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公开(公告)号：CN105473758A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201380078980.0
申请日：2013-10-07
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F1/0003 , B22F3/1007 , B22F2201/01 , B22F2301/10 , B22F2999/00 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C23C14/14 , H01J37/3429
Abstract: 本发明提供一种能够进一步降低氧含量，并且能够抑制异常放电的Cu-Ga烧结体的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有含有20at％以上且小于30at％的Ga且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的成分组成，并且由通过X射线衍射观察到CuGa的归属于γ相的衍射峰和归属于ζ相的衍射峰的烧结体构成，归属于所述ζ相的衍射峰的主峰强度为归属于所述γ相的衍射峰的主峰强度的10％以上，氧含量为100ppm以下，平均粒径为100μm以下。
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公开(公告)号：CN104342574A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410347611.3
申请日：2014-07-21
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01J37/3429 , B22D7/005 , B22D11/004 , B22D11/108 , C22C1/02 , C22C9/00 , C22F1/08 , C23C14/3414 , H01J37/3491
Abstract: 本发明的铜合金溅射靶由铜合金构成，所述铜合金中，Ca的含量为0.3质量％～1.7质量％、Mg和Al的总含量为5质量ppm以下、氧的含量为20质量ppm以下、余量为Cu和不可避免的杂质。本发明的铜合金溅射靶的制造方法具有：准备纯度99.99质量％以上的铜的工序；惰性气体气氛或还原性气体气氛中，在坩埚内高频熔解所述铜而得到熔融铜的工序；在所述熔融铜中添加纯度98.5质量％以上的Ca并使其熔解而进行成分调整，以使其成为具有规定的成分组成的熔融金属的工序；将具有所述规定的成分组成的熔融金属在冷却的铸模中铸造而得到铸块的工序；及对所述铸块进行热轧后，进行消除应力退火的工序。
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公开(公告)号：CN110337508A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201880014267.2
申请日：2018-12-19
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的Cu-Ga合金溅射靶具有如下组成：作为金属成分，以20原子％以上且45原子％以下的范围含有Ga，进一步以合计0.1原子％以上且2原子％以下的范围含有K及Na，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，在Cu-Ga合金的母相中分散有包含Na、K及F的复合氟化物，所述复合氟化物的内切圆的最大直径为30μm以下，在将所述复合氟化物中的Na的原子比设为[Na]且将所述复合氟化物中的K的原子比设为[K]的情况下，[Na]/([Na]+[K])在0.3以上且0.9以下的范围内。
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公开(公告)号：CN105813778B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201480067567.9
申请日：2014-11-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: B22D11/06 , B22D11/00 , B22D11/108 , B22D11/11 , B22D11/12
Abstract: 本发明的铜铸块通过带式连铸机铸造，所述铜铸块的碳含量设为1质量ppm以下，氧含量设为10质量ppm以下，氢含量设为0.8质量ppm以下，磷含量设为15质量ppm以上且35质量ppm以下的范围内，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，还具有由含有碳、磷及Cu的氧化物构成的夹杂物。
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公开(公告)号：CN104109837B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201410151582.3
申请日：2014-04-15
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: B32B15/01 , C22C9/04 , C22C18/02 , C22C30/02 , C22C30/06 , C23C14/3414 , H01J37/3429 , Y10T428/12778
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用溅射靶及层叠配线膜。所述保护膜形成用溅射靶，其在Cu配线膜（11）的单面或双面形成保护膜（12）时使用，其中，包括：5.0质量%以上15.0质量%以下的Ni；2.0质量%以上10.0质量%以下的Mn；30.0质量%以上50.0质量%以下的Zn；0.5质量%以上7.0质量%以下的Al；余量为Cu及不可避免的杂质。并且，所述层叠配线膜（10），其具备Cu配线膜（11）及形成于该Cu配线膜（11）的单面或双面的保护膜（12），其中，保护膜（12）利用上述保护膜形成用溅射靶形成。
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公开(公告)号：CN105473760B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201480046016.4
申请日：2014-10-10
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C22C9/06 , C22C9/00 , C22C9/01 , C23C14/3414 , H01J37/3426
Abstract: 本发明的保护膜形成用溅射靶在Cu配线膜的单面或两面形成保护膜时使用，含有5质量％以上且15质量％以下的Ni或共计5质量％以上且15质量％以下的Ni及Al(其中，包含0.5质量％以上的Ni)，并且含有0.1质量％以上且5.0质量％以下的Mn、0.5质量％以上且7.0质量％以下的Fe，剩余部分由Cu及不可避免杂质构成。
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公开(公告)号：CN103258725B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310042051.6
申请日：2013-02-01
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 森晓
IPC: H01L21/285 , H01L29/43
CPC classification number: H01L21/76861 , H01L21/32051 , H01L23/52 , H01L23/53233 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种薄膜配线形成方法及薄膜配线，本发明的薄膜配线形成方法，使用具有Ca为0.5at%以上且不到5at%、剩余部分为Cu及不可避免杂质的组成的Cu‑Ca合金靶以溅射法形成Cu‑Ca合金膜之后，在氧气分压为10‑4～10‑10气压的含微量氧的惰性气体气氛中，以300～700℃对所述合金膜进行热处理，所述薄膜配线通过该方法形成。
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公开(公告)号：CN111836913B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201980018145.5
申请日：2019-10-23
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种溅射靶材，含有合计5质量ppm以上且50质量ppm以下的范围的选自Ag、As、Pb、Sb、Bi、Cd、Sn、Ni、Fe中的一种或两种以上，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，当通过电子背散射衍射法进行观察，将不包括双晶而以面积平均计算出的平均晶粒直径设为X1(μm)，并将极图的强度的最大值设为X2时，满足式(1)：2500＞19×X1+290×X2，并且通过电子背散射衍射法测定的晶体取向的局部取向差(KAM)为2.0°以下，相对密度为95％以上。
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公开(公告)号：CN113365763A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202080011450.4
申请日：2020-03-10
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 一种含金属铜‑氧化铜的粉末(10)，由金属铜粉末(11)、氧化铜粉末(12)和不可避免的杂质组成，其中，金属铜粉末(11)的平均粒径大于氧化铜粉末(12)的平均粒径，并且所述含金属铜‑氧化铜的粉末(10)具有在金属铜粉末(11)的外周部附着有氧化铜粉末(12)的结构的复合粒子(15)。并且，在金属铜粉末(11)的外周部形成有凹部，复合粒子(15)也可以为在形成于金属铜粉末(11)的外周部的所述凹部中填充有氧化铜粉末(12)的结构。
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