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公开(公告)号：CN118234366A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410293883.3
申请日：2024-03-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种基于台阶结构的零场自旋磁存储器及制备方法，涉及磁性电子器件技术领域。通过高温退火在具有定向偏差角度的切角衬底上形成确定取向的台阶结构，制备了自旋轨道转矩磁隧道结器件。该自旋轨道转矩磁隧道结器件的层次结构自下而上依次为金属氧化物绝缘层、重金属强自旋轨道耦合层、磁性垂直自由层、隧道势垒层、磁性垂直参考层、人工反铁磁钉扎层以及覆盖层。本发明实现了零场下的自旋轨道转矩电流驱动的磁化翻转。无需引入额外的辅助磁场，即可实现稳定的数据写入。制备过程简单，存储密度高，具有非易失性和出色的热稳定性，且具备强大的实用性和拓展性，为可控磁性存储器和逻辑器件领域带来广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114488718A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210160748.2
申请日：2022-02-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于负性光刻胶极紫外曝光的方法，1)在超净间黄光区通过旋涂，烘烤，去边缘残胶的方式将负性光刻胶均匀涂敷在晶圆衬底上，并将特制的硬掩模版贴合在晶圆衬底表面；2)将制备好的晶圆衬底放置在极紫外的曝光装置中，并通过积累曝光时间来达到负性光刻胶所需要的曝光剂量；3)在黄光区将曝光好的晶圆衬底先进行后烘烤，然后在丙二醇甲醚醋酸酯和异丙醇溶液中以交替浸泡的方式进行显影，最后将显影好的样品放置于干净的异丙醇中进行漂洗，用氮气吹干既可。在显微下观察曝光是否充分，有无过曝现象。
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公开(公告)号：CN111560649A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010303659.X
申请日：2020-04-16
Applicant: 南京大学 , 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 一种用于MRAM的磁性半金属材料的阻尼调控方法，采用分子束外延的生长方法在MgO衬底上生长变Al成分即偏化学计量比的Co2FeAl1+x单晶薄膜。x大于0.03，小于1。整个过程中，单晶薄膜的化学计量比是由元素Co、Fe、Al束源炉的温度控制蒸发量；且整个单晶薄膜生长过程由RHEED实时监控；偏化学计量比的定量分析来自于STEM的元素扩散的面积积分图；同时，还补充不同成分的Al元素，以确定最低阻尼的化学计量比。根据校准的结果，我们改变生长方法，使用偏化学计量比的生长方法，即补充Al的生长。最后使用Tr-MOKE进行磁性动力学测量。发现补充10％的Al元素可以有效的降低Co2FeAl的本征阻尼。
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公开(公告)号：CN119381104A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411625234.5
申请日：2024-11-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种极低电阻温度系数的埋嵌电阻薄膜材料，所述材料包括衬底、插入层和电阻层，采用溅射法将极低电阻温度系数的埋嵌薄膜电阻材料沉积于衬底上，通过改变退火温度得到极低电阻温度系数的埋嵌电阻材料，最多可以将电阻的温度系数提高38倍，提高埋嵌电阻薄膜材料的热稳定性，进而获得应用范围广、可重复性高、工艺简单、制备过程易于把控的埋嵌电阻薄膜材料。
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公开(公告)号：CN118159119A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410293865.5
申请日：2024-03-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种基于台阶结构的零场自旋磁存储器及制备方法，涉及磁性电子器件技术领域。通过高温退火在具有定向偏差角度的切角衬底上形成确定取向的台阶结构，制备了自旋轨道转矩磁隧道结器件。该自旋轨道转矩磁隧道结器件的层次结构自下而上依次为金属氧化物绝缘层、重金属强自旋轨道耦合层、磁性垂直自由层、隧道势垒层、磁性垂直参考层、人工反铁磁钉扎层以及覆盖层。本发明实现了零场下的自旋轨道转矩电流驱动的磁化翻转。无需引入额外的辅助磁场，即可实现稳定的数据写入。制备过程简单，存储密度高，具有非易失性和出色的热稳定性，且具备强大的实用性和拓展性，为可控磁性存储器和逻辑器件领域带来广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117637271A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311687638.2
申请日：2023-12-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01C17/12 , H01C17/075 , H01C7/00
Abstract: 本发明涉及一种磁控溅射生长的埋嵌电阻薄膜材料的制备方法，将电阻埋嵌进入基板之内可以减少基板表面积和改善电气性能，这需要性质稳定的电阻，而薄膜电阻生长的技术参数与其电学特性的相关性可以准确地预测电阻的性能。镍磷常常被用于制造精密电阻器，磷元素含量、退火温度和薄膜厚度对镍磷薄膜的结构及电性能影响巨大。本研究使用磁控溅射的方式生长镍磷薄膜，通过改变磷元素含量、退火温度和薄膜厚度，获得了相对于温度稳定，方块电阻范围大及表面光滑的非晶薄膜电阻。
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公开(公告)号：CN116632135A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310639955.0
申请日：2023-06-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种交流电场驱动条件下具有电场增强能力的GaN基纳米LED结构，所述GaN基纳米LED结构形成贯穿ITO层、p型GaN层、多量子阱有源层、n型GaN层，深至GaN缓冲层的纳米柱结构，所述纳米柱结构在多量子阱有源层的横截面积最小，往纳米柱两端的方向横截面积逐渐增加，形成中间细、两端粗的柱状结构。本发明提出的纳米柱在量子阱MQW层较细，P型和N型GaN层粗，形成中间细、两端粗的结构。该GaN基纳米柱形状能够提高交流电场环境中，量子阱层内的电场强度，同时增加电流驱动下纳米柱结构中在量子阱区域的电流密度，形成很强的电场增益和电流增益，从而提高器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN116470960A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310150490.2
申请日：2023-02-22
Applicant: 南京大学
IPC: H04B10/077 , H04B10/116
Abstract: 本发明公开了一种LED调制带宽快速测试系统，包括直流电源；偏置器；激光器，用于激发LED样品发光，实现光信号‑电信号‑光信号的转变；透射组件，用于整体光线的聚焦；滤光片，用于排除激光对LED发光的影响；光电探测器，检测到LED发出的光信号，并转变为电信号输出；矢量网络分析仪，分析两端口信号以绘制频率响应曲线，从而得到LED的调制带宽。本发明可以实现在不封装LED情况下对其通信性能进行测试的功能，并且可以通过激光扫描实现同时测量多个LED的调制带宽的功能。利用本发明的装置可以实现快速测量，并且光激发可以达到对LED样品零损伤的效果。
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公开(公告)号：CN115323319A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211089065.9
申请日：2022-09-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种在MgO(001)衬底上制备高质量Fe3O4(001)薄膜的方法，使用磁控溅射装置在MgO(001)衬底上制备高质量Fe3O4(001)薄膜，安装靶材，获得腔体真空；衬底预处理；预溅射；溅射沉积薄膜；所述步骤1)中，使用高纯Fe即纯度大于99.95％靶材，腔体真空度达到1×10‑8Torr以上；溅射时衬底温度保持在300℃，样品台旋转速度5rpm，打开样品台挡板开始沉积薄膜，根据溅射的时间控制沉积薄膜的厚度；射频电源功率为50W。
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公开(公告)号：CN113835313A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111325361.X
申请日：2021-11-10
Applicant: 南京大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种基于高次谐波的极紫外光刻曝光方法，1)使用飞秒级的强场激光与工作介质相互作用产生高次谐波；2)反应产生的高次谐波复色光通过过滤选取谐波级次，即用于测试的波长所在的谐波级次，从而得到测试波长的纯净极紫外光；3)极紫外光通过狭缝进入曝光装置，对涂敷光刻胶的晶圆样品进行曝光，将掩模版的图案转移到样品表面，通过累积曝光时间来达到光刻胶所需的曝光剂量。所述用于曝光的极紫外光基于高次谐波技术产生。纯净的极紫外光进入曝光装置，使涂有光刻胶的硅片曝光，通过累积曝光时间的方式达到光刻胶所需的曝光剂量。
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