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公开(公告)号：CN103219423A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310117565.3
申请日：2013-04-07
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/108 , H01L31/0272 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种CdMnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明是采用近空间升华方法制备CdMnTe薄膜，并制作CdMnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器，为制作高性能的紫外光探测器提供了新的方法。本发明制备高平整、颗粒尺寸小、电阻率高的CdMnTe薄膜样品。薄膜的面积>2cm2，薄膜的厚度为>20mm，电阻率达1010Ω·cm；金属电极的厚度为50~300nm。
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公开(公告)号：CN102403209B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110353371.4
申请日：2011-11-10
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种基于金刚石薄膜场效应晶体管欧姆接触电极的制备方法。属于金刚石膜场效应晶体管器件制造工艺技术领域。本发明的要点是利用磁控溅射和离子溅射方法在金刚石薄膜上沉积制备Ti-Pt-Au三层金属体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明的三层Ti-Pt-Au欧姆电极是有较高的IV性能、较低的薄膜漏电流，其电阻率得到明显改善、使器件的性能得到提高。
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公开(公告)号：CN102275980B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110157583.5
申请日：2011-06-14
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种低成本、高质量的Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜的低温制备方法，该方法是：首先将一定量的硫酸铜、氯化锌或氯化镉、氯化亚锡和硫代乙酰胺加入盛有去离子水的烧杯中，然后将用酒精、丙酮、去离子水超声清洗干净的玻璃垂直悬于烧杯中；向烧杯中滴加稀盐酸溶液调节pH值，使溶液处于酸性条件；升高温度在一定搅拌速度下反应一定时间，反应完毕后，将生长有Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜的玻璃在Ar和H2S(5%)的气氛中进行退火处理，最终得到高质量的Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜。本发明的优点在于：纳米晶的制备方法简单，合成温度低，所用前躯体材料成本低廉，制备的纳米晶薄膜均匀致密。该发明制备的Cu2ZnSnS4和Cu2CdSnS4纳米晶薄膜可作为光伏器件的吸收层或者良好的热电材料。
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公开(公告)号：CN102386281A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110359607.5
申请日：2011-11-15
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于ZnO/纳米晶金刚石薄膜异质结光电探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。本发明主要特点在于采用高导电率的氢终端纳米金刚石薄膜作为p型层，并在此层上制备高质量的n型ZnO薄膜，从而得到ZnO/纳米晶金刚石异质结光电探测器件。本发明所得器件对350nm的紫外光具有明显的光电响应。相对于一般的ZnO/金刚石探测器，具有更好的pn结光电响应特性。
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公开(公告)号：CN102230213A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201110150914.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及碲溶剂溶液法生长碲锌镉晶体的装置和方法，属特殊晶体生长技术领域。其特点包括：将化学计量配比满足Cd1-xZnxTe(x=0.04～0.5)的纯度为7N的高纯Cd、Zn、Te原料装入石英坩埚内，再向其中加入质量百分数为30%～80%的过量Te，抽真空熔封并在摇摆炉中合成；将合成结束的石英坩埚放入晶体生长装置中，由于过量Te的加入，晶体的生长温度可以从1092℃～1295℃下降到700～900℃；晶体生长过程开始之前，使石英坩埚处于高温区，使其内部的碲锌镉多晶和溶剂Te均处于液相，然后以0.04～2mm/h的速度上升炉体，温度梯度区的温度梯度在15-25℃/cm，随着温度的降低，溶液中碲锌镉的饱和度下降，则坩埚底部不断饱和析出碲锌镉晶体，同时采用不同的施主掺杂（In、Cl-1、Al等）来提高碲锌镉晶体的电阻率，从而制备出探测器级碲锌镉晶体。采用本发明生长碲锌镉晶体显著降低了晶体的生长温度、晶体中杂质浓度及晶体中的缺陷密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101882653B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010215802.6
申请日：2010-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及的是一种基于纳米CdS薄膜窗口层的高效太阳能电池制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。该太阳能电池的制备方法是：通过磁控溅射法在导电玻璃上制备高禁带宽度的氧掺杂纳米CdS薄膜(CdS:O薄膜)，在溅射时通入一定比例的氩气和氧气的混合气体，从而得到纳米CdS:O薄膜；薄膜制备后在氩气和氧气的混合气体及氯化镉的蒸汽下高温退火以改善薄膜性能；再在纳米CdS:O薄膜上制备CdTe或CdZnTe薄膜及背电极从而制备出太阳能电池。通过采用CdS:O薄膜制备太阳能电池，有利于提高基于CdS薄膜的太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：CN101692468B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200910196564.6
申请日：2009-09-27
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/113
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于自支撑金刚石薄膜的金属Pb-氰化物SiO2-P型金刚石薄膜半导体场效应晶体管的制备方法，属于光电探测器件制造工艺技术领域。本发明的特点是：(1)利用具有p型导电类型金刚石薄膜作为表面p型沟道层，其是p型金刚石薄膜不是通过掺杂获得，而是采用氢等离子体刻蚀的方法在自支撑金刚石的成核面获得H终端P型金刚石薄膜半导体导电层。(2)去除了一般常用的硅衬底，采用了具有一定厚度的自支撑金刚石薄膜。本发明的金刚石薄膜光敏晶体管可适用于高温、高频、大功率及恶劣环境条件下的应用；并具有较高的稳定性能，响应速度快，抗辐照能力强。
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公开(公告)号：CN101871123A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010201205.8
申请日：2010-06-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及移动碲溶剂熔区生长碲锌镉晶体的装置和方法。属特殊晶体生长技术领域。其特点包括：分别将化学计量配比满足Cd1-xZnxTe(x＝0.04～0.8)的99.99999％的高纯原料装入两支石英管内，并向其中一支中加入质量百分数为30％～80％的过量Te，分别抽真空封结并在摇摆炉中合成得多晶棒和富Te合金；依次将籽晶、富Te合金、多晶棒装入长晶管抽真空封接后放入炉体中，富Te合金位置位于高频电磁感应加热器中，温度设置为700～950℃，以0.02～2mm/h的速度上升加热器，同时旋转长晶管；富Te合金区域由于过量Te的加入，熔点显著降低，随着上升，熔体上部不断溶解多晶棒，下部不断析出碲锌镉单晶体。采用本发明生长碲锌镉晶体显著降低了晶体的生长温度和晶体中杂质浓度。
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公开(公告)号：CN101866860A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010186273.1
申请日：2010-05-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/812 , H01L29/12
Abstract: 本发明涉及一种基于ZnO薄膜半导体场效应晶体管的制备方法，属于无机非金属材料器件制备工艺技术领域。本发明的主要特点是：采用高热导率自支撑金刚石薄膜作为衬底材料。并采用添加缓冲层方法，在其上制备n型ZnO薄膜，同时在ZnO薄膜上再制备源、漏和栅电极，最终制得具有高沟道迁移率的ZnO薄膜半导体场效应晶体管(MESFET)器件。器件的场效应迁移率高达3.5cm2/v·s。器件可在350℃下稳定工作。
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公开(公告)号：CN100587980C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200810034103.4
申请日：2008-02-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于(100)定向金刚石薄膜的共面栅结构紫外光探测器器件的制备方法。属紫外光探测器器件制备工艺技术领域。本发明共面栅紫外光探测器的特点是在金刚石薄膜表面为一对叉指电极，衬底硅背面为一背电极；采用光刻方法制作表面叉指电极；使用磁控溅射法制作背电极；在薄膜表面的叉指电极上镀覆有金薄膜，而背电极为铝金属膜。在工作时，在叉指电极的两半电极上分别加上正的高压和正的低压，背电极则加上负高压，探测信号从阳极读出，因此收集信号都是电子，由于电子迁移率高，所以探测器的灵敏度得到很大提高，而且具有极快的响应时间。
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