公开(公告)号：CN114521211A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202080067798.5

申请日：2020-09-17

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 武藤光夫 ,  田上昭平 ,  菅生道博

IPC: C09J7/30 ,  C09J153/02 ,  C09J183/07 ,  C09J11/08 ,  H01L21/683 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明为一种晶圆加工用临时粘合材料，其用于将表面具有电路面且应对背面进行加工的晶圆临时粘合在支撑体上，其特征在于，具备具有第一临时粘合层和第二临时粘合层的至少2层结构的复合临时粘合材料层，第一临时粘合层能够以可剥离的方式粘合在所述晶圆的表面且由热塑性树脂层(A)构成，第二临时粘合层层叠于该第一临时粘合层上且由光固化硅氧烷聚合物层(B)构成。由此提供一种改善加热接合时的晶圆翘曲，具有良好的剥离性与清洗除去性，能够在段差大的基板上以均匀的膜厚形成，对TSV形成工序等的工序适应性高，并且对热工艺的耐受性优异，能够提高薄型晶圆的生产率的晶圆加工体、晶圆加工用临时粘合材料及使用其的薄型晶圆的制造方法。

公开(公告)号：CN107039239B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201611069822.0

申请日：2016-11-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 田上昭平 ,  菅生道博 ,  加藤英人

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种晶片加工体，其材料选择范围广，将加工后的晶片分离、取出的步骤简单，能满足各种工序上的要求，并可提高薄型晶片的生产率。为此，提供一种在支撑体上积层有暂时粘合材料层，在所述暂时粘合材料层上积层有表面具有电路面且需加工背面的晶片加工体，其特征在于，所述暂时粘合材料层包括：第一暂时粘合层，由积层于所述晶片的表面上的热塑性树脂层(A)构成；以及，第二暂时粘合层，由积层于该第一暂时粘合层上的热固化性树脂层(B)构成；其中，所述热塑性树脂层(A)在晶片加工后可溶于洗涤溶剂(D)，所述热固化性树脂层(B)在热固化后不溶于所述洗涤溶剂(D)但会吸收所述洗涤溶剂(D)而所述洗涤溶剂(D)发生渗透。

公开(公告)号：CN107403720A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710334028.2

申请日：2017-05-12

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 田上昭平 ,  菅生道博

IPC: H01L21/26

CPC classification number: H01L22/12 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/7688 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3171 ,  H01L21/26

Abstract: 本发明所要解决的问题在于，提供一种晶片加工体，其即使在形成有电路的晶片上形成小于100nm的薄膜的情况下，也能够利用非破坏性、简便且能再利用晶片的方法，来确认该薄膜的覆盖性，所述晶片存在具有凹凸的表面和作为基底的有机膜。本发明的技术方案是一种晶片加工体，在表面形成有凹凸和/或保护有机膜层(A)的晶片上，形成有小于100nm的膜厚的有机膜层(B)，所述晶片加工体的特征在于，前述有机膜层(B)含有通过照射紫外光来发出可见光的荧光剂。

公开(公告)号：CN106952854A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201610912284.0

申请日：2016-10-19

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 田上昭平 ,  菅生道博 ,  安田浩之 ,  田边正人

IPC: H01L21/683 ,  C09J183/04

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B27/283 ,  C08G77/04 ,  C08G77/06 ,  C09J5/06 ,  C09J7/22 ,  C09J7/35 ,  C09J183/04 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/14 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/01029

Abstract: 对超过300℃的高温热工序具有耐受性且能提高薄型晶片的生产性的晶片加工体，其在支撑体上形成暂时粘着材料层，在该暂时粘着材料层上积层有晶片，该晶片的表面具有电路面且背面需要加工，所述暂时粘着材料层具备包括以下三层结构的复合暂时粘着材料层：第一暂时粘着层，由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)构成，以能剥离的方式积层于所述晶片的表面；第二暂时粘着层，由热固化性硅氧烷改性聚合物层(B)构成，以能剥离的方式积层于该第一暂时粘着层；第三暂时粘着层，由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A’)构成，以能剥离的方式积层于该第二暂时粘着层，并以能剥离的方式积层于所述支撑体。

公开(公告)号：CN106467715A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610682302.0

申请日：2016-08-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 菅生道博 ,  安田浩之 ,  田上昭平 ,  田边正人

IPC: C09J183/04 ,  C09J153/02 ,  C09J183/07 ,  C09J183/05 ,  C09J163/00 ,  C09J133/12 ,  C09J11/04 ,  C09J11/08 ,  H01L23/10

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B32B7/12 ,  B32B27/06 ,  B32B2457/14 ,  C09J183/00 ,  C09J183/04 ,  H01L21/304 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H05F1/00

Abstract: 本发明涉及晶片加工用粘接材料、晶片层叠体及薄型晶片的制造方法，具体提供晶片加工用粘接材料、通过该粘接材料使晶片和支承体贴合而成的晶片层叠体、及使用其的薄型晶片的制造方法；晶片加工用粘接材料能够抑制将晶片和支承体剥离时成为污染源的颗粒的产生，具有耐热性，易于暂时粘接且在高度差基板上也能以均匀的膜厚形成膜，对TSV形成工序、晶片背面配线工序的工序适合性高，进而对如CVD等的晶片热工艺耐性优异，剥离也容易，能够提高薄型晶片的生产率。一种晶片加工用粘接材料，其特征在于，其为用于将晶片和支承体临时贴装的含有有机硅系粘接剂的粘接材料，其含有抗静电剂。

公开(公告)号：CN105742194A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510982698.6

申请日：2015-12-24

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 安田浩之 ,  菅生道博 ,  田上昭平 ,  田边正人

IPC: H01L21/58

Abstract: 本发明提供经由临时接合配置体将晶片与支承体临时接合的方法。该配置体是复合临时粘合层，其由与晶片可脱离地接合的非有机硅热塑性树脂层(A)、在其上设置的热固性硅氧烷聚合物层(B)、和与支承体可脱离地接合的热固性硅氧烷改性聚合物层(C)组成。该方法包括下述步骤：提供晶片层叠体，该晶片层叠体具有已在晶片上形成的树脂层(A)上形成的热固性有机硅组合物层(B')；提供支承体层叠体，该支承体层叠体具有在支承体上形成的含硅氧烷组合物层(C')；和在真空中将层(B')和层(C')连接和加热以使这些层彼此接合和固化。