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公开(公告)号：CN106104775B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201580006256.6
申请日：2015-01-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 段仁官 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , 周建华 , N·刘 , 陈一宏 , A·B·玛里克 , S·R·恭德哈勒卡尔
Abstract: 在一个实施例中，公开一种处理腔室，其中所述处理腔室的至少一个表面具有包含SivYwMgxAlyOz的涂层，其中v的范围从约0.0196至0.2951，w的范围从约0.0131至0.1569，x的范围从约0.0164至0.0784，y的范围从约0.0197至0.1569，z的范围从约0.5882至0.6557，并且v+w+x+y+z＝1。
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公开(公告)号：CN109314039A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780024022.3
申请日：2017-01-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/683 , H01L21/67 , H05H1/46 , H01J37/32
Abstract: 提供了一种用于加热的基板支撑基座的方法及装置。在一个实施例中，该加热的基板支撑基座包括：主体，包括陶瓷材料；多个加热元件，封装在该主体内。柱耦合至该主体的底面。多个加热器元件、顶电极及屏蔽电极安置在该主体内。该顶电极安置在该主体的顶面附近，而该屏蔽电极安置在该主体的该底面附近。导电杆被安置成穿过该柱且耦合至该顶电极。
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公开(公告)号：CN108475610A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680074061.X
申请日：2016-12-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开总体涉及一种用于工艺腔室的辐射屏蔽件，所述辐射屏蔽件改善基板温度均匀性。所述辐射屏蔽件可以设置在所述工艺腔室的狭缝阀门与设置在所述工艺腔室内的基板支撑件之间。在一些实施方式中，所述辐射屏蔽件可以设置在所述工艺腔室的加热器下。此外，所述辐射屏蔽件可以阻挡从所述工艺腔室供应的辐射和/或热量，并且在一些实施方式中，所述辐射屏蔽件可以吸收和/或反射辐射，由此提供改善的温度均匀性并且改善所述基板的平面轮廓。
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公开(公告)号：CN106449503A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610625498.X
申请日：2016-08-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 林兴 , 周建华 , Z·J·叶 , 陈建 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC: H01L21/683 , C23C16/44 , C23C16/513 , C23C16/458
CPC classification number: H01L21/6833 , H01J37/32715 , H01L21/67103 , H01L21/68735 , H01L21/683 , C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/4581 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , C23C16/513 , H01L21/6831
Abstract: 本公开的实施方式提供一种用于支撑基板的改进的静电卡盘。所述静电卡盘包括：卡盘主体，所述卡盘主体耦合到支撑杆，所述卡盘主体具有基板支撑表面；多个突片，所述多个突片远离所述卡盘主体的所述基板支撑表面突出，其中所述突片绕所述卡盘主体圆周设置；电极，所述电极嵌入在所述卡盘主体内，所述电极从所述卡盘主体的中心径向地延伸到超出所述多个突片的区域；以及RF电源，所述RF电源通过第一电连接耦合到所述电极。
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公开(公告)号：CN105849866A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480070552.8
申请日：2014-12-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 周建华 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC: H01L21/205 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/68792 , H01L21/67109
Abstract: 本发明实施例总体上涉及一种半导体处理腔室，并且更具体地涉及一种用于半导体处理腔室的受热支撑基座。在一个实施例中，所述基座包括基板支撑件、加热元件和第一中空轴，所述基板支撑件包含用于容纳基板的支撑表面，所述加热元件被封装在所述基板支撑件内，所述第一中空轴具有第一端与第二端，其中所述第一端固定到所述基板支撑件。所述基板支撑件与所述第一中空轴由陶瓷材料制成，并且所述第一中空轴具有约50mm与100mm之间的长度。所述基座进一步包括耦接至所述第一中空轴的第二端的第二中空轴。所述第二中空轴具有大于所述第一中空轴的长度的长度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102844854B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201080055563.0
申请日：2010-12-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/205 , C23C16/458
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/68792
Abstract: 本发明的实施例大致关于半导体处理腔室，且更明确地，关于半导体处理腔室的加热支撑基座。在一个实施例中，提供半导体处理腔室的基座。基座包括：基板支撑件，基板支撑件包括导电材料并具有接收基板的支撑表面；电阻式加热器，密封于基板支撑件中；中空轴，在第一端耦接至基板支撑件并在相反端耦接至相配接口，中空轴包括具有中空核心的轴主体；及冷却通道组件，环绕中空核心并配置于轴主体中，以通过内部冷却路径从基座移除热量，其中基板支撑件具有位于加热元件与环形冷却通道之间的热控制间隙。
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公开(公告)号：CN102543798A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210024293.8
申请日：2008-07-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿希什·沙 , 加内什·巴拉萨布拉曼尼恩 , 戴尔·R·杜波依斯 , 马克·A·福多尔 , 金义勇 , 秋·钱 , 卡希克·贾纳基拉曼 , 托马斯·诺瓦克 , 约瑟夫·C·沃纳 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 , 穆罕默德·阿尤布 , 阿米尔·阿拉-巴提亚 , 周建华
CPC classification number: H01L21/68 , Y10S414/136
Abstract: 本发明包含用以在基板边缘区域进行蚀刻的装置与方法。于一实施例中，该装置包含腔室主体、基板支撑件、等离子体产生器以及气体传送组件，该腔室主体具有处理容积；该基板支撑件设置在该处理容积内侧，且该基板支撑件具有基板支撑表面；该等离子体产生器连接至该腔室，将等离子体相的蚀刻剂提供至该基板支撑表面的周边区域；以及该气体传送组件连接至气体源，以在该基板支撑表面上产生径向气流，所述径向气流从该基板支撑表面的约中央区域朝向该基板支撑表面的周边区域。
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公开(公告)号：CN101689492B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200880024240.8
申请日：2008-07-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿希什·沙 , 加内什·巴拉萨布拉曼尼恩 , 戴尔·R·杜波依斯 , 马克·A·福多尔 , 金义勇 , 秋·钱 , 卡希克·贾纳基拉曼 , 托马斯·诺瓦克 , 约瑟夫·C·沃纳 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 , 穆罕默德·阿尤布 , 阿米尔·阿拉-巴提亚 , 周建华
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/68 , Y10S414/136
Abstract: 本发明包含用以在基板边缘区域进行蚀刻的装置与方法。于一实施例中，该装置包含腔室主体、基板支撑件、等离子体产生器以及气体传送组件，该腔室主体具有处理容积；该基板支撑件设置在该处理容积内侧，且该基板支撑件具有基板支撑表面；该等离子体产生器连接至该腔室，将等离子体相的蚀刻剂提供至该基板支撑表面的周边区域；以及该气体传送组件连接至气体源，以在该基板支撑表面上产生径向气流，所述径向气流从该基板支撑表面的约中央区域朝向该基板支撑表面的周边区域。
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公开(公告)号：CN114008755B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN201980094654.6
申请日：2019-04-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/02 , C23C16/455 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本公开内容涉及用于等离子体处理基板的方法和设备。在一个实施方式中，基板处理腔室包括接地带组件。接地带组件包括接地带和一个或多个连接器，所述一个或多个连接器耦接到基板支撑件和/或腔室主体。每个连接器具有第一夹持构件和第二夹持构件。接地带紧固在每个连接器的第一夹持构件与第二夹持构件之间。第一夹持构件和第二夹持构件中的每一者的内表面耦接至接地带并且涂覆有介电涂层。内表面的厚度和粗糙度的调制使得能够调节连接器的电容特性。
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公开(公告)号：CN117431529A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311209247.X
申请日：2019-10-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/67 , H01L21/02 , C23C16/503 , C23C16/505
Abstract: 本公开内容的实施方式总体提供用于真空腔室的气体扩散器组件的设备和方法，气体扩散器组件包括安装板，安装板包括中心部；复数个弯曲辐条，从中心部在径向方向中延伸；角板部，耦接于中心部与这些弯曲辐条的每个弯曲辐条之间，这些角板部的每个角板部具有凸弯曲部，设置于轴向方向中；和一个或多个安装孔，耦接于这些弯曲辐条。
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