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公开(公告)号：CN101626059A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910140219.0
申请日：2009-07-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205 , H01S5/343
CPC classification number: H01L21/0262 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/06
Abstract: 本发明提供一种包含在组成中具有In的III族氮化物半导体的量子阱结构的制造方法，在通过该方法制造的量子阱结构中，可以抑制结晶结构的分解并实现与In组成对应的发光特性。上述方法包括：阱层生长工序，将蓝宝石基板(15)的温度保持为第一温度，并且生长InGaN阱层(5a)；中间层生长工序，使基板(15)的温度从第一温度逐渐升温，同时在阱层(5a)上生长GaN中间层(5c)；以及阻挡层生长工序，将基板(15)的温度保持为比第一温度高的第二温度，并且在中间层(5c)上生长GaN阻挡层(5b)。在中间层生长工序中，使中间层(5c)生长为大于1nm且小于3nm的厚度。
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公开(公告)号：CN102549781B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201080043799.2
申请日：2010-09-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01S5/0014 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种可将活性层的压电极化的朝向选择为适宜方向的制作半导体发光元件的方法。在步骤S104中，一面对基板产物施加偏压，一面进行基板产物的光致发光的测定，而获得基板产物的光致发光的偏压依赖性，该基板产物通过以所选择的一个或多个倾斜角生长用于发光层的量子阱构造、p型及n型氮化镓系半导体层而形成。在步骤S105中，根据偏压依赖性进行基板主面的所选择的各倾斜角各自在发光层的压电极化的朝向的预测。在步骤S106中，基于预测而判断应使用与基板主面对应的倾斜角及与基板主面的背面对应的倾斜角的哪一个，从而选择用以制作半导体发光元件的生长基板的面取向。将用于半导体发光元件的半导体叠层形成于生长基板的主面上。
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公开(公告)号：CN102549860B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201080043448.1
申请日：2010-09-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种对于COD具有较大耐性的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第1端面(C+侧)(26)上的第1电介质多层膜(43a)的厚度比第2端面(C-侧)(28)上的第2电介质多层膜(43b)的厚度薄。
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公开(公告)号：CN102668281B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201080059063.4
申请日：2010-11-11
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/2201 , H01S5/3202
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能实现低阈值电流的激光谐振器且具有能提高振荡合格率的构造。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)中，激光波导路在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸，因此可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。第1及第2切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻形成，且与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。波导路向量(LGV)与投影分量(VCP)所成的偏移角(AV)可在-0.5度以上+0.5度以下的范围。
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公开(公告)号：CN103606817A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310545985.1
申请日：2010-11-11
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/2201 , H01S5/3202
Abstract: 本发明提供一种外延基板及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法。III族氮化物半导体激光器元件在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能实现低阈值电流的激光谐振器且具有能提高振荡合格率的构造。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)中，激光波导路在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸，因此可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。第1及第2切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻形成，且与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。波导路向量(LGV)与投影分量(VCP)所成的偏移角(AV)可在-0.5度以上+0.5度以下的范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102668281A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080059063.4
申请日：2010-11-11
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/2201 , H01S5/3202
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能实现低阈值电流的激光谐振器且具有能提高振荡合格率的构造。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)中，激光波导路在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸，因此可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。第1及第2切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻形成，且与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。波导路向量(LGV)与投影分量(VCP)所成的偏移角(AV)可在-0.5度以上+0.5度以下的范围。
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公开(公告)号：CN102422496A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020499.2
申请日：2010-03-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L33/18 , H01L33/32 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3201 , H01S5/3211
Abstract: 本发明提供可减少由晶格弛豫引起的载流子阻挡性能降低的氮化物半导体发光元件。支撑基体(13)的六方晶系GaN的c轴向量VC相对于主面(13a)的法线轴Nx朝X轴方向倾斜。在半导体区域(15)中，有源层(19)、第一氮化镓基半导体层(21)、电子阻挡层(23)及第二氮化镓基半导体层(25)在支撑基体(13)的主面(13a)上沿法线轴Nx排列。p型覆层(17)包含AlGaN，电子阻挡层(23)包含AlGaN。电子阻挡层(23)承受X轴方向的拉伸应变。第一氮化镓基半导体层(21)承受X轴方向的压缩应变。界面(27a)处的错配位错密度低于界面(27b)处的错配位错密度。由于压电极化而使界面(27a)对电子的势垒升高。
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公开(公告)号：CN102422446A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020912.5
申请日：2010-09-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/28575 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/32 , H01L33/40
Abstract: 本发明提供一种第III族氮化物基半导体元件，在第III族氮化物基半导体区域的表面从c面倾斜时，能够将设置在该半导体层上的电极与该半导体区域的接触电阻抑制为较小。一种第III族氮化物基半导体元件，具备：具有包含第III族氮化物晶体的非极性表面(13a)的半导体区域(13)、和设置在半导体区域(13)的非极性表面(13a)上的金属电极(17)；非极性表面(13a)为半极性和无极性中的任意一种，半导体区域(13)中添加有p型掺杂剂，在半导体区域(13)的第III族氮化物晶体与金属电极(17)之间，具有由金属电极(17)的金属与半导体区域(13)的第III族氮化物相互扩散而形成的过渡层(19)。
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公开(公告)号：CN102187482A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980141390.1
申请日：2009-10-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/32 , H01L21/205 , H01S5/343
CPC classification number: H01L21/0254 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/0062 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种制造氮化物基半导体发光元件的方法，该方法在形成p型氮化镓基半导体区域和势垒层时可减少阱层的劣化。在生长出氮化镓基半导体区域(13)后，在衬底(11)上生长势垒层(21a)。势垒层(21a)在时刻t1～t2的期间内在生长温度TB下形成。生长温度TB(＝T2)在摄氏760度以上、摄氏800度以下的范围内。在时刻t2，势垒层(21a)的生长结束。在生长出势垒层(21a)后，不中断生长而在衬底(11)上生长阱层(23a)。阱层(23a)在时刻t2～t3的期间内在生长温度TW(＝T2)下形成。生长温度TW与生长温度TB相同，并且可在摄氏760度以上、摄氏800度以下的范围内。阱层(23a)的铟含量为0.15以上。继而，不中断生长而反复进行阱层和势垒层的生长。
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公开(公告)号：CN102150288A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201080002596.9
申请日：2010-06-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3404
Abstract: 本发明的氮化物系半导体发光器件(LE1、LD1)的特征在于，具备：氮化镓衬底(11)，其具有主面(11a)，主面(11a)与基准平面(Sc)所成的角度α在40度以上且50度以下以及大于90度且在130度以下的范围内，其中，上述基准平面(Sc)与向c轴方向延伸的基准轴(Cx)正交；n型氮化镓系半导体层(13)；第2氮化镓系半导体区域(17)；及发光层(15)，其包括阱层(21)和势垒层(23)，其中，上述阱层(21)包括多个InGaN，上述势垒层(23)包括多个GaN系半导体；并且，多个阱层(21)的压电极化的方向为从n型氮化镓系半导体层(13)朝向第2氮化镓系半导体区域(17)的方向。
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