公开(公告)号：CN100454495C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200410048125.8

申请日：2004-06-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔熙焕 ,  宋仁虎 ,  姜聖哲 ,  金湘甲

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/67069 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862

摘要： 本发明涉及一种干蚀刻装置，包括箱体，用于形成等离子进行干蚀刻工序；下部电极，包含排出箱体内部反应气体的排气口，并且设置基片；上部电极，与下部电极隔开面对。而且，这种干蚀刻装置包括清洗部，清洗部与电源进行电连接，包括：清洗时为了形成包含清洗用气体的等离子的清洗用电极；可引导清洗用电极水平移动的电极引导部件及支撑清洗用电极并引导清洗用电极垂直移动的电极支撑体。向清洗用电极施加电源形成等离子，并通过它除去箱体内壁残留的污染物。

公开(公告)号：CN101009250A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610142803.6

申请日：2006-10-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔升夏 ,  吴旼锡 ,  秦洪基 ,  金湘甲 ,  丁有光

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  G02F1/136

CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板及其制造方法。该方法包括在栅线上形成半导体层和欧姆接触层、在欧姆接触层上形成导电层、在导电层上形成第一光敏层图案、使用该第一光敏层图案作为蚀刻掩模来蚀刻导电层、使用第一光敏层图案作为蚀刻掩模通过含氟气体、含氯气体和氧气来蚀刻欧姆接触层和半导体层、除去第一光敏层图案到预定深度以形成第二光敏层图案、和使用第二光敏层图案作为蚀刻掩模蚀刻导电层以暴露出一部分欧姆接触层。

公开(公告)号：CN1790750A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510124866.4

申请日：2005-11-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金湘甲 ,  金时烈 ,  朴弘植 ,  崔熙焕 ,  秦洪基 ,  吴旼锡

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC分类号： H01L29/66765 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

摘要： 公开了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括在基板上的栅电极，在所述基板上的栅极绝缘层，沟道图案，源电极和漏电极。所述沟道图案包括：形成在所述栅电极上并覆盖所述栅电极的半导体图案；以及形成在所述半导体图案上并彼此隔开的第一和第二导电粘合图案。所述源电极包括顺序形成在所述第一导电粘合图案上的第一阻挡图案、源极图案和第一覆盖图案。所述漏电极包括顺序形成在所述第二导电粘合图案上的第二阻挡图案、漏极图案和第二覆盖图案。所述第一和第二导电粘合图案的蚀刻部分具有基本竖直的轮廓从而防止了源电极和漏电极的暴露，由此改善了薄膜晶体管的特性。

公开(公告)号：CN1767175A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510102853.7

申请日：2005-09-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李禹根 ,  柳慧英 ,  金湘甲 ,  金彰洙

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66765

摘要： 一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：形成包括栅电极的栅极线，在栅极线上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成半导体带，在半导体带上形成欧姆接触层，在欧姆接触层上形成包括源电极和漏电极的数据线，在数据线和漏电极上沉积钝化层，及形成连接到漏电极的像素电极。

公开(公告)号：CN1484778A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN01821646.3

申请日：2001-11-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 洪完植 ,  崔峻厚 ,  金湘甲 ,  郑宽旭 ,  丁奎夏

IPC分类号： G02F1/136

CPC分类号： G02F1/136227 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2202/42 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765

摘要： 一种薄膜晶体管衬底，其包括一绝缘衬底、一形成于该衬底上的栅极线组件、和一数据线组件，该数据线组件横越栅极线组件并与栅极线组件绝缘。薄膜晶体管连接到栅极线组件和数据线组件。在薄膜晶体管上由a－Si:C:O或a－Si:O:F形成一钝化层。通过PECVD法沉积该基于a－Si:C:O或a－Si:O:F的层。像素电极被形成在钝化层上并与薄膜晶体管连接。在这个结构中，在提高开幅比和减少工序时间的同时，寄生电容的问题得到解决。

公开(公告)号：CN1290922A

公开(公告)日：2001-04-11

申请号：CN00132400.4

申请日：2000-09-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 洪雯杓 ,  洪完植 ,  金湘日 ,  卢水贵 ,  姜珍奎 ,  金湘甲

IPC分类号： G09G3/36 ,  G02F1/136

CPC分类号： G02F1/136227 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136222 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

摘要： 显示区中具有在矩阵阵列形式的像素处有开口的黑底,外围区中具有包括公用焊盘和公用信号线的公用布线及栅焊盘,外部区域中具有用于精确地对准绝缘基板上的各中间薄膜层的对准标记。在绝缘基板上像素处形成其边缘与黑底重叠的红、绿、蓝滤色器,并在其上形成覆盖黑底和滤色器、并具有暴露栅焊盘的接触孔的有机绝缘层。在有机绝缘层上形成包括通过接触孔与栅焊盘连接的栅线和与栅线连接的栅极的栅布线,并在有机绝缘层上形成覆盖栅布线的栅绝缘层。

公开(公告)号：CN101097928B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200710126331.X

申请日：2007-06-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 秦洪基 ,  金湘甲 ,  吴旼锡 ,  金周汉

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248

摘要： 提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板以及该TFT阵列基板的制造方法，在所述TFT阵列基板中，在接触部分中提供了导电材料之间足够大的接触面积。所述TFT阵列基板包括设置在绝缘基板上的栅极互连线、覆盖所述栅极互连线的栅极绝缘层、设置在所述栅极绝缘层上的半导体层、包括设置在所述半导体层上的数据线、源电极和漏电极的数据互连线、设置在所述数据互连线上并暴露所述漏电极的第一钝化膜、设置在所述第一钝化膜上的第二钝化膜、以及与所述漏电极电连接的像素电极。所述第二钝化膜的外侧壁位于所述第一钝化膜的外侧壁之内。半导体层除了位于所述源电极和所述漏电极之间的部分之外，基本与数据线、源电极和漏电极具有相同的平面形状。

公开(公告)号：CN101063755B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200710100846.2

申请日：2007-04-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金彰洙 ,  金湘甲

IPC分类号： G02F1/13 ,  G03F7/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1214

摘要： 在形成金属线的方法和制造显示基板的方法中，沟道层和金属层连续地形成在基板上。光致抗蚀剂图案形成在布线区域。利用光致抗蚀剂图案蚀刻金属层以形成金属线。移除预定厚度的光致抗蚀剂图案以在金属线上形成残留的光致抗蚀剂图案。利用金属线蚀刻沟道层以形成位于金属线下面的底切。利用残留的光致抗蚀剂图案移除金属线的突起部分。突起部分相对于地突出于底切的形成构造。因此，增加了开口率，防止了余像并提高了显示质量。

公开(公告)号：CN1828914B

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200610057753.1

申请日：2006-02-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金彰洙 ,  金湘甲 ,  秦洪基 ,  吴旼锡 ,  崔熙焕 ,  金时烈

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/84

摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极线、与栅极线交叉的数据线、与栅极线和数据线分离的存储电极、连接至栅极线和数据线并具有漏电极的薄膜晶体管、连接至漏电极的像素电极、位于薄膜晶体管之上并设置在像素电极下的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上并具有用于露出存储电极上第一绝缘层的开口的第二绝缘层。

公开(公告)号：CN1897285B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610098474.X

申请日：2006-07-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金湘甲 ,  李禹根 ,  金时烈 ,  周振豪 ,  金彰洙 ,  皇甫尙佑 ,  吴旼锡 ,  柳慧英 ,  秦洪基

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/133

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F2001/13629 ,  H01L29/458

摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：在基板上形成栅极线；在该栅极线上形成栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触；在该欧姆接触上形成含Mo的第一导电膜、含Al的第二导电膜和含Mo的第三导电膜；在该第三导电膜上形成第一光刻胶图样；使用该第一光刻胶图样作为掩模，蚀刻第一、第二和第三导电膜、欧姆接触、以及半导体层；将该第一光刻胶图样除去预定厚度，以便形成第二光刻胶图样；使用该第二光刻胶图样作为掩模，蚀刻该第一、第二和第三导电膜，以便暴露欧姆接触的一部分；以及使用含Cl气体和含F气体蚀刻暴露的欧姆接触。