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公开(公告)号：CN112652513B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202011046684.0
申请日：2020-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供处理方法和等离子体处理装置，能够维持等离子体电子密度并且降低等离子体电子温度。在处理基片的处理容器内使用等离子体进行的处理方法，其包括：将气体供给到上述处理容器内的步骤；和对上述处理容器内间歇地供给从多个微波导入组件输出的微波的功率的步骤，上述间歇地供给微波的功率的步骤，周期性地使多个上述微波导入组件的所有微波的功率的供给成为关断给定时间的状态。
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公开(公告)号：CN114107950B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202110949684.X
申请日：2021-08-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够以短间隔且均匀性高地对基片实施低损伤的ALD处理的等离子体处理装置和等离子体处理方法。该等离子体处理装置包括：腔室，其具有对基片实施等离子体处理的处理空间和合成电磁波的合成空间；分隔处理空间和合成空间的电介质窗；天线组件，其具有对合成空间辐射电磁波的多个天线，作为相控阵天线发挥功能；对天线组件输出电磁波的电磁波输出部；在处理空间中载置基片的工作台；气体供给部，其对处理空间供给用于进行ALD成膜的气体；以及控制部，控制部控制从气体供给部的气体的供给以实施ALD成膜，并且进行控制以使得天线组件作为相控阵天线发挥功能而在处理空间中局域化的等离子体高速地移动。
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公开(公告)号：CN112509900B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202010920018.9
申请日：2020-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，在基板的背面进行局部的成膜。该等离子体处理装置具有：处理容器；基板保持机构，其配置于所述处理容器内，并保持基板；电介质窗，其配置于所述基板保持机构的下方；以及相控阵天线，其配置于所述电介质窗的下方，并放射多个电磁波。
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公开(公告)号：CN112735934A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011131045.4
申请日：2020-10-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种控制方法和等离子体处理装置。对使用了相控阵天线的局部等离子体进行控制。作为利用相控阵天线的扫描型的等离子体处理装置的控制方法，具有以下工序：从设置于处理容器的多个部位的观察窗对在所述处理容器的内部生成的等离子体的发光进行观测；基于观测到的与所述等离子体的所述发光有关的数据，来计算表示所述等离子体的特性的值在基板上的面内分布；以及基于计算出的表示所述等离子体的所述特性的值在基板上的面内分布，来对所述等离子体的扫描图案和/或等离子体密度分布进行校正。
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公开(公告)号：CN112509900A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010920018.9
申请日：2020-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，在基板的背面进行局部的成膜。该等离子体处理装置具有：处理容器；基板保持机构，其配置于所述处理容器内，并保持基板；电介质窗，其配置于所述基板保持机构的下方；以及相控阵天线，其配置于所述电介质窗的下方，并放射多个电磁波。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112449473A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010861394.5
申请日：2020-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/00
Abstract: 本发明提供一种等离子体探测装置、等离子体处理装置和控制方法。本发明的一方式的等离子体探测装置包括：天线部，其隔着将真空空间与大气空间之间密封的密封部件，安装在形成于处理容器的壁的开口部；和透光部，其设置于所述天线部的内部或者是所述天线部的至少一部分，能够使所述真空空间中生成的等离子体的发出光透射到所述大气空间。根据本发明，能够高精度地监视等离子体生成空间中的自由基密度。
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公开(公告)号：CN112309818A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010717271.4
申请日：2020-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种能够监视等离子体的状态的等离子体处理装置和控制方法。基于本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：处理容器，其具有形成有开口部的顶板；具有导电性的圆环状构件，其以与所述顶板绝缘的状态设置于所述开口部；微波辐射机构，其以包括所述圆环状构件的中心的方式配置于所述顶板上，用于向所述处理容器的内部辐射微波；以及等离子体检测部，其与所述圆环状构件连接，用于检测生成的等离子体的状态。
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公开(公告)号：CN112153771A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010566187.7
申请日：2020-06-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种加热装置、加热方法以及基板处理装置。对加热对象物进行加热的加热装置具备：加热构件，其包括电磁波吸收体，并且对加热对象物进行支承；电磁波照射部，其向加热构件的与支承加热对象物的面相反一侧的照射面照射电磁波；以及控制部。电磁波照射部具有：电磁波输出部，其输出电磁波；以及天线单元，其构成相控阵天线，天线单元具有多个天线模块，所述多个天线模块具有放射电磁波的天线以及调整从天线放射出的电磁波的相位的移相器，控制部控制多个天线模块的移相器，以使从多个天线放射出的电磁波的相位通过干涉而聚集于加热构件的任意的部分，并且控制部控制多个天线模块的移相器，以使电磁波的聚集部分在加热构件的照射面处扫描。
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公开(公告)号：CN111696844A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010150236.9
申请日：2020-03-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种防止异常放电的等离子体处理装置。提供一种等离子体处理装置，其施加高频的电力，其中，该等离子体处理装置具有：腔室；载物台，其位于所述腔室内且在上部载置基板，并在内部具有加热器；以及环状构件，其在所述载物台的周围与所述载物台分开地设置，并由电介质形成，在所述环状构件的下表面在径向上形成有环状的槽。
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公开(公告)号：CN109427523A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201811030301.3
申请日：2018-09-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/244 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体探测装置，其包括：天线部，其隔着将真空空间与大气空间之间密封的密封部件安装于开口部中，其中，上述开口部形成在处理容器的壁部或载置台；与上述天线部连接的电极；和由电介质形成的对上述天线部从周围进行支承的电介质支承部，上述天线部与上述壁部或上述载置台的相对面以规定的距离隔开间隔，上述天线部的从上述开口部露出的面，与形成有该开口部的上述壁部或上述载置台的等离子体生成空间侧的面相比凹入到内侧。由此，能够提供避免气体侵入的等离子体探测装置。
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