公开(公告)号：CN101347051A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200780000945.1

申请日：2007-02-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田才忠 ,  野泽俊久

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，该等离子体处理装置的特征在于，包括：顶部开口且内部能够抽真空的处理容器；用于载置被处理体而设置在所述处理容器内的载置台；气密地安装于所述顶部的开口、由透过微波的电介质构成的顶板；向所述处理容器内导入必要的气体的气体导入单元；设置在所述顶板的中央部的上面，用于将规定的传播模式的微波向所述处理容器内导入而形成有微波发射用槽的平面天线部件；设置在所述顶板的周边部的上面，用于向所述处理容器内导入传播模式与通过所述平面天线部件导入的微波不同的微波而形成有微波发射用槽的开槽波导管；和将微波供给所述平面天线部件和所述开槽波导管的微波供给单元。

公开(公告)号：CN101023505A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200580031574.4

申请日：2005-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 陈立 ,  田才忠 ,  松本直树

IPC: H01J7/24 ,  H05B31/26

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192

Abstract: 一种SWP源包括电磁(EM)波发射器，所述电磁波发射器被配置为通过在与等离子体相邻的EM波发射器的等离子体表面上生成表面波来将EM能量以期望的EM波模式耦合到等离子体。功率耦合系统耦合到EM波发射器，并且被配置为将EM能量提供到EM波发射器以形成等离子体。耦合到EM波发射器的等离子体表面的盖片保护EM波发射器免受等离子体的影响。

公开(公告)号：CN103229280A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180055047.2

申请日：2011-11-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  田才忠 ,  佐佐木胜 ,  三原直辉 ,  松本直树 ,  茂山和基 ,  吉川润

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3244

Abstract: 一种等离子体处理用设备，其包括：处理容器，其设置有用于载置基体的载置台；第一气体供给单元，其被构造成将第一气体供给至处理容器；第一等离子体产生单元，其被构造成将第一气体的至少一部分转化成第一等离子体；第二气体供给单元，其被构造成将第二气体供给至处理容器；和第二等离子体产生单元，其被构造成将第二气体的至少一部分转化成第二等离子体。第二气体的入口距离载置台的高度低于第一气体的入口距离载置台的高度。

公开(公告)号：CN101548364B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN200880000772.8

申请日：2008-08-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田才忠 ,  西塚哲也 ,  石桥清隆 ,  野沢俊久

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/461 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H05H1/46 ,  Y10T428/24273

Abstract: 公开了一种顶板，设置在可抽真空的处理容器的顶部，可使从排列设置的平面天线构件的狭缝中放射出的微波透过到处理容器内，具有在顶板的面对处理容器内的一面放射状地设置的多个突起部。

公开(公告)号：CN101002509B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200580024959.8

申请日：2005-07-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田才忠 ,  石桥清隆 ,  北川淳一 ,  野泽俊久

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 本发明提供了一种等离子处理单元，包括：处理容器，其顶部开口，并且其中能产生真空；平台，其设置在所述处理容器中，用于在其上设置将被处理的物体；上板，其由电介质制成，所述上板密封地装配在所述开口中，并允许微波从其中穿过；平面天线元件，其设置在所述上板上或上方，所述平面天线元件具有多个微波辐射孔，以向所述处理容器内部辐射用于等离子发生的微波；慢波元件，其设置在所述平面天线元件上或上方，用于缩短微波的波长；和微波干扰抑制部，其设置在所述上板的下表面上，所述微波干扰抑制部将所述下表面分成多个同心区域，并在所述区域间抑制微波干扰。

公开(公告)号：CN101316946A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200680044543.7

申请日：2006-11-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田才忠 ,  西哲也 ,  野泽俊久

IPC: C23C16/511 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置，具有处理空间、载置台、顶板、平面天线构件和同轴波导管；该处理空间的顶部有开口，内部可被抽真空；该载置台设置在上述处理空间内，用于载置被处理体；该顶板气密地安装在上述顶部的开口处，由透过微波的电介体形成；该平面天线构件设置在上述顶板的上表面，用于向上述处理空间内导入微波；该同轴波导管具有与上述平面天线构件的中心部连接的中心导体，用于供给微波；其特征在于，以贯通上述中心导体、上述平面天线构件的中心部和上述顶板的中心部的方式形成气体通路，在上述顶板的中心区域的上表面侧设置用于衰减该顶板的中心部的电场强度的衰减电场用凹部。

公开(公告)号：CN102090153A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200980103949.1

申请日：2009-01-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 太田欣也 ,  田才忠 ,  小林浩 ,  佐藤吉宏 ,  盐泽俊彦 ,  前川浩治

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238

Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置，其中，对用于形成等离子体的微波进行放射的平面天线(31)，在其表面以同心状被分为中央区域(31a)、外周区域(31c)、中央区域和外周区域的中间区域(31b)的情况下，朝向各异的微波放射孔(32)的对以同心圆状在中央区域(31a)以及所述外周区域(31c)配列多个，在中间区域(31b)上不形成微波放射孔，微波透过板(28)在其微波放射面上形成有凹部(28a)。

公开(公告)号：CN101855946A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200880110139.4

申请日：2008-10-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田才忠 ,  石桥清隆 ,  野沢俊久

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32266 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明的目的在于使得特别是能够在圆周方向上调节在等离子体处理装置的处理室内生成的等离子体密度。一种等离子体处理装置(1)，其中从同轴波导管(30)供应的微波经由滞波板(25)被导入处理容器(2)内，在处理容器(2)内处理气体被等离子化，从而基板(W)被处理，在该等离子体处理装置(1)中，电介质部件(45)被配置在同轴波导管(30)与滞波板(25)的连结处，电介质部件(45)被配置在同轴波导管(30)的外部导体(32)的内部中以内部导体(31)为中心的圆周方向上的一部分上，并且电介质部件(45)被配置在以内部导体(31)为中心的圆周方向上的任意位置。

公开(公告)号：CN101548364A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200880000772.8

申请日：2008-08-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田才忠 ,  西塚哲也 ,  石桥清隆 ,  野沢俊久

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/461 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H05H1/46 ,  Y10T428/24273

Abstract: 公开了一种顶板，设置在可抽真空的处理容器的顶部，可使从排列设置的平面天线构件的狭缝中放射出的微波透过到处理容器内，具有在顶板的面对处理容器内的一面放射状地设置的多个突起部。

公开(公告)号：CN101036420A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200580034145.2

申请日：2005-10-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田才忠 ,  野泽俊久

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/31 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32266

Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置，能够根据处理条件等的变化，容易地确保等离子体的均匀性和稳定性。是一种利用微波在所述腔室内形成处理气体的等离子体，利用该等离子体对被处理体进行等离子体处理的微波等离子体处理装置(100)，在由覆盖微波透过板(28)的外周的导电体构成的板(27)上，形成两个以上的孔(42)，该孔从微波透过板(28)的端部向着其内部，传送微波，通过体积调节机构(43、45)来调节孔的体积，在将微波透过板(28)分割成各孔(42)所属于的每个单元的情况下，调节各单元的阻抗，控制微波透过板(28)的电场分布。