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公开(公告)号：CN111276277B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202010091737.4
申请日：2020-02-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种具有红外透明导电功能的窗口，属于红外光学材料领域及电子材料领域。本发明是要解决现有的红外透明导电功能的窗口无法兼顾电磁屏蔽和高红外透过率性能的技术问题。本发明的具有红外透明导电功能的窗口是由衬底和依次生长于所述衬底上的透明导电层和红外增透层组成。本发明所述的具有红外透明导电功能的窗口在0.78μm～2.5μm波长范围内透过率不低于80％，在2.5μm～5μm波长范围内透过率不低于75％，方块电阻不大于100Ω/sq，对1GHz～18GHz电磁波的屏蔽效率大于10dB。本发明应用于制备一种具有红外透明导电功能的窗口。
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公开(公告)号：CN112695382A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011466532.6
申请日：2020-12-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于网格化结构电极提高金刚石异质外延生长均匀性的方法，本发明属于化学气相沉积法异质外延单晶金刚石领域，它为了解决金刚石大面积外延生长均匀性差的问题。一、衬底位于样品台的中心处，将网格化电极放置在腔体底座上；二、设备抽真空；三、升温过程；四、开启直流偏压电源，进行偏压增强形核；五、降低甲烷浓度，开始进行金刚石外延生长；六、外延金刚石膜光刻图形化加工与生长。本发明在偏压增强形核过程中，通过网格化结构Mo电极能够促使等离子体聚集于网状结构Mo电极表面，等离子体内部的正离子在复合衬底上方聚集形成辉光层，辉光层的均匀性提高也使得金刚石外延形核的均匀性得以提高。
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公开(公告)号：CN112048633A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010982694.9
申请日：2020-09-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用增材制造技术制备铝合金金刚石复合材料的方法，属于复合材料制备技术领域。本发明为了解决在制备过程中金刚石、铝合金界面结合差等问题，将天然金刚石依次用去离子水和酒精进行超声清洗，盐酸中搅拌30min，烘干；将金刚石与钛粉按照5‑10：1的摩尔比均匀混合，随后加入氯化钠，在10‑3MPa的真空条件下反应1.5‑2.5小时；将表面处理过的金刚石与铝合金粉体在氩气环境下搅拌混合20‑30min；在氩气保护气氛中，通过选取匹配的激光条件与钨基板预热，进行反应；将样件在300‑350℃下退火2小时，随炉冷却。本发明较好的解决了金刚石和金属之间较差的界面、孔隙率高、金刚石在激光下碳化等问题，实现了铝合金金刚石复合材料的制备。
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公开(公告)号：CN111979579A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010857467.3
申请日：2020-08-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B29/04 , C30B25/00 , C23C16/27 , C23C16/511
Abstract: 用于化学气相沉积单晶金刚石高速生长的等离子体聚集装置，本发明涉及一种微波等离子体化学气相沉积设备中的等离子体聚集装置，它为了解决现有微波等离子体化学气相沉积金刚石生长过程中金刚石生长速率较慢的问题。本发明等离子体聚集装置包括基座、中心柱和底座，基座为球台形，基座的中心处开有中心通孔；中心柱的顶部开有样品凹槽，中心柱的底部带有外螺纹；底座的上表面开有沉孔，底座的中心开有螺纹孔，中心柱插入基座的中心通孔内，中心柱的底部插入螺纹孔中与底座螺纹连接，基座嵌入底座的沉孔内。本发明等离子体聚集装置通过改变腔体内金属边界的形状来改变电场聚集的位置和强度，显著增强MPCVD中的等离子体密度，提高生长速度。
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公开(公告)号：CN111933514A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010806924.6
申请日：2020-08-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法，本发明为了解决现有技术中难以在α-Al2O3上获得(111)晶面Ir外延层的技术问题，制备方法：一、对α-Al2O3(0001)进行超声清洗；二、将α-Al2O3(0001)固定在样品托中，Ir颗粒靶材置于石墨坩埚里；三、腔体抽真空；四、样品升温至一定温度；五、打开电子枪高压及靶材挡板，在样品表面沉积Ir外延层；六、沉积结束后关闭靶材挡板和电子枪高压；七、退火处理。本发明采用电子束蒸镀法制备(111)面Ir外延层的方法，制备的Ir外延层与α-Al2O3之间热膨胀系数差异更小，结晶质量更优，结合力更强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111872390A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010783898.X
申请日：2020-08-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种选区激光熔化工艺制备金刚石金属基复合材料的方法，本发明涉及一种制备金刚石金属基复合材料的方法。本发明要解决现有选区激光熔化工艺制备金刚石金属基复合材料过程中，金刚石与基体润湿性差，存在大量的孔隙缺陷，金刚石热蚀的问题。方法：一、制备镀覆后的金刚石粉末；二、混合；三、选区激光熔化成型；四、烧结。本发明用于选区激光熔化工艺制备金刚石金属基复合材料。
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公开(公告)号：CN107400923B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201710607290.X
申请日：2017-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种增强金刚石热导率的方法，本发明涉及一种增强金刚石导热性的方法，本发明目的是要在不去除金刚石材料的基础上解决现有CVD方法制备金刚石两面晶粒尺寸差别过大，厚度较薄以及热导率提高困难的问题。增强金刚石热导率的方法：一、对硅片进行切割和超声清洗；二、对硅片进行打磨处理，在硅片表面建立辅助形核点；三、硅片放置于CVD装置中，通入生长气体氢气与甲烷，升温至750℃以上进行多晶生长；四、利用HNO3与HF混合溶液去掉硅基底；五、以与步骤三相同的生长方式与参数进行重复生长。本发明经过两次生长，使制备得到的多晶金刚石膜双面形貌大致相同，并提高了金刚石的厚度，提升了多晶金刚石的热导率。
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公开(公告)号：CN109023517B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201811213112.X
申请日：2018-10-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用聚焦离子束技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法，本发明涉及消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。本发明要解决现有的MPCVD生长中籽晶表面由于激光加工和抛光不完善导致的表面缺陷富集，进而影响外延生长金刚石质量的问题。方法：一、单晶金刚石籽晶清洗；二、喷金处理；三、放置样品；四、关舱；五、抽真空；六、聚焦离子束扫描刻蚀；七、吹洗样品。本发明用于一种利用聚焦离子束技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。
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公开(公告)号：CN111584382A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010345111.1
申请日：2020-04-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用金刚石NV色心原位表征异质界面状态的方法，本发明属于半导体材料及器件技术领域，它要解决现有在异质结两相相接界面处电荷状态分布、电子输运特性难以采用常规方法进行精确测量的问题。表征方法：一、对金刚石基底进行清洗；二、通过CVD法在金刚石基底表面生长NV色心层；三、使用显微镜聚焦到金刚石上生长的NV色心层，测得测试点处的第一次拉曼光谱；四、在生长NV色心层的金刚石表面生长待测的异质结；五、再次测得测试点处的拉曼光谱；将测试点处的第一次拉曼光谱与第二次拉曼光谱进行对比。本发明通过在界面连接处的金刚石亚表面层使用MPCVD法生长含有NV色心的薄层，能够准确的表征出异质界面状态的改变。
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公开(公告)号：CN108470782B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810198862.8
申请日：2018-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/032 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58
Abstract: 一种中红外透明导电P型氧化物薄膜材料，它涉及一种P型导电氧化物薄膜材料。本发明是要解决现有的P型透明氧化物薄膜导电性较差、载流子浓度较低以及中波红外透过率低的技术问题。本发明的中红外透明导电P型氧化物薄膜材料的化学式为La2SexOy，其中x为3～4，y为9～11。本发明的制备方法：一、靶材和衬底的清洗；二、La2O3薄膜的制备；三、掺杂Se。本发明制备的P型透明导电氧化物薄膜的光学带隙约为4.0eV，空穴有效质量小于电子的有效质量，具有较高的载流子浓度和电导率，中波红外光区的透过率约为70％，透过性能较为良好。
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