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公开(公告)号：CN107331689A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710600933.8
申请日：2017-07-21
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L27/3262 , H01L27/3227 , H01L27/3269 , H01L51/0005 , H01L51/428 , H01L51/441 , H01L51/5206 , H01L2227/323
摘要： 本发明提供了一种发光结构、显示装置及其制作方法。本发明提供的发光结构中，在柔性基板上层叠设置有薄膜晶体管和有机发光二极管结构层，薄膜晶体管内设置有光敏半导体层，光敏半导体层将从有机发光二极管结构层接收的光线转换成增强电流，以增大由所述薄膜晶体管输出至所述有机发光二极管结构层的控制电流，提高有机发光二极管结构层的发光亮度，因此本发明实施例提供的发光组件可以在较低的控制电压下获得较强的光源亮度，具有低功耗、带电时间长等优点。
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公开(公告)号：CN107039465A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710293240.9
申请日：2017-04-28
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
CPC分类号： H01L27/1255 , H01L27/1259 , H01L27/3265
摘要： 本发明公开了一种阵列基板及制备方法、显示面板和显示装置，包括：位于衬底基板上的像素电路，像素电路至少包括驱动晶体管、开关晶体管和第一电容；其中，第一电容的第一电极分别连接驱动晶体管的栅电极和开关晶体管的源极；阵列基板还包括覆盖第一电容的第一电极的钝化层，通过将钝化层在与第一电容的第一电极对应的区域设置的凹槽中设置第一电容的第二电极，与现有技术将第二电极设置在钝化层上相比，减小了第一电极与第二电极之间的距离，增加了电容的存储量，从而实现在保证电容存储量的同时可设置较小的电极面积，增大阵列基板的开口率，从而增加显示质量。
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公开(公告)号：CN106950805A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710258236.9
申请日：2017-04-19
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： G03F9/00
CPC分类号： G03F9/7023 , G03F9/7046 , G03F9/7053
摘要： 本公开是关于一种对位装置及方法，用于实现基板和掩膜版的对位；该对位装置包括：第一闭合线圈，设置于所述基板的第一对位区域中；第一磁极以及第二磁极，位于所述掩膜版的第一预设区域的两侧并生成第一磁场；其中，所述第一磁极以及所述第二磁极均与所述第一预设区域有间隙；第一电流传感器，与所述第一闭合线圈连接。该对位装置可以提高对位精度。
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公开(公告)号：CN106356378B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201610849162.1
申请日：2016-09-26
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/417 , H01L21/84 , H01L21/28 , H01L21/44 , H10K19/10 , H10K10/82 , H10K10/46
摘要： 本申请涉及一种阵列基板及其制作方法。所述阵列基板包括薄膜晶体管，且至少具有第一区域和第二区域，所述第一区域中的薄膜晶体管的有源层厚度大于所述第二区域中的薄膜晶体管的有源层厚度，且所述第一区域中的薄膜晶体管的源极或漏极与有源层之间的重叠面积大于所述第二区域中的薄膜晶体管的源极或漏极与有源层之间的重叠面积，使得薄膜晶体管的源极或漏极与有源层之间的重叠面积与有源层厚度的比率在所述第一区域和第二区域上保持均一。
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公开(公告)号：CN108615694B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201810031884.5
申请日：2018-01-12
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本申请提供湿刻设备，包括：喷头，用于向基板喷淋刻蚀液；支撑面，用于承载基板；电极，设置在喷头的远离支撑面的一侧，包括第一电极和第二电极，其中，第一电极对应基板的边缘区域，第二电极对应基板的非边缘区域；输入单元，分别与第一电极和第二电极电连接，用于向第一电极输入第一电压，向第二电极输入第二电压。根据本申请的实施例，可以使得刻蚀液对基板边缘区域的金属刻蚀的速率大于对非边缘区域的金属刻蚀的速率，从而保证对基板边缘区域的刻蚀程度大于对基板非边缘区域的刻蚀程度，也即在完成对基板非边缘区域的刻蚀时，可以保证在基板的边缘区域不存在残留金属，保证对基板刻蚀程度的均一性，进而保证基板对应显示面板的显示效果。
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公开(公告)号：CN108210307B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201810003162.9
申请日：2018-01-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种冲洗设备及冲洗方法，包括：支架、冲洗喷头、分别连接支架和冲洗喷头的调节部件、识别模块和控制模块；识别模块，与控制模块连接，用于识别用户方位信息，所述方位信息至少包括用户高度和位置；控制模块，用于根据所述用户方位信息，控制所述调节部件调节冲洗喷头的位置和/或方向，以使所述冲洗喷头朝向所述用户的待冲洗区域，从而解决了现有冲洗设备使用起来非常的困难和不便的问题。
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公开(公告)号：CN108054103A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711325127.0
申请日：2017-12-13
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L21/44 , H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/417
摘要： 本发明公开一种显示基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该方法包括：在衬底基板上依次形成栅极、栅绝缘层和半导体层；在形成有半导体层的衬底基板上形成导电材质层；对导电材质层进行刻蚀，得到源漏极层，其中，导电材质层上与半导体层接触的部位通过干法刻蚀工艺刻蚀。本发明有助于避免刻蚀过程对半导体层的电学特性的影响。本发明用于显示基板制造。
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公开(公告)号：CN108039420A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711274870.8
申请日：2017-12-06
申请人： 合肥鑫晟光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种衬底及其制备方法、有机发光二极管显示器件，该衬底包括：金属箔，所述金属箔所采用的金属材料可进行阳极氧化，所述金属箔表面形成有多个凹陷陷光微结构，该衬底可以减小由于衬底的全反射导致的衬底模态损失，提高采用该衬底的发光器件的出光效率，提高光利用率。
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公开(公告)号：CN107478320A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710729633.X
申请日：2017-08-23
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： G01H11/06
摘要： 本发明提供一种晶体管声传感元件及其制备方法、声传感器和便携设备。该晶体管声传感元件包括设置在基底上的栅极、栅绝缘层、第一极、有源层和第二极，有源层为纳米细线三维网孔结构，有源层能在声音信号的作用下产生振动，以使晶体管声传感元件的输出电流发生相应变化。该晶体管声传感元件通过采用纳米细线三维网孔结构的有源层，能实现对声音信号的检测，由于该结构的有源层能够灵敏感测声波的微弱振动，所以该结构的有源层能提高该晶体管声传感元件感测声音信号的灵敏度，从而提高其对声音的感测性能。
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公开(公告)号：CN107275195A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710585224.7
申请日：2017-07-18
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥鑫晟光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L27/12 , H01L21/77
摘要： 一种膜层图案化方法、阵列基板及其制作方法。该膜层图案化方法，包括：在待图案化的膜层上涂敷光刻胶；对光刻胶进行曝光以及显影，光刻胶经过曝光以及显影后被完全去除的部分对应的区域为第一区域；对光刻胶进行后烘，光刻胶发生高温融塌以使被完全去除的部分对应的区域变化为第二区域，经过后烘的光刻胶形成掩膜图案；以及以掩膜图案为掩模对膜层进行图案化。该膜层图案化方法利用热融性光刻胶在显影和后烘后发生高温融塌的特点，为待图案化的膜层形成曝光机精度以下的小尺寸图案提供可能，并且该方法工艺简单、成本低。
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