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公开(公告)号：CN116825827A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310797064.8
申请日：2023-06-30
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/40 , H01L29/24 , H01L29/861 , H01L21/44
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属硫化物垂直结构二极管及其制备方法，所述二极管包括衬底、底电极、过渡金属硫化物薄膜和顶电极；所述顶电极接触层为金属锑；所述底电极在衬底上利用Grids铜网固定在衬底表面，然后蒸镀金属得到；该过渡金属硫化物垂直结构二极管，利用Grids铜网可以直接获得仪器精度级的表面洁净度，无其它杂质的引入，且表面平滑，这一优势能大程度的加强金属与半导体之间的接触，进而关态电流得到进一步的降低，明显改善了该垂直结构二极管的整流比。
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公开(公告)号：CN116347963A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310168711.9
申请日：2023-02-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于金属衬底的二维有机半导体单晶薄膜及其制备方法，该薄膜包括衬底、绝缘层、金属层和有机半导体薄膜；金属层制备于绝缘层表面，且制得的金属表面平滑，对生长有机半导体薄膜的溶液具有润湿性；有机半导体薄膜材料为带有烷基侧链的共轭有机小分子。其制备方法包括如下步骤：在衬底上生长绝缘层；在绝缘层表面制备金属层；配制溶液；调节生长参数，生长二维有机半导体单晶薄膜。本发明通过选取合适的衬底和生长条件，直接在金属衬底上实现了二维有机半导体单晶薄膜的高质量、大规模、可控生长，薄膜单晶面积达到了毫米级别，为简化器件结构及制备工艺提供了可能的途径。
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公开(公告)号：CN113674680B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202110959024.X
申请日：2021-08-20
Applicant: 南京大学
IPC: G09G3/32 , H05B45/325
Abstract: 本发明公开了一种基于像素分享的PWM驱动电路及驱动方法，包括若干呈阵列排列的发光单元，对应每一列发光单元，还包括用于提供PWM驱动信号的信号处理模块，每一列中任一个发光单元与信号处理模块信号连接；对应每一行发光单元，还包括用于提供开关信号的第一信号发射器，每一行中任一个发光单元与第一信号发射器信号连接。本发明基于像素共享原理，将多个发光单元共用一个信号处理模块，每个驱动电路的平均晶体管数目显著下降，大幅降低了集成难度以及制备成本，实现了低晶体管密度的像素驱动。
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公开(公告)号：CN114540958B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210182597.0
申请日：2022-02-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种双层过渡金属硫族化合物连续薄膜及其制备方法，所述双层过渡金属硫族化合物连续薄膜由衬底和衬底表面形核双层的晶粒组成，双层晶粒在衬底的高台阶处均匀成形并连续覆盖，两层尺寸一致且边缘对齐，所述过渡金属硫族化合物为二硫化钼、二硫化钨、二硒化钼或二硒化钨；所述连续薄膜的制备方法为气相沉积法，在衬底表面形核双层的晶粒，该双层晶粒上下两层对齐、等速生长，拼接为均匀、连续的双层薄膜；所述连续薄膜可达到厘米级别，完全满足高性能电子器件集成的要求。
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公开(公告)号：CN115064588A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210466261.7
申请日：2022-04-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种二维半导体‑金属欧姆接触结构、制备方法及应用，欧姆接触结构包括二维半导体层，二维半导体层上沉积半金属锑或含有半金属锑的合金形成欧姆接触，通过真空蒸镀的方式将半金属锑沉积在二维半导体层上，可以应用在半导体器件中。本发明可以实现金属‑二维半导体间超低接触电阻，显著提升二维半导体器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113674681A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110959054.0
申请日：2021-08-20
Applicant: 南京大学
IPC: G09G3/32 , H05B45/325
Abstract: 本发明公开了一种基于NMOS管的PWM像素电路、驱动方法及显示装置，包括驱动电源，还包括用于输出恒定电压的比较器、用于调节电流恒定的电流镜、用于控制像素开关的选通晶体管、用于发光的发光单元以及用于为发光单元提供电流脉冲信号的驱动晶体管。本发明通过脉冲宽度调制的方式实现对micro LED的发光驱动，基于二硫化钼二维材料晶体管，在很低的外围电路成本下采用全NMOS设计，整体电路的工作频率的提高、驱动能力更强、信号损耗更少，以MoS2晶体管为基础解决了micro LED光色漂移的问题，micro LED的亮度均匀性强。
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公开(公告)号：CN110648922A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910852628.7
申请日：2019-09-10
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/683 , H01L21/44 , H01L29/24 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/786 , C23C14/06 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23C16/30 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种二维过渡金属硫属化合物薄膜大面积转移的方法及其应用，该方法为：制备大面积二维过渡金属硫属化合物薄膜；采用范德瓦尔斯外延生长技术和原子层沉积技术在过渡金属硫属化合物薄膜表面依次沉积单层有机染料分子薄膜和介电质薄膜，再涂覆一层聚合物薄膜；利用水渗透分离的原理，分离得到过渡金属硫属化合物/单层有机染料分子/介电质/聚合物复合薄膜，与目标衬底结合，去除聚合物薄膜，即完成转移。转移的二维过渡金属硫属化合物薄膜具有大面积的完整性及无污染的界面。转移的二维过渡金属硫属化合物/单层有机染料分子薄膜-介电质薄膜可用作电子器件的沟道层和介电层，具有极低的漏电和界面态，可有效降低电子器件工作电压。
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公开(公告)号：CN107109697A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201480077741.8
申请日：2014-04-09
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C30B23/06 , C23C14/12 , C30B23/002 , C30B29/54 , H01L51/001 , H01L51/0074 , H01L51/0558
Abstract: 在衬底的晶体表面生长二维有机半导体晶体层的方法，将衬底和有机半导体源放在真空腔体中，源和衬底保持一定的间距；在源和衬底上施加温度梯度，源的温度设定为有机半导体材料刚开始蒸发时或升华时的温度，其中源温度高于衬底温度；将有机半导体材料分子在设定的源温度下蒸发或升华，并生长在衬底的晶体表面；控制生长时间，压强及沉积温度，那么就可以在衬底上沉积所需目标厚度和形态的晶体层；外延的超薄的有机半导体晶体层总共有几个分子层甚至单分子的厚度。进一步地，阐明了这种方法制备的层状结构及使用其制备逻辑门。
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公开(公告)号：CN102491252A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110373244.0
申请日：2011-11-22
Applicant: 南京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种离散纳米材料选择性排列的方法，1）将清洗干净的衬底，典型的为硅衬底进行氧化，表面得到一层硅氧化物；2）将氧化后的硅片放入十八烷基三氯硅烷的C6-C8烃的溶液中，硅氧化物上生长一层非极性的OTS自组装单分子膜；3）利用激光通过位相光栅在硅衬底上目标区域选择性刻蚀非极性的OTS自组装单分子膜；4）将刻蚀后的硅衬底放入3-三乙氧基甲硅烷基-1-丙胺的甲醇溶液中，原被激光刻蚀掉的区域即生长上极性的APS自组装单分子膜，在目标区域形成极性和非极性的间隔区域；5）将修饰过的衬底浸入纳米线或纳米材料悬浮液中提升，纳米线或纳米材料按规则排列在目标极性区域内，实现离散半导体纳米线选择性排列。具有应用价值。
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公开(公告)号：CN112530989B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202011394499.0
申请日：2020-12-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种超高增益有机放大器及其制备方法。该超高增益有机放大器由一个驱动晶体管和一个负载晶体管串联构成，其中负载晶体管的栅极与源极短接；驱动晶体管和负载晶体管的栅极介电层为铁电性氧化物薄膜，半导体沟道层为有机分子薄膜。其制备方法包括：在衬底上制备局域栅极金属层；在局域栅极金属层表面生长铁电性氧化物薄膜作为介电层；制备半导体层和电极层。该超高增益有机放大器可以在3V工作电压下实现超过10000的电压增益，1V工作电压下实现4000的增益，同时，可以实现电池供电。该超高增益的有机放大器亦可在柔性衬底上实现。另外，该有机放大器可用于各类微小信号的检测和放大。
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