-04-14
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/115
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/115
Abstract: 本发明涉及一种（B、Ga）共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法，属于辐射探测器器件制造工艺技术领域。本发明是在p型GaN衬底上采用射频磁控溅射法制备一层n型ZnCdO薄膜，再在其上制备表面均匀，结晶质量和闪烁性能良好的B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜，从而为实现一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/GaN异质结结构的中子探测器提供了方法。本发明是一种B、Ga共掺ZnO闪烁体薄膜/ZnCdO薄膜/GaN异质结结构的中子探测器。其特点在于，采用B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜作为中子转化层将中子转化成α粒子，α粒子进一步激发B、Ga共掺杂ZnO闪烁体薄膜产生紫外线，再利用ZnCdO薄膜层吸收紫外线，进行光电转换，从而实现中子探测。
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公开(公告)号：CN105664296A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610138788.1
申请日：2016-03-12
Applicant: 上海大学
CPC classification number: A61M5/1684 , A61M2205/18 , G09F9/33
Abstract: 本发明提供一种医用输液装置显示系统，其包括数码管显示系统、黄色显示灯、红色显示灯、绿色显示灯，黄色显示灯、红色显示灯、绿色显示灯都与数码管显示系统连接。本发明是基于单片机在LED显示系统中在输液过程中在护士站的应用。整体要求是要实现输液过程中病房中警报器发出蜂鸣声报警并发出电信号时，护士站及时接收且在相应数码字符段段码显示上看见相应的病房号以及床位号。LED显示信号灯分别有三种颜色，每一信号灯代表病人需求对应的颜色，护士站接收到两个信号后护士准备工作。
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公开(公告)号：CN104085917B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201410173339.1
申请日：2014-04-28
Applicant: 上海大学
IPC: C01G19/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种低成本、结晶性好的纤锌矿结构Cu2CdSnS4纳米线的制备方法。该方法首先在室温下，将乙酸镉和L-半胱氨酸与去离子水混合搅拌至完全溶解，再滴加无水乙二胺，搅拌均匀后180℃条件下反应24h；离心分离，收集下层沉底物，在60℃干燥5h，即得到CdS纳米线；然后，室温下将硫酸铜，氯化亚锡，L-半胱氨酸和上步制得的CdS纳米线溶于去离子水中，搅拌均匀。再向混和溶液中滴加无水乙二胺，搅拌均匀后180℃条件下反应24h；离心分离，收集下层沉底物，放入干燥箱中60℃干燥5h，即得到纤锌矿结构Cu2CdSnS4纳米线。本纳米线的制备方法操作简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，适合批量合成。所制备的纳米线可以作为太阳电池器件的吸收层材料。
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公开(公告)号：CN104617618A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510034451.1
申请日：2015-01-23
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H02J7/32 , H01L35/28 , H02N11/002
Abstract: 本发明涉及一种基于手表表带的充电装置，属于环保供电技术领域。充电装置组装方法为将以碲化锌及其合金为主题材料制作的温差发电晶片加工成手表表链，通过卡扣将每个发电晶片连接起来，实现各个发电模块的串联以达到足够大的电压。将得到的电能通过稳压放大模块和充电模块连接到表盘的锂电池和外接接口上。锂电池连接到表盘中的耗电设备。该种装置可以通过人体表皮与周围环境温度差实现温差发电，可以实现无时无刻为锂电池或者外界电路充电，是一种便携式利用绿色资源的环保供电装置。通过组装可以得到利用温差发电得到的电能为表盘中的电子表永久供电，同时也可以为外接的小型蓝牙耳机进行充电。
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公开(公告)号：CN104377037A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410686145.1
申请日：2014-11-26
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种具有高附着力的石墨烯厚膜电极的制备方法。它包括Hummers氧化还原法制备石墨烯粉体、球磨石墨烯粉体和手术刀法制备石墨烯厚膜三个主要步骤。本发明中利用液相无水乙醇和粘结剂松油醇与石墨烯粉体球磨，得到粘稠可控，颗粒均匀的石墨烯浆料；经涂抹于导电玻璃表面，最终得到的石墨烯厚膜电极，该厚膜电极附着力强，膜厚可控，性能优良。将该方法制备的石墨烯厚膜电极应用于染料敏化太阳能电池中，可得到优良的光电转换性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104134720A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410327199.9
申请日：2014-07-10
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L51/0008 , H01L51/0077 , H01L51/4226 , H01L51/4233
Abstract: 本发明涉及一种单源闪蒸法生长有机无机杂化钙钛矿材料及其平面型太阳能电池的制备方法，属于新型材料器件制造工艺领域。其中有机无机杂化钙钛矿薄膜制备方法是：用钙钛矿材料的溶液做单一蒸发源，采用小于1秒的时间将金属蒸发舟迅速加热至1000℃以上的温度，可制备出成份准确的有机无机杂化钙钛矿薄膜。采用单源闪蒸法制备的有机无机杂化钙钛矿薄膜具有蒸发速率快，薄膜无空洞，适合做平面型器件的特点。并采用TiO2或ZnO为n型材料，Spiro-OMeTAD为p型材料与i型的有机无机杂化钙钛矿薄膜一起构成p-i-n型平面太阳能电池器件，优化制备条件后可获得效率为6.26%的器件。
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公开(公告)号：CN102623567B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201210099621.0
申请日：2012-04-09
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种Cu2FeSnS4纳米晶薄膜的低温制备方法，该方法分五步：首先得到SnS薄膜；其次，在SnS薄膜上制得FeS薄膜；第三，将第二步所得样品在空气中400oC退火3小时；第四，将第三步退火得到的样品在一定摩尔浓度的硫酸铜水溶液中浸泡一定的时间；第五，将第四步得到的样品在H2S(5%)/Ar的混合气体中，500oC退火2小时，最终得到高质量的Cu2FeSnS4纳米晶薄膜。本发明的优点在于：纳米晶的制备方法简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，制备的纳米晶薄膜均匀致密。该发明制备的Cu2FeSnS4纳米晶薄膜可作为光伏器件的吸收层或者良好的热电材料。同时Cu2FeSnS4纳米晶也是一种纳米级反铁磁材料，能够广泛用于电工设备和电子设备中，有较好的经济价值。
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公开(公告)号：CN102888584B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210342060.2
申请日：2012-09-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开一种基于金刚石薄膜上沉积CdTe薄膜的方法。具有以下工艺步骤：首先，将硅衬底/金刚石薄膜进行清洗预处理；之后，将预处理后的金刚石薄膜放入紫外臭氧清洗机中进行表面修饰与改性，降低薄膜表面的带隙与表面态，提高薄膜结合力；之后，进行CdTe薄膜沉积，沉积工艺参数：衬底温度为450～500℃，源温度为550～650℃，沉积室压强为500～1500Pa，沉积时间1～2分钟；CdTe薄膜沉积结束后CdCl2退火处理20～30分钟。通过该方法可以在金刚石薄膜表面沉积高质量的CdTe薄膜，从而实现金刚石薄膜表面CdTe薄膜的高效沉积。
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公开(公告)号：CN103474513A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310443533.2
申请日：2013-09-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种欧姆结构CdMnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，属于紫外光探测器光敏材料及器件制造工艺技术领域。本发明是采用近空间升华方法制备CdMnTe薄膜，并制作CdMnTe薄膜欧姆结构紫外光探测器，为制作高性能的紫外光探测器提供了新的方法。本发明制备高平整、颗粒尺寸均匀、电阻率高的CdMnTe薄膜样品。薄膜的厚度为>200m，电阻率>109Ω·cm。
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公开(公告)号：CN103343389A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310280052.4
申请日：2013-07-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种柱状结构CdZnTe薄膜及其制备方法，本方法包括如下步骤：（a）CdZnTe单晶升华源的准备；（b）衬底预处理；（c）CdZnTe薄膜生长；（d）CdZnTe薄膜抛光、腐蚀及退火；制得的柱状结构的CdZnTe薄膜厚度为100~500mm。本发明方法相比CdZnTe单晶生长工艺简单、成本更低、可大面积制备、批量生长可行性高。本发明制备的柱状CdZnTe薄膜相比常规的CdZnTe薄膜，具有更少的晶界缺陷和更好的电阻率，电阻率最高可达6×109Ω·cm。
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